【产品】应能微推出的N沟道增强型功率场效应晶体管CM70R600P/F,采用高单元密度、高电压超级结技术
CM70R600P/F是应能微推出的具有高单元密度、高电压超级结技术的N沟道增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺和设计已经优化了开关性能,特别是为了最小化导通电阻。
等效电路和引脚配置
特点:
VDS:700V
ID(@VGS=10V):8A
RDSON(@VGS=10V):<600mΩ
高密度单元设计实现极低的RDSON
优异的导通电阻和直流电流能力
应用:
AC/DC负载开关
SMPS
LED电源
绝对最大额定值(Tc=25℃,除非另有说明)
电气特性(Tc=25℃,除非另有说明)
NOTE:
(1)脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%
(2)脉冲宽度受最大结温限制
(3)器件安装在FR-4 PCB上,1英寸x0.85英寸x0.062英寸。铺有2oz铜,t≤10s
(4)漏极电流受最高结温限制
标记信息
订购信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由浩哥的小锤锤翻译自应能微,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】500V/5A的N沟道增强型功率MOSFET SFF5N50TS/SFD5N50TS,采用平面条形VDMOS技术
SFF5N50TS/SFD5N50TS是Hi-Semicon推出的采用其专有的平面条形VDMOS技术生产的N沟道增强型功率场效应晶体管,分别采用TO-220F-3L和TO-252-2L封装,适用于功率因数校正、开关电源、不间断电源及LED照明电源等应用。
【产品】500V/3A的N沟道增强型MOSFET SFX3N50,采用TO-220F-3L和TO-252-2L封装
SFF3N50/SFD3N50是Hi-Semicon推出的采用其专有的平面条形VDMOS技术生产的N沟道增强型功率场效应晶体管,分别采用TO-220F-3L和TO-252-2L封装,适用于功率因数校正、开关电源、不间断电源及LED照明电源等应用。
【产品】500V 5A的N沟道功率MOSFET SFX5N50系列,适用于PFC、SMPS、UPS等领域
HI-SEMICON推出的500V 5A N沟道功率MOSFET SFX5N50系列采用先进技术制造,适用于需要高功率密度和出色效率的应用中,如功率因数校正(PFC) 、开关模式电源(SMPS) 、不间断电源(UPS)、LED照明电源等领域。
ICF BLF8N65 N 沟道增强型场效应晶体管
型号- ICF BLF8N65,ICF BLF8N65C-1AT,ICF BLF8N65F-1ATH,ICF BLF8N65L2-1AR,ICF BLF8N65C-1ATE,ICF BLF8N65C-1ATH,ICF BLF8N65F-1AT,ICF BLF8N65L2-1ARH
CSJD380R70N THRU CSJF380R70N 700V 11A 0.38Ω N 沟道增强型超结功率金属氧化物半导体场效应晶体管(CSJD380R70N THRU CSJF380R70N 700V 11A 0.38Ω N-channel Super-Junction Power MOSFET)
型号- CSJD380R70N,CSJF380R70N,CSJI380R70N
CSJD380R65N THRU CSJF380R65N 650V 11A 0.38Ω N 沟道增强型超结功率金属氧化物半导体场效应晶体管(CSJD380R65N THRU CSJF380R65N 650V 11A 0.38Ω N-channel Super-Junction Power MOSFET)
型号- CSJF380R65N,CSJD380R65N,CSJI380R65N
电子商城
品牌:长晶科技
品类:Plastic-Encapsulated MOSFET
价格:¥1.3750
现货: 70
品牌:长晶科技
品类:Plastic-Encapsulated MOSFET
价格:¥1.8750
现货: 0
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
测试范围:扬兴晶振全系列晶体,通过对晶体回路匹配分析,调整频率、驱动功率和起振能力,解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析,测完如有问题,会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址: 深圳 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论