【产品】低导通电阻的N沟道SiC功率MOSFET SCT4036KRHR，耗散功率为176W
罗姆（ROHM）半导体集团是全球最知名的半导体厂商之一，其推出的SCT4036KRHR是一款汽车级N沟道SiC功率MOSFET，该器件具有导通电阻低、开关速度快、反向恢复快、易于并联、驱动简单等特点。在绝对最大额定值 (Tc=25℃)方面，其漏源电压为1200V，连续漏极电流（VGS=VGS_on）为43A（受限于最大Tvj 和Max. RthJC），耗散功率为176W。
在电气特性（Tvj=25℃）方面，该器件具有低静态漏源导通电阻，其RDS(on)（脉冲）典型值仅为36mΩ（VGS=18V, ID=21A，Tvj=25℃）。该器件采用TO-247-4L封装，无铅电镀，符合RoHS标准，可用于汽车、开关电源领域，其产品外形及内部电路如下图所示。
特点：
1)符合AEC-Q101
2)导通电阻低
3)开关速度快
4)反向恢复快
5)易于并联
6)驱动简单
7)无铅电镀，符合RoHS标准
应用：
• 汽车
• 开关电源
绝对最大额定值 (Tc=25℃)
注释：
*1 受限于最大Tvj 和Max. RthJC
*2 PW≤10μs，占空比≤1%
*3 仅适用于体二极管，重复脉冲，PW≤500ns，占空比≤5%
*4 用作保护功能时，PW≤10μs
*5 可接受的VGS波形示例
*6 请注意不要使用VGS低于10V的SiC-MOSFETs，否则可能会导致热失控
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