【产品】700V/8A N沟道超结功率MOSFET RM8N700IP和RM8N700LD，适用于高压器件
丽正国际推出的RM8N700LD和RM8N700IP是两款N沟道超结功率MOSFET，该系列器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计，具有低栅极电荷和低导通电阻RDS（ON）的优点，符合行业对PFC、AC / DC转换器和工业电源应用的AC-DC SMPS要求。在Tc=25°C时，RM8N700LD和RM8N700IP漏源电压最大额定值为700V，栅源电压最大额定值为±30V，漏极连续电流最大额定值为8A，工作时结温和储存温度范围为-55~150℃，结到环境热阻为62℃/W（最大值）。RM8N700IP和RM8N700LD产品图及封装如图1所示。
图1 RM8N700IP和RM8N700LD产品图及封装
RM8N700IP和RM8N700LD产品特性
•VDS =700V , ID =8A ， RDS(ON)=540mΩ（典型值）
•用于高压器件的新技术
•低导通电阻和低传导损耗
•小封装
•超低栅极电荷，驱动要求更低
•经过100％雪崩测试
•符合ROHS
•无卤素
RM8N700IP和RM8N700LD应用领域
•功率因数校正（PFC）
•开关电源（SMPS）
•不间断电源(UPS)
RM8N700IP和RM8N700LD订购信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 4
本文由cucumber翻译自丽正国际，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】上海贝岭推出硅N沟道增强型功率MOSFET BLS65R380，适用于高频开关电源
BLS65R380是上海贝岭推出的一款硅N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的超结技术，可降低导通损耗，提高开关性能。 该晶体管适用于SMPS、高速开关和通用应用场合。
【产品】700V/15A N沟道超结功率MOSFET RM15N700TI、RM15N700T2、RM15N700HD
丽正国际推出的N沟道超结功率MOSFET， 三种型号分别为RM15N700TI，RM15N700T2，RM15N700HD，该产品采用先进的沟槽栅极超结技术，具有超低导通电阻和低栅极电荷，该产品适用于具有PFC功能的AD-DC SMPS，AC/DC电源转换器和工业电力供应系统中。
【产品】N沟道超结功率MOSFET RM18N200TI(T2)(HD)，具有低栅极电荷和低导通电阻的优点
丽正国际推出的RM18N200HD、RM18N200T2、RM18N200TI系列是N沟道超结功率MOSFET，该系列器件采用先进的超级结技术和设计，具有低栅极电荷和低RDS（ON）的优点，符合行业对PFC、AC / DC转换器和工业电源应用的AC-DC SMPS要求。在TC=25°C时，该系列MOSFET漏源电压最大额定值为200V，栅源电压最大额定值为±20V。
CWS20N60A 600V N沟道超级结功率MOSFET
该资料介绍了Xinyuan半导体生产的CWS20N60A型600V N-Channel Super Junction功率MOSFET。这种器件采用超结技术设计，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于电源因子校正（PFC）、开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、高性能适配器和LED照明等领域。
武汉芯源 - N沟道超结功率MOSFET,N-CHANNEL SUPER JUNCTION POWER MOSFET,SJ MOSFET,SJ-MOSFET,CWS20N60AF,CWS20N60AZ,CWS20N60A,CWS20N60AC,高性能适配器,SWITCHED MODE POWER SUPPLIES,开关模式电源,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,POWER FACTOR CORRECTION,LED LIGHTING POWER,LED LIGHTING,PFC,LED照明,全氟化碳,功率因素矫正,不间断电源,UPS,HIGH PERFORMANCE ADAPTER,SMPS,LED照明电源
AT18NF65S N沟道超级结功率MOSFET
AT18NF65S是一款650V N-Channel Super Junction Power MOSFET，具有优化的体二极管反向恢复性能、低导通电阻和低传导损耗，以及超低栅极电荷，适用于功率因数校正（PFC）、开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和LLC半桥等应用。
