【产品】支持片上ESD保护的高增益功率放大器GSP1P904AL，集成有源偏置电路以补偿功率放大器
时代速信的GSP1P904AL是一款具有高功率附加效率（PAE）和线性度的高增益功率放大器（PA）。该产品与50Ω系统完全输入输出匹配。紧凑的5x5mm PA专为1.8~1.9GHz的FDD和TDD 2G/3G/4G LTE小蜂窝基站设计。集成有源偏置电路以补偿功率放大器。
特征
⚫ 高效率：PAE=31.5%@+28 dBm
⚫ 高线性度：+28 dBm与<-50 dBc线性化ACPR（40 MHz LTE，8.5分贝PAR信号）
⚫ 高增益：38 dB@+28 dBm
⚫ 优越的输入和输出回波损耗
⚫ 集成使能开/关功能：PAEN=2V
⚫ 片上ESD保护
⚫ 紧凑型封装：16针，5 x 5 x 0.85毫米
相关参数
应用
⚫ FDD和TDD 2G/3G/4G LTE系统
⚫ 3GPP频段3和9小蜂窝基站
⚫ 用于微基站和宏基站的驱动放大器
⚫ 有源天线阵与大规模MIMO
订购信息
⚫ GSP1P904AL
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SGM33685C 350MHz至510MHz高线性度功率放大器
描述- SGM33685C是一款350MHz至510MHz的高线性度功率放大器，采用先进的InGaP/GaAs HBT工艺，具有高线性度、高效率和良好的鲁棒性。该产品适用于多种无线通信应用，包括中继器、ISM频段PA和LTE微基站。
型号- SGM33685CGTQ16G/TR,SGM33685C
【技术】无线设计中LNA和PA的基本原理
对性能、微型化和更高频率运行的推动正在挑战无线系统的两个关键天线连接元器件的限制：功率放大器(PA) 和低噪声放大器(LNA)本文将介绍LNA和PA的作用和要求及其主要特性，然后介绍典型的GaAs和GaN器件以及在利用这些器件进行设计时应牢记的事项。
效率达到77%、增益达20dB的国产GaN PA，效率比LDMOS PA提升10%
时代速信研发出以氮化镓为材料（第三代半导体）的功率放大器(PA)。与LDMOS PA相比，效率提升10%；GaN系列PA效率达到77%，增益达20dB；SDSX GaN系列产品可与国际友商PIN-TO-PIN兼容，性能指标完全替代。
H9G4850M12Q 12W，4.8-5.0 GHz Doherty放大器
描述- 该资料为H9G4850M12Q 12W, 4.8-5.0 GHz Doherty功率放大器（PA）的产品数据表。介绍了该产品的特性、典型性能、绝对最大额定值、电气规格、射频特性、热信息、参考设计、引脚配置与描述、封装标记与尺寸、包装信息和处理注意事项。
型号- H9G4850M12Q,H9G4850M12QEVB
GSP702AQ 2.0–4.2 GHz 0.5 W线性驱动放大器
描述- 该资料介绍了GSP702AQ是一款宽频带、高增益和高线性度的驱动放大器。它提供高达36.5dB的增益，并在2.6GHz处达到28.5dBm的峰值功率。该放大器适用于5G NR信号的宽带信号，具有良好的DPD线性度性能，特别适合于m-MIMO应用。GSP702AQ采用16引脚3x3mm QFN封装，并具备外部匹配至50Ω的功能。
型号- GSP702AQ
CB6317 2496至2690 MHz宽瞬时带宽高效率功率放大器
描述- CB6317是一款适用于FDD和TDD 4G LTE及5G系统的宽带高效率功率放大器（PA），工作频率范围为2496至2690 MHz。该器件具有宽瞬时带宽、高增益、线性度好等特点，并集成了主动偏置电路以补偿温度、电压和生产过程中的性能变化。
型号- CB6317
H9G1819M10Q 10W，1.805-1.88 GHz Doherty放大器
描述- 该资料为WATECH公司生产的H9G1819M10Q型号10W、1.805-1.88 GHz Doherty功率放大器（PA）的产品数据手册。该产品适用于蜂窝基站应用，具有高效率、高增益等特点，并提供了详细的电气规格、典型性能、封装尺寸和应用信息。
型号- H9G1819M10Q,H9G1819M10QEVB
5G小站射频前端芯片解决方案
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电子商城
现货市场
服务
支持GSM / GPRS 等多种制式产品的射频测试，覆盖所有上行和下行的各项射频指标，包括频差、相差、调制、功率、功控、包络、邻道泄漏比、频谱、杂散、灵敏度、同道干扰、邻道干扰、互调、阻塞等等。满足CE / FCC / IC / TELEC等主流认证的射频测试需求。
实验室地址： 深圳 提交需求>
可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm；笔电D8热管打扁厚度1.0mm，可解40W热量；高功率D10热管可解60W热量。
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