【经验】8位MCU EFM8SB2擦除Flash会复位的解决方法
SILICON LABS的EFM8SB2是最节能的小封装8位MCU。采用高效的8051内核，最低睡眠电流为50nA，功耗可达170μA/MHz，可应用手持设备、电池驱动式消费电子设备、传感器接口等。
EFM8SB2内部集成最大64KB的Flash，程序可以直接操作，用于存储数据。但是某些应用中，使用库函数void FLASH_PageErase (FLADDR addr)擦除Flash，出现MCU复位的情况。是什么原因导致的这种情况呢？
开发者的习惯，一般是将数据存储到Flash的最后一页，以免占用程序空间。但从手册中可以看到，芯片的Flash最后一页空间为Security Page，共1024个字节的空间，其中包含Lock Byte字节，用于给其他块Flash空间加锁，如图1所示：
图1 Flash空间分布
从图2中可以看出，Security Page空间不能使用程序进行擦除。如果进行擦除操作，就会触发Flash错误复位，导致重启MCU。
图2 Flash操作限制
综上所述，我们可以将不需要修改的数据，存储到最后一块Flash空间。如果数据需要修改，可以避开最后一块，将数据存储到倒第二块Flash空间，该空间可以正常的实现擦除、读、写操作。
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