【产品】700V/8A N沟道超结功率MOSFET RM8N700IP和RM8N700LD，适用于高压器件
丽正国际推出的RM8N700LD和RM8N700IP是两款N沟道超结功率MOSFET，该系列器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计，具有低栅极电荷和低导通电阻RDS（ON）的优点，符合行业对PFC、AC / DC转换器和工业电源应用的AC-DC SMPS要求。在Tc=25°C时，RM8N700LD和RM8N700IP漏源电压最大额定值为700V，栅源电压最大额定值为±30V，漏极连续电流最大额定值为8A，工作时结温和储存温度范围为-55~150℃，结到环境热阻为62℃/W（最大值）。RM8N700IP和RM8N700LD产品图及封装如图1所示。
图1 RM8N700IP和RM8N700LD产品图及封装
RM8N700IP和RM8N700LD产品特性
•VDS =700V , ID =8A ， RDS(ON)=540mΩ（典型值）
•用于高压器件的新技术
•低导通电阻和低传导损耗
•小封装
•超低栅极电荷，驱动要求更低
•经过100％雪崩测试
•符合ROHS
•无卤素
RM8N700IP和RM8N700LD应用领域
•功率因数校正（PFC）
•开关电源（SMPS）
•不间断电源(UPS)
RM8N700IP和RM8N700LD订购信息
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