安邦 - N沟道超结功率MOSFET,N-CHANNEL SUPER JUNCTION POWER MOSFET,AT18NF65S,LLC半桥,LLC HALF-BRIDGE,SWITCHED MODE POWER SUPPLIES,开关模式电源,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,UPS,SMPS
SIF65R600 N-沟道超级结功率MOS管 (SIF65R600 N-CHANNEL SUPER JUNCTION POWER MOSFET)
本资料介绍了深圳深爱半导体股份有限公司生产的N沟道超级结功率MOSFET产品SIF65R600。该产品采用新型高压器件技术，具有低导通电阻和低传导损耗的特点，适用于功率因数校正（PFC）、开关电源（SMPS）和不间断电源（UPS）。产品经过100%雪崩测试，符合RoHS规范。
深爱半导体 - N沟道超结功率MOSFET,N-沟道超级结功率MOS管,N-CHANNEL SUPER JUNCTION POWER MOSFET,SIF65R600 TO-220FP-TU-HF,SIF65R600 TO-220FP-TU,SIF65R600 TO-262-TU,SIF65R600 TO-263-TU,SIF65R600 TO-263-TR-HF,SIF65R600,SIF65R600 TO-263-TR,SIF65R600 TO-262-TU-HF,SIF65R600 TO-220-TU,SIF65R600 TO-220-TU-HF,SIF65R600 TO-263-TU-HF,开关电源（SMPS）,UPS电源,POWER FACTOR CORRECTION (PFC),功率因数校正(PFC),开关模式电源（SMPS）,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY(UPS),功率因数校正（PFC）,SWITCHED MODE POWER SUPLIES(SMPS),不间断电源（UPS）
NCE65TF130T N沟道超级结功率MOSFET III
该资料介绍了NCE65TF130T型号的N通道超级结功率MOSFET。这种器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计，提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于AC-DC SMPS、PFC、AC/DC电源转换和工业电力应用。
NCE - N沟道超结功率MOSFET,N-CHANNEL SUPER JUNCTION POWER MOSFET,NCE65TF130T,LLC HALF-BRIDGE,SWITCHED MODE POWER SUPPLIES,开关模式电源,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,UPS,有限责任公司半桥,SMPS
APR036N65S N沟道超级结功率MOSFET
本资料介绍了APR036N65S型N通道超级结功率MOSFET的特性。该器件采用新技术，具有低导通电阻和传导损耗，适用于高电压设备。它具备良好的散热性能，广泛应用于电源因数校正（PFC）、开关模式电源（SMPS）和不间断电源（UPS）。资料还提供了绝对最大额定值、电气特性、典型特性和TO-247AB封装信息。
安邦 - N沟道超结功率MOSFET,N-CHANNEL SUPER JUNCTION POWER MOSFET,APR036N65S,SWITCHED MODE POWER SUPPLIES,开关模式电源,功率因素矫正,全氟化碳,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER FACTOR CORRECTION,UPS,SMPS,PFC
AFT109N65S N沟道超级结功率MOSFET
本资料介绍了AFT109N65S型N通道超级结功率MOSFET的特性。该器件具有优化的体二极管反向恢复性能，低导通电阻和传导损耗，适用于电源因子校正（PFC）、开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和LLC半桥等应用。
安邦 - N沟道超结功率MOSFET,N-CHANNEL SUPER JUNCTION POWER MOSFET,AFT109N65S,LLC半桥,LLC HALF-BRIDGE,SWITCHED MODE POWER SUPPLIES,开关模式电源,功率因素矫正,全氟化碳,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER FACTOR CORRECTION,UPS,SMPS,PFC
【产品】漏源电压650V的N沟道超结功率MOSFET AM2065H
AiT公司的N沟道超结功率MOSFET AM2065H，该系列器件采用先进的超级结技术和设计，以低栅极电荷提供出色的RDS（ON），漏源极电压650V，栅源极电压±30V。
