【产品】Littelfuse推出的采用专有XPT™薄晶圆技术的IGBT，击穿电压为650V~1200V

时间： 2019-10-29 来源：Littelfuse

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LITTELFUSE（力特）的XPT™（超轻穿通型）IGBT，采用力特专有的XPT™薄晶圆技术和最先进的第4代（GenX4™）沟槽IGBT流程研发，击穿电压为650V~1200V，具有低热阻、低能量损耗、快速切换、低尾电流和高电流密度等特点。此外，它们在短路条件下表现出绝佳的强度——10µs短路安全工作区(SCSOA)。

这些IGBT具有击穿电压高达650V的方形反向偏压安全工作区(RBSOA)，使其成为无缓冲硬开关应用的理想选择。其他特点包括正集电极发射极电压温度系数，这让设计人员可并联多个器件以满足高电流要求，低栅极电荷则有助于降低栅极驱动要求并减少开关损耗。

功能与特色：

· 较低的通态电压VCE(sat)

· 针对高速开关进行了优化（60kHz）

· 短路功能(10µs)

· 方形RBSOA

· 正热系数VCE(sat)

· 超快反并联二极管(Sonic-FRD™)

· 国际标准包装

优点：

· 硬开关功能

· 高功率密度

· 二极管正向电压的温度稳定性VF

· 较低的栅极驱动要求

应用：

· 电池充电器

· 灯镇流器

· 电机驱动器

· 电源逆变器

· 电源功率因数校正（PFC）电路

· 开关式电源

· 不间断电源（UPS）

· 焊接机

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本文由宝丁转载自Littelfuse，原文标题为:Trench 系列 - 650V - 1200V XPT™（超轻穿通型）IGBT，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

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