【产品】SOT523封装的N沟道增强型MOSFET RM3134S5,连续漏极电流可达0.75A
RM3134S5 是丽正国际推出的SOT523封装N沟道增强型MOSFET,采用先进的沟槽工艺技术,漏源击穿电压为20V,拥有较低的RDS(on)(380mΩ@4.5V,450mΩ@2.5V,800mΩ@1.8V), 连续漏极电流0.75A @TA=25℃,脉冲漏极电流1.8A,耗散功率为280mW。适合于接口开关,负载开关,逻辑电平转换等应用。
实物及等效电路
特性
先进的沟槽工艺技术
无铅产品
ESD防护可达2.0kV(HBM)
无卤素
应用
接口开关
负载开关
逻辑电平转换
最大额定值(@TA=25℃,除非另有说明)
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