【产品】漏源电压750V的SiC功率MOSFET SCT4045DE,静态漏源导通电阻为45mΩ

2022-03-24 ROHM
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ROHM推出的SCT4045DE是一颗有助于实现应用小型化和低功耗的SiC功率MOSFET,可在不牺牲短路耐受时间的情况下实现行业领先的低导通电阻,其静态漏源导通电阻典型值为45mΩ(VGS=18V,ID=17A,Tvj=25℃);产品开关速度快,漏源电压750V,连续漏源极电流34A(Tc=25℃)。该第4代SiC MOSFET的优点:与传统产品相比,导通电阻降低约40%,开关损耗降低约50%,15V的栅源电压使应用设计更容易。

图1.  产品外形


图2. 内部电路


产品特点:

• 低导通电阻

• 开关速度快

• 快速反向恢复

• 易于并联使用

• 驱动简单

• 无铅电镀

• 符合RoHS标准


主要规格:

• 型号:SCT4045DEC11

• 封装:TO-247N

• 包装数量:450

• 最小独立包装数量:30

• 包装形态:Tube


产品应用:

• 太阳能逆变器

• DC/DC转换器

• 开关电源

• 感应加热

• 马达驱动


绝对最大额定值:(Tamb=25℃,除非另有说明)


电气特性:(TA=25℃,除非另有说明)


授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
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  • 豆芽 Lv8. 研究员 2023-03-05
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