SiC-MOSFET让汽车及工业设备更小更高效，宽耐压，开关损耗降低50%
随着新能源市场的爆发，电动汽车、光伏、储能等下游应用驱动下，碳化硅功率器件迎来了新一轮增长期。世强硬创联合瑶芯微，爱仕特，派恩杰，瞻芯电子，中电国基南方，SMC，带来让汽车及工业设备更小更高效的SiC MOSFET系列产品，最高1700V宽耐压，开关损耗降低50%。
品牌及产品介绍
致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）
瑶芯微推出的SIC MOS AKCK2M040WMH，耐压1200V，导通内阻低至40mΩ，持续电流59A，T0247-3封装，结温-55~+150℃，可以有效降低热损耗，提高工作效率，同时也可以减小变压器等器件的体积，节省空间。可应用于光伏逆变BOOST升压电路。
【数据手册】AKCK2M040WMH 1200V 40mohm Silicon Carbide Power MOSFET DATASHEET
爱仕特推出的N沟道SIC MOSFET-ASCXXN1200MT4系列产品，漏源电压1200V，结温和存储温度范围为-55℃至+150℃，低电容高速开关；高阻断电压，低RDS(on)；使用标准栅极驱动，驱动简单；符合ROHS标准，并经过100%雪崩测试；可用于EV充电、DC-AC逆变器、高压DC/DC转换器、开关模式电源、功率因数校正模块、电机驱动领域。
【数据手册】ASC60N1200MT4 1200V N-Channel MOSFET
【数据手册】ASC30N1200MT4 1200V N-Channel MOSFET
国内领先的第三代半导体功率器件设计公司——派恩杰（PN Junction）
派恩杰推出的1700V N沟道增强型SiC MOSFET P3M173K0K3，最大漏极电流为2.7A，符合RoHS标准，无卤素，封装采用TO-247-3；高阻断电压，低导通电阻；工作结温范围为-55℃至+200℃，可提高系统效率和功率密度，减少散热器需求，节省系统成本。应用于太阳能逆变器，电动汽车电池充电器，高压DC/DC转换器等领域。
【数据手册】P3M173K0K3 SiC MOS N-Channel Enhancement Mode
【选型】派恩杰（PN Junction）碳化硅MOSFET选型指南
中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）
瞻芯电子推出的车规级SiC MOSFET“IV1Q12XXX”系列产品，漏源电压1200V，耐高压且低导通电阻；可高速开关，且寄生电容小；耐受工作结温高达175℃，鲁棒性好。可用于车载充电器，车载压缩机逆变器、车载DC/DC、光伏逆变器、开关电源等领域。
【数据手册】IV1Q12080T4Z – 1200V 80mΩ 车规级SiC MOSFET
【数据手册】IV1Q12160D7Z– 1200V 160mΩ 车规级 SiC MOSFET
【选型】瞻芯电子（InventChip）碳化硅（SiC）功率器件/栅极驱动芯片/模拟控制芯片选型指南
中国最早从事SiC器件研究的科研单位之一：中电国基南方（CETC）
中电国基南方（CETC）推出的N沟道碳化硅功率MOSFET WM2A040120L，高阻断电压，低通态电阻，低寄生电容，可用于高速开关；器件的漏-源电压（VDS）：1200V，漏源通态电阻（RDS(on)）：40mΩ，连续漏极电流（ID）：68A@Tc=25℃。广泛应用于再生能源、电动车蓄电池充电桩、高压DC/DC转换器、开关模式电源等场景。
【数据手册】WM2A040120L N-Channel SiC Power MOSFET
【选型】中电国基南方SiC电力电子器件（SiC MOSFET/SiC SBD）选型指南（中文）
SMC推出的SIC MOS S2M00XX120K系列产品，导通内阻涵盖16 mΩ、25 mΩ、40mΩ、80 mΩ， 目前有T0247-3、T0247-4两种封装，结温-55~+175℃，高阻断电压，低导通电阻，可以有效降低热损耗，提高工作效率；同时也可以减小设计体积，节省空间。可应用于光伏储能逆变器，高压DC/DC转换电路，汽车电驱以及汽车OBC。
【数据手册】S2M0025120K 1200V SIC POWER MOSFET
【数据手册】S2M0040120K 1200V SIC POWER MOSFET
【数据手册】S2M0080120K 1200V SIC POWER MOSFET
【选型】SiC MOSFETs & SiC Schottky Diodes & Bare Die SiC MOSFETs & Bare Die SiC Schottky Diodes
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鄗立恒 Lv8. 研究员 2024-04-01学习了 -
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用户55155032 Lv2 2024-03-19学习了
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技术分享 | 解析SiC MOSFET串扰特性
随着SiC MOSFET开关频率的不断增加，在半桥结构（如逆变电路、全桥电路等）桥臂串扰现象越发严重，易造成桥臂直通短路或影响可靠性，限制了SiC MOSFET开关频率及系统功率密度进一步提高。本文瑶芯微将为您解析SiC MOSFET串扰特性。
【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD，助力高压光伏逆变器系统
为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要，瞻芯电子开发2000V碳化硅（SiC）MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证，并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试，进入整机验证阶段。
P3M12020K4 N沟道增强型SiC MOSFET
描述- 该资料详细介绍了PNJ半导体公司生产的P3M12020K4型号SiC MOSFET的特性、电气参数、应用领域和订购信息。该MOSFET适用于高电压、高频率应用，具有低导通电阻和高压阻断特性。
型号- P3M12020K4
派恩杰碳化硅场效应管(SiC MOSFET)选型表
派恩杰推出碳化硅场效应管(SiC MOSFET)，覆盖常规封装TO247-3,TO247-4,TOLL,TO263-7等，RDS：13-3000毫欧，温度高达175℃
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产品型号
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品类
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Blocking Voltage(V)
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Package
