【产品】高电流、高能效的N沟道增强型MOSFET，能量敏感型应用理想选择
CMPDM203NH是Central半导体公司推出的一款N沟道增强型MOSFET，器件封装在符合行业标准的SOT-23F中，拥有高电流能力和高能效等优点。高电流、低栅极电荷和低导通电阻的组合，使得该器件成为需要更高漏极电流的能量敏感型应用的理想选择。
CMPDM203NH拥有较低的RDS（ON）（0.033Ω），栅极电荷Qgs 为 0.8nC，使得器件拥有较小的开关损耗和较高的效率。它的存储温度范围为-55℃~150℃，操作结温为150℃，提高了其在大功率整流电路设计中的可靠性。漏源电压VDS最小为20V，栅源电压VGS（th） 最大为1.2V，使得作用于半导体表面的电场较强，导电沟道较厚，沟道电阻较小。连续漏极电流（稳态）ID最大为 3.2A，功耗最大为350mW，节能高效。此外，它还有着较快的开关速度，ton 仅 6.0ns。VDS随ID的变化曲线如图一所示。
图一：CMPDM203NH输出特性曲线
CMPDM203NH的主要特征：
• 低RDS（ON）=0.033Ω@ VGS = 4.5V
• 大电流ID= 3.2A
• 低栅极电荷Qgs = 0.8nC
CMPDM203NH的主要应用：
• 负载/电源开关
• 电源转换器电路
• 电池供电的便携式设备
• 电机控制
图二：CMPDM203NH样品示意图
技术顾问：陈琪
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