【产品】超高阈值电压耗尽型功率MOSFET DMZ0622E/ DMX0622E，输入电压可高达70V

时间： 2022-05-13 来源：方舟微

技术问答

DMZ0622E/ DMX0622E是方舟微（ARK）推出的超高阈值电压耗尽型功率MOSFET，DMZ0622E是一种宽范围电压（高达70V）调节器。其输入电压可高达70V，并可根据不同的工作条件提供约11V-23V的稳定输出电压。它非常适合具有可变充电输出电压（5V-20V）的快充（QC4.0）/Type C PD充电器应用。

通过使用亚阈值特性，耗尽型MOSFET DMZ0622E可以为负载提供稳定的供电，并且输出电压可由内部钳位，无需齐纳二极管。

DMZ0622E能承受高达70V的宽电压输入，并能为负载提供合适的电压。这些特性适合快充（QC4.0）/Type C PD充电器的应用，其PWM控制IC需要稳定的电压供电。

产品外观和示意图

特点：

改进的ESD能力

耗尽型（常开型）

专有的高级平面技术

专有的高级超高阈值电压技术

符合RoHS标准

无卤素

应用：

快充(QC4.0)/Type C PD充电器或适配器

电流源

电压源

绝对最大额定参数（T_A=25℃，除非另有说明）：

热特性：

主要电气特性（T_A=25℃，除非另有说明）：

订购信息：

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由小背篓翻译自方舟微，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【产品】4开关N沟道功率MOSFET PL1303N04，漏源电压40V，连续漏极电流25A

PL1303N04是宝砾微推出的4开关N沟道功率MOSFET，采用QFN6*6-40L封装。产品具有较强的体二极管dv/dt能力和雪崩强度，经过100％的UIS测试和Rg测试，适用于DC-DC转换等。

新产品发布时间 : 2020-06-28

【产品】40V，60A的N沟道功率MOSFET，零门极电压漏电流最大仅1uA

新电元的P60B4EL是一款N沟道功率MOSFET，其导通延迟时间td（on)典型值为10ns，静态漏源导通电阻R（DS）ON典型值仅为4.6mΩ（ID＝30A,VGS＝4.5V），主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、能源管理、电机驱动等应用。

新产品发布时间 : 2018-03-10

【产品】N沟道表面贴装功率MOSFET器件P240FZ4QLA，漏源电压为40V，直流连续漏极电流为240A

Shindengen（新电元）公司推出的P240FZ4QLA是一款表面贴装（SMD）功率MOSFET器件，具有低电容、低静态漏源导通电阻、大电流等特点。该功率MOSFET的栅极驱动电压为4.5V，漏源电压为40V，栅源电压为±20V，直流连续漏极电流为240A，峰值连续漏极电流为720A（脉冲宽度10μs, 占空比1/100）。

新产品发布时间 : 2020-11-06

【技术】解析N沟道耗尽型功率MOSFET及其应用优势

本文方舟微将介绍目前行业最新的N沟道耗尽型功率MOSFET及其应用优势，同时与应用工程师共同探讨关于Depletion-Mode MOSFET在不同应用环境中的选型问题。

技术探讨发布时间 : 2022-12-29

【产品】漏源电压650V的N沟道碳化硅功率MOSFET WM2A020065K，导通电阻典型值20mΩ

中电国基南方推出WM2A020065K的N沟道碳化硅功率MOSFET，采用TO-247-3封装，漏源电压最大额定值为650V，连续漏极电流为92A，RDS(on)的典型值为20mΩ。用于电动汽车充电，服务器电源，太阳能光伏逆变器，UPS等领域。

产品发布时间 : 2023-03-01

轻松了解功率MOSFET的雪崩效应

在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源[敏感词]子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。

设计经验发布时间 : 2024-05-31

DMD4523E Depletion-Mode Power MOSFET

型号- DMD4523E

数据手册 - 方舟微 - Rev.1.1 - May. 2022 PDF 英文下载查看更多版本

DMZ1315EL/DMX1315EL UltraVt® Depletion-Mode Power MOSFET

型号- DMZ1315EL,DMX1315EL

数据手册 - 方舟微 - Rev. 1.0 - Mar. 2022 PDF 英文下载查看更多版本

双芯片P沟道功率MOSFET AKF20P45D导通电阻低至35mΩ，提供高达2500V的ESD保护能力

成都方舟微电子最近又推出新款器件双芯片 20V P 沟道功率MOSFET—AKF20P45D。新器件采用紧凑的 DFN2X2 封装，不仅有优秀的散热能力，还具有业界最低的导通电阻：在 4.5V 栅源电压下提供35mΩ 超低导通电阻。同时该器件还有非常高的可靠性，能达到至少2500V 的 ESD 保护能力。

产品发布时间 : 2023-11-11

CX1015/Ultrahigh Threshold Voltage Depletion- Mode Power MOSFET

型号- CX1015

数据手册 - 诚芯微 - 2022/5/24 PDF 英文下载

DMZ1015E/DMX1015E Ultrahigh Threshold Voltage Depletion-Mode Power MOSFET

型号- DMX1015E,DMZ1015E

数据手册 - 方舟微 - Rev. 2.4 - May. 2022 PDF 英文下载查看更多版本

【产品】超高阈值电压耗尽型功率MOSFET DMZ1015E/DMX1015E，可用于快充、电流源和电压源

DMZ1015E/DMX1015E是方舟微超高阈值电压耗尽型功率MOSFET，采用专有超高阈值电压技术开发和制造。通过使用亚阈值特性，耗尽型MOSFET可以为负载提供稳定的功率，并且可以在不使用齐纳二极管的情况下由内部钳位保护负载，并且降低了电路损耗。

产品发布时间 : 2022-05-27

Si8286应用在驱动IGBT电路中，其Vce检测功能内部电流源输出电流能力有多大？如何实现IGBT退饱和的保护功能？

Si8286CD的DESAT检测功能内部电流源为250uA，在IGBT出现退饱和故障时，电流源给消隐电容充电，当电压超过内部基准电平后，拉低驱动电平，关断IGBT。该电流源的电流比hcpl-316j的150uA要大一些，在变频器内复杂的电磁环境中抗干扰性能会更好。

技术问答发布时间 : 2017-05-05

DMZ0622E/ DMX0622E Ultrahigh Threshold Voltage Depletion-Mode Power MOSFET

型号- DMX1015E,DMX0622E,DMZ0615E,DMX0615E,DMZ0622E

数据手册 - 方舟微 - Rev.2.2 - May. 2020 PDF 英文下载

【产品】SLKOR推出的N沟道和P沟道互补功率MOSFET SL607B，额定耗散功率为15W

SLKOR推出的N沟道和P沟道互补功率MOSFET，采用了Trench Power LV MOSFET技术和低RDS(ON) 的高密度单元设计，可以进行高速开关，TA=25℃时的绝对最大额定值方面，N沟道MOSFET漏源电压为30V，P沟道MOSFET漏源电压为-30V，可用于无线充电器，负载开关和电源管理。

产品发布时间 : 2023-06-18