【产品】30V P沟道功率MOSFET系列XTR2N0300,可降低漏电流,适合开关和线性应用

2023-01-01 EASII IC
P沟道功率MOSFET,XTR2N0325,XTR2N0300,XTR2N0350 P沟道功率MOSFET,XTR2N0325,XTR2N0300,XTR2N0350 P沟道功率MOSFET,XTR2N0325,XTR2N0300,XTR2N0350 P沟道功率MOSFET,XTR2N0325,XTR2N0300,XTR2N0350

XTR2N0300是一款30V的P沟道功率MOSFET系列,设计用于在宽温度范围内可靠工作。在-60℃至+230℃范围内保证了全部功能,但在低于和高于此温度范围也可实现良好工作。XTR2N0300系列器件采用绝缘体上硅(SOI)工艺制造,可降低漏电流,同时提供高漏极电流和低RDS(on)。这些特性使XTR2N0300器件非常适合开关和线性应用。

 

XTR2N0300系列器件旨在通过缩短学习曲线并提供智能且易于使用的功能来降低系统成本和易于采用。XTR2N0300系列器件采用坚固耐用的3引线TO257封装、8引线侧面钎焊DIP封装和带ePAD的8引线鸥翼扁平封装。器件也可提供作为测试的裸片。

 

特点:                                                                       

• 最小BVDSS=-30V

• 允许的VGS范围为-5.5V至+5.5V

• 可在-60℃至+230℃温度范围外工作

• 低RDS(on)

   o  XTR2N0325:1.05Ω@230℃

   o  XTR2N0350:0.48Ω@230℃

• 最大峰值ID

   o  XTR2N0325:7.5A@230℃

   o  XTR2N0350:16.5A@230℃

• 导通时间 (td(on)+tr):

   o  XTR2N0325:31纳秒@230℃

   o  XTR2N0350:38纳秒@230℃

• 关断时间(td(off)+tf):

   o  XTR2N0325:101纳秒@230℃

   o  XTR2N0350:121纳秒@230℃

• 坚固耐用的3引线TO257封装、8引线侧面钎焊DIP封装和带ePAD的8引线鸥翼扁平封装

• 也可作为裸片提供

 

应用:

• 对可靠性至关重要的,汽车,航空航天,井下

• DC/DC转换器,电源切换,电机控制,功率逆变器,功率线性调节器,电源

 

产品亮点:

    

订购信息:

 

绝对最大额定值

注意:超出“绝对最大额定值”中列出的应力可能会对设备造成永久性损坏。这些只是应力额定值,并不意味着设备在这些或任何其他条件下的功能超出了规范的操作部分所示的条件。长时间暴露在“绝对最大额定值”条件下可能会永久影响设备的可靠性。

 

封装

 

热特性

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
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产品型号
品类
Package
Operating Temperature
Minimum BVᴅss
RDS(ON)@230℃
Maximum Peak ID @230℃
XTR2N0325-TD
P-CHANNEL POWER MOSFETs
Tested Die
-60℃ to +230℃
-30V
1.05 Ω
7.5 A

选型表  -  EASII IC 立即选型

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产品型号
品类
Operating Temperature
Voltage on DRAIN to SOURCE(V)
Operating Junction Temperature Range
XTR20411-BD
晶体管
-60℃ to +230℃
-1.5V~45V
-70℃ to +300℃

选型表  -  EASII IC 立即选型

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