【产品】±30V N沟道和P沟道增强型功率MOSFET RM3075S8，采用SOP-8封装

时间： 2019-10-29 来源：丽正国际

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丽正国际推出的RM3075S8是一款增强型功率MOSFET芯片，集成一个P沟道增强型MOSFET和一个N沟道增强型MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术来提供出色的R_DS（ON）和低栅极电荷。 SOP-8封装普遍适用于所有商业工业表面贴装应用，并且适合逆变器、通用半桥以及低压应用（如DC / DC变换器）的高、低压侧开关。其引脚分布如图1所示。

图1 RM3075S8引脚分布

在环境温度为25°C时，RM3075S8的N沟道MOSFET漏源电压最大额定值为30V，栅源电压最大额定值为±20V，连续漏极电流最大额定值为6.8A，工作结温和储存温度范围为-55~150℃，结到环境的热阻为62.5℃/W；RM3075S8的P沟道MOSFET漏源电压最大额定值为-30V，栅源电压最大额定值为±20V，连续漏极电流最大额定值为-4.6A，工作结温和储存温度范围为-55~150℃，结到环境的热阻为62.5℃/W。

RM3075S8产品特性

•N-Channel

V_DS= 30V,I_D =6.8A

R_DS(ON)< 40mΩ@ V_GS=4.5V

R_DS(ON)< 27mΩ@ V_GS=10V

•P-Channel

V_DS = -30V,I_D = -4.6A

R_DS(ON) < 103mΩ@ V_GS=-4.5V

R_DS(ON)< 64mΩ@ V_GS=-10V

•高功率和电流处理能力

•无铅产品

•表面贴装

RM3075S8应用领域

•DC / DC变换器

•电源管理

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用户18396822 Lv8 2019-10-30

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