【产品】SOT523封装的N沟道增强型MOSFET RM3134S5，连续漏极电流可达0.75A
RM3134S5 是丽正国际推出的SOT523封装N沟道增强型MOSFET，采用先进的沟槽工艺技术，漏源击穿电压为20V，拥有较低的RDS(on)（380mΩ@4.5V，450mΩ@2.5V，800mΩ@1.8V）， 连续漏极电流0.75A @TA=25℃，脉冲漏极电流1.8A，耗散功率为280mW。适合于接口开关，负载开关，逻辑电平转换等应用。
实物及等效电路
特性
先进的沟槽工艺技术
无铅产品
ESD防护可达2.0kV（HBM）
无卤素
应用
接口开关
负载开关
逻辑电平转换
最大额定值（@TA=25℃，除非另有说明）
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