【产品】25A/65V N沟道功率MOSFET DI025N06PT，QFN3x3微型封装可节省空间
DIOTEC（德欧泰克）推出型号为DI025N06PT的N沟道功率MOSFET，器件采用QFN3x3封装，具有通态电阻低，开关速度快，栅极电荷低等特点。最大额定值参数方面，TA=25℃时，漏-源电压为65V（VGS=0V，短接），持续栅-源电压为±20V，耗散功率为25W（TC=25℃），允许通过的漏极直流电流为25A（TC=25℃ ），漏极峰值电流为80A， 当VGS =10V，ID =8A时，其漏源通态电阻典型值为15.8mΩ，最大值为20mΩ，当VGS =4.5V，ID =5A时其漏源通态电阻最大值为30mΩ，工作结温和存储温度范围均为-55~+150℃，产品适用于电源管理单元，电池供电设备，负载开关，极性保护以及商业/工业级应用等领域。产品封装及尺寸图如下所示：
主要特征
微型封装，可节省空间
低剖面，封装高度低
低通态电阻
开关速度快
低栅极电荷
符合RoHS、REACH标准，以及Conflict Minerals的管理规定
典型应用
电源管理单元
电池供电设备
负载开关，极性保护
商业/工业级应用
机械参数
编带和卷盘包装：5000/13”
重量约0.1 g
外壳材料的阻燃等级：UL 94V-0
焊接和装配条件：260℃/10s，MSL（湿度敏感等级）=1级
最大额定值（TA=25℃，除非另外特殊标注）
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DIOTEC MOSFETs选型表
DIOTEC提供以下参数选型： Drain Source Voltage VDS[V]:-100~700、Drain Current ID[A]：-70~280、Junction Temperature Tjmax[℃]：150~175、Power Dissipation Ptot [W]：0.2~425、Peak Drain Current IDM [A]：-350~1200、Threshold Voltage VGSth[V]：-4~4.2、On-Resistance RDSon[Ω]：0.0013~15、On-Resistance ID[A]:-30~100、On-Resistance VGS[V]：-10~10、Turn-OnTime ton[ns]：3~1206、Turn-Off Time toff[ns]：7~991
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产品型号
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品类
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Type
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Package
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Drain Source Voltage VDS[V]
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Drain Current ID[A]
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Junction Temperature Tjmax[℃]
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Polarity pol
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Power Dissipation Ptot [W]
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Peak Drain Current IDM [A]
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Threshold Voltage VGSth[V]
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On-Resistance RDSon[Ω]
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On-Resistance ID[A]
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On-Resistance VGS[V]
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Turn-OnTime ton[ns]
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Turn-Off Time toff[ns]
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2N7000
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MOSFETs
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Wire-lead
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TO-92
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60
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0.2
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150
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N
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0.35
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0.5
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0.8
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5
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1
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10
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10
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10
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选型表 - DIOTEC 立即选型
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