【产品】500V/5A的N沟道MOSFET SLD5N50S / SLU5N50S，导通电阻为1.12Ω
美浦森（Maplesemi）推出的N沟道MOSFET SLD5N50S和SLU5N50S，是利用先进的平面条形DMOS技术生产的功率场效应管，分别采用D-PAK和I-PAK封装。这项先进的技术是专为尽可能减小导通电阻、提供出色的开关性能以及在雪崩和换相模式下能够承受高能量脉冲所设计的。适用于高效率开关电源和基于半桥拓扑的有源功率因数校正等应用。
主要特性：
5A，500V，RDS(ON)typ =1.12Ω@ VGS=10V
低栅极电荷（典型值22nC）
高鲁棒性
快速开关切换
100%雪崩测试
改进的dv/dt能力
表1 最大额定值
表2 热阻值
表3 电气特性
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美浦森VDMOS选型表
提供美浦森VDMOS选型，击穿电压200V-800V,正向电流 2A-40A,导通电阻低至0.1。
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产品型号
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品类
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封装
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击穿电压
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正向电流
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导通电阻
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SLD2N65UZ
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N-Channel MOSFET
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TO-252
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BVDSS:650V
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ID:2A
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RDS(ON)TYP：4.3Ω
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
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