【产品】700V/8A N沟道超结功率MOSFET RM8N700IP和RM8N700LD，适用于高压器件

时间： 2019-11-18 来源：丽正国际

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丽正国际推出的RM8N700LD和RM8N700IP是两款N沟道超结功率MOSFET，该系列器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计，具有低栅极电荷和低导通电阻R_DS（ON）的优点，符合行业对PFC、AC / DC转换器和工业电源应用的AC-DC SMPS要求。在Tc=25°C时，RM8N700LD和RM8N700IP漏源电压最大额定值为700V，栅源电压最大额定值为±30V，漏极连续电流最大额定值为8A，工作时结温和储存温度范围为-55~150℃，结到环境热阻为62℃/W（最大值）。RM8N700IP和RM8N700LD产品图及封装如图1所示。

图1 RM8N700IP和RM8N700LD产品图及封装

RM8N700IP和RM8N700LD产品特性

•V_DS =700V , I_D =8A ， R_DS(ON)=540mΩ（典型值）

•用于高压器件的新技术

•低导通电阻和低传导损耗

•小封装

•超低栅极电荷，驱动要求更低

•经过100％雪崩测试

•符合ROHS

•无卤素

RM8N700IP和RM8N700LD应用领域

•功率因数校正（PFC）

•开关电源（SMPS）

•不间断电源(UPS)

RM8N700IP和RM8N700LD订购信息

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全部评论（4）

大欢哥 Lv7 资深专家 2019-11-19

丽正国际推出的RM8N700LD和RM8N700IP，适用于高压器件，高压是不是对散热要求很高？
- Memory回复：您好，MOS发热，主要是和MOS管导通电阻以及实际运用时的电流值有关。
  查看全部3条回复
伟大大 Lv5. 技术专家 2019-11-19

学习
加一 Lv7. 资深专家 2019-11-19

学习
大欢哥 Lv7. 资深专家 2019-11-19

高压是不是对散热要求很高

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