【产品】漏源电压750V的SiC功率MOSFET SCT4045DE,静态漏源导通电阻为45mΩ
ROHM推出的SCT4045DE是一颗有助于实现应用小型化和低功耗的SiC功率MOSFET,可在不牺牲短路耐受时间的情况下实现行业领先的低导通电阻,其静态漏源导通电阻典型值为45mΩ(VGS=18V,ID=17A,Tvj=25℃);产品开关速度快,漏源电压750V,连续漏源极电流34A(Tc=25℃)。该第4代SiC MOSFET的优点:与传统产品相比,导通电阻降低约40%,开关损耗降低约50%,15V的栅源电压使应用设计更容易。
图1. 产品外形
图2. 内部电路
产品特点:
• 低导通电阻
• 开关速度快
• 快速反向恢复
• 易于并联使用
• 驱动简单
• 无铅电镀
• 符合RoHS标准
主要规格:
• 型号:SCT4045DEC11
• 封装:TO-247N
• 包装数量:450
• 最小独立包装数量:30
• 包装形态:Tube
产品应用:
• 太阳能逆变器
• DC/DC转换器
• 开关电源
• 感应加热
• 马达驱动
绝对最大额定值:(Tamb=25℃,除非另有说明)
电气特性:(TA=25℃,除非另有说明)
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