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RDS(ON) @25℃(mΩ)
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Current Rating(A)
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Qgd(nC)
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Output Capacitance(pF)
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Max Junction Temperature(℃)
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P3M06025K3
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碳化硅场效应管
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650V
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TO247-3
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25mΩ
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97A
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34.7nC
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297pF
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175℃
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选型表 - 派恩杰 立即选型
【选型】力特1700V SiC MOSFET助力光伏逆变器1500V系统辅助电源高效稳定运行
现在光伏逆变器电压等级提升到1500V，如果选用单端反激拓扑，单管MOS耐压值需要超过3000V，因此建议采用双管反激方案，推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO170E1000，1700V高耐压，同时采用常用的TO247封装，可直接替换Si MOS使用。
P3M06035K4 N沟道增强型SiC MOS
描述- 本资料详细介绍了PNJ公司生产的P3M06035K4型号SiC MOSFET，这是一种N沟道增强型SiC MOSFET。该产品具有高阻断电压、低导通电阻、高频操作、超小Qgd等特点，适用于太阳能逆变器、电动汽车电池充电器、高压DC/DC转换器和开关模式电源等应用。
型号- P3M06035K4
爱仕特1200V 12mΩ SiC MOSFET已量产并批量出货，兼具超低导通和超快开关特性
爱仕特自主研发的15V驱动的1200V 12mΩ SiC MOSFET和1700V 25mΩ SiC MOSFET芯片已量产并开始批量出货给国内客户，填补了国内该系列产品研发及应用的空白，引领国内SiC功率器件技术跻身国际领先水平。
ASC300N1200MEP2B 1200V SiC MOSFET模块
描述- 本文档介绍了ASC300N1200MEP2B这款1200V SiC MOSFET模块。该产品具有高电流密度、低感设计、低开关损耗和高频操作等特点，适用于高频切换应用、DC/DC转换器、电机驱动、伺服驱动、不间断电源系统和光伏系统等领域。
型号- ASC300N1200MEP2B
瞻芯电子累计交付SiC MOSFET产品1000万颗以上，产品的长期可靠性得到市场验证
近日，自2020年正式发布第一代碳化硅(SiC) MOSFET产品以来，瞻芯电子累计交付SiC MOSFET产品1000万颗以上，其中包含近400万颗车规级产品应用在新能源汽车市场，标志着产品的长期可靠性得到了市场验证。
【元件】新动向 | 爱仕特内绝缘型SiC MOSFET，内置陶瓷片优化绝缘和导热性能，为高效能应用提供新选项
爱仕特始终秉承创新理念，近期推出了1200V和1700V两款内绝缘型TO-247-4封装的SiC MOSFET。这些创新产品在保持标准封装尺寸，通过内置陶瓷片优化了绝缘和导热性能，背面散热器做了悬浮电位设计，减少了外部绝缘材料依赖，降低了材料老化导致的长期运行故障风险，增强了产品可靠性和耐用性。
【产品】具有开尔文引脚的车规级SiC MOSFET-P3M06025K4，栅氧层可靠性卓越，提升整体效率
派恩杰平面型SiC MOSFET P3M06025K4具有卓越的栅氧层可靠性，且高温下Rdson偏移小可获得更好的高温特性。采用TO247-4引脚封装，具有开尔文引脚，可降低源极寄生电感对门极电路的影响，提高效率。
罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型
日前，搭载了罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于“极氪”电动汽车3种车型的主机逆变器上，有助于延长车辆续航距离以及提高性能。
【产品】国产N沟道SiC MOSFET ASC20N3300MT4，最高结温为150℃，符合ROHS标准
ASC20N3300MT4是爱仕特推出的一款N沟道SiC MOSFET，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，确保了低电容和栅极电荷。
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在新能源技术蓬勃发展的今天，SIC MOSFET在充电桩、光伏发电和工业设备中的应用变得越来越广泛。那么，如何选择高性价比的SIC MOSFET呢？时科的SIC MOSFET SKSC120N016-T74又具备哪些独特的优势？让我们一起来探讨一下。
P3M06060L8 N沟道增强型SiC MOS
描述- 该资料详细介绍了PNJ半导体公司生产的P3M06060L8型号SiC MOSFET器件。该器件具有高阻断电压和低导通电阻的特点，适用于高频操作，具有超小Qgd和100% UIS测试。主要优点包括提高系统效率、增加功率密度、减少散热器需求以及降低系统成本。主要应用领域包括太阳能逆变器、电动汽车充电器、高压DC/DC转换器和开关电源。
型号- P3M06060L8
电子商城
现货市场
服务
可定制变压器电压最高4.5KV，高频30MHz；支持平面变压器、平板变压器、OBC变压器、DCDC变压器、PLC信号变压器、3D电源、电流变压器、反激变压器、直流直流变压器、车载充电器变压器、门极驱动变压器等产品定制。
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