【产品】漏源电压600V的N沟道超结功率MOSFET CWH60R070A，具备快速开关能力
武汉芯源推出600V N沟道超结功率MOSFET CWH60R070A，是高电压功率MOSFET的先进技术，是由P＆S根据超级结原理设计的；具有快速开关和低导通电阻的优点，使得其十分适合需要更高效率、更紧凑、更轻的高性能适配器等方面的应用。
AT38N65S N沟道超级结功率MOSFET
本资料介绍了AT38N65S型N通道超级结功率MOSFET的特性。该器件具有650伏的耐压能力，低导通电阻和优化体二极管反向恢复性能，适用于电源因子校正（PFC）、开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和LLC半桥等应用。
安邦 - N沟道超结功率MOSFET,N-CHANNEL SUPER JUNCTION POWER MOSFET,AT38N65S,LLC半桥,LLC HALF-BRIDGE,SWITCHED MODE POWER SUPPLIES,开关模式电源,功率因素矫正,全氟化碳,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER FACTOR CORRECTION,UPS,SMPS,PFC
DHFSJ15N65 15A 650V N沟道超级结功率MOSFET
该资料介绍了DHFSJ15N65型N沟道增强型VDMOSFET的特性及应用。该器件采用先进的超结技术设计，具有低导通电阻和低栅极电荷的特点，符合RoHS标准。主要应用于功率因数校正（PFC）、开关电源（SMPS）和不间断电源（UPS）等领域。
WXDH ELECTRONICS - N沟道超结功率MOSFET,N沟道增强型VDMOSFET,N-CHANNEL ENHANCED VDMOSFETS,N-CHANNEL SUPER JUNCTION POWER MOSFET,DHFSJ15N65,SWITCHED MODE POWER SUPPLIES,开关模式电源,功率因素矫正,全氟化碳,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER FACTOR CORRECTION,UPS,SMPS,PFC
DHFSJ17N65 17A 650V N沟道超级结功率MOSFET
本资料介绍了DHFSJ17N65型N通道增强型VDMOSFET的特性及应用。该器件采用先进的超结技术设计，具有低导通电阻和低栅极电荷的特点，符合RoHS标准。主要应用于功率因数校正（PFC）、开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）以及AC到DC转换器等领域。
WXDH ELECTRONICS - N沟道超结功率MOSFET,N沟道增强型VDMOSFET,N-CHANNEL ENHANCED VDMOSFETS,N-CHANNEL SUPER JUNCTION POWER MOSFET,DHFSJ17N65,电信,SOLAR,SWITCHED MODE POWER SUPPLIES,开关模式电源,POWER FACTOR CORRECTION,LED LIGHTING POWER,PFC,TELECOM,AC TO DC CONVERTERS,TV POWER,功率因素矫正,全氟化碳,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,电视电源,UPS,交流-直流变换器,太阳的,SMPS,LED照明电源
AT21NF65S N沟道超级结功率MOSFET
本资料介绍了AT21NF65S型N-Channel Super Junction Power MOSFET的特性。该器件具有650V的耐压能力，低导通电阻和优异的热散性能，适用于功率因数校正、开关电源和不间断电源等领域。
安邦 - N沟道超结功率MOSFET,N-CHANNEL SUPER JUNCTION POWER MOSFET,AT21NF65S,SWITCHED MODE POWER SUPPLIES,功率因素矫正,开关模式电源,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER FACTOR CORRECTION
电子商城
现货市场
服务
可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm；笔电D8热管打扁厚度1.0mm，可解40W热量；高功率D10热管可解60W热量。
最小起订量： 10000 提交需求>
可定制ATP TE Cooler的冷却功率：40~200W；运行电压：12/24/48V(DC)；控温精度：≤±0.1℃； 尺寸：冷面：20*20~500*300；热面：60*60~540*400 （长*宽；单位mm）。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
查看全部3条回复