【产品】100V/5.4mΩ的N沟道SGT MOSFET AKG10N054PM，超低导通电阻，耗散功率最大为192W
瑶芯微推出型号为AKG10N054PM的N沟道SGT MOSFET，器件具有极低的导通电阻和超级出色的EAS特性，特别适用于BMS系统和电机驱动应用领域。
最大额定参数值方面（TA = 25℃），器件漏-源电压最大额定值为100V，持续漏极电流最大额定值高达120A（TC =25℃，最大漏极电流额定值受限于器件封装)，栅-源电压最大额定值为±20V，器件耗散功率最大额定值为192W（TC=25℃），器件工作温度和存储温度范围均宽至-55℃~+150℃。器件主要应用于电池管理系统，电机驱动器，DC-DC转换器等领域。
器件特征
低FOM RDS(ON) X QG
超低导通电阻
符合RoHS标准（详细信息，可联系ALKAIDSEMI销售）
无卤器件（详细信息，可联系ALKAIDSEMI销售）
器件应用领域
电池管理系统
电机驱动器
DC-DC转换器
最大额定值（TA= 25℃，除非另有说明）
热阻值
Note：
1.最大漏极电流额定值受限于器件封装
2.重复额定值：脉冲宽度受最高结温限制；
3. L=0.5mH, VDD=50V, IAS=30 A, RG=25Ω, TJ=25°C开始；
4.贴装在最小PCB板上；
电气参数（TJ = 25°C，除非另有说明）
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