【产品】100V/5.4mΩ的N沟道SGT MOSFET AKG10N054PM，超低导通电阻，耗散功率最大为192W

时间： 2023-01-04 来源：瑶芯微

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瑶芯微推出型号为AKG10N054PM的N沟道SGT MOSFET，器件具有极低的导通电阻和超级出色的E_AS特性，特别适用于BMS系统和电机驱动应用领域。

最大额定参数值方面（T_A = 25℃），器件漏-源电压最大额定值为100V，持续漏极电流最大额定值高达120A（T_C=25℃，最大漏极电流额定值受限于器件封装)，栅-源电压最大额定值为±20V，器件耗散功率最大额定值为192W（T_C=25℃），器件工作温度和存储温度范围均宽至-55℃~+150℃。器件主要应用于电池管理系统，电机驱动器，DC-DC转换器等领域。

器件特征

低FOM R_DS(ON) X Q_G
超低导通电阻
符合RoHS标准（详细信息，可联系ALKAIDSEMI销售）
无卤器件（详细信息，可联系ALKAIDSEMI销售）

器件应用领域

电池管理系统
电机驱动器
DC-DC转换器

最大额定值（T_A= 25℃，除非另有说明）

热阻值

Note：

1.最大漏极电流额定值受限于器件封装

2.重复额定值：脉冲宽度受最高结温限制；

3. L=0.5mH, V_DD=50V, I_AS=30 A, R_G=25Ω, T_J=25°C开始；

4.贴装在最小PCB板上；

电气参数（T_J = 25°C，除非另有说明）

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