【产品】高电流、高能效的N沟道增强型MOSFET，能量敏感型应用理想选择

时间： 2017-10-17 来源：Central（世强编辑整理）

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CMPDM203NH是Central半导体公司推出的一款N沟道增强型MOSFET，器件封装在符合行业标准的SOT-23F中，拥有高电流能力和高能效等优点。高电流、低栅极电荷和低导通电阻的组合，使得该器件成为需要更高漏极电流的能量敏感型应用的理想选择。

CMPDM203NH拥有较低的R_DS（ON）（0.033Ω），栅极电荷Q_gs 为 0.8nC，使得器件拥有较小的开关损耗和较高的效率。它的存储温度范围为-55℃~150℃，操作结温为150℃，提高了其在大功率整流电路设计中的可靠性。漏源电压V_DS最小为20V，栅源电压V_GS（th）最大为1.2V，使得作用于半导体表面的电场较强，导电沟道较厚，沟道电阻较小。连续漏极电流（稳态）I_D最大为 3.2A，功耗最大为350mW，节能高效。此外，它还有着较快的开关速度，ton 仅 6.0ns。V_DS随I_D的变化曲线如图一所示。

图一：CMPDM203NH输出特性曲线

CMPDM203NH的主要特征：

• 低R_DS（ON）=0.033Ω@ V_GS = 4.5V

• 大电流I_D= 3.2A

• 低栅极电荷Q_gs = 0.8nC

CMPDM203NH的主要应用：

• 负载/电源开关

• 电源转换器电路

• 电池供电的便携式设备

• 电机控制

图二：CMPDM203NH样品示意图

技术顾问：陈琪

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全部评论（12）

拼命三郎 Lv6. 高级专家 2018-09-06

不错，好资料
海绵宝宝 Lv7. 资深专家 2018-02-07

小封装的产品
我的名字 Lv7. 资深专家 2017-12-31

学习学习
采与购 Lv3. 高级工程师 2017-12-30

很好
用户20602056 Lv3. 高级工程师 2017-12-26

好

崽崽 Lv6. 高级专家 2017-12-15

mosfet高电流
梅西 Lv6. 高级专家 2017-11-29

不错
Mini Lv7 2017-11-26

已收藏学习
我就是我 Lv7. 资深专家 2017-11-18

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大乔 Lv4. 资深工程师 2017-10-22

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