华为联合槟城电子面向66W氮化镓超薄充电器推出MOV+GDT充电器防雷方案，领先业界常规方案130%
&nBSp;9月23日晚，在华为nova9系列发布会上，华为还带来了一款66W氮化镓超薄充电器，充电头网对该款充电器进行了拆解并给出报告。
该充电器厚度仅为10.4mm，整机功率密度约为1.85W/cm³，是大部分同功率氮化镓快充的2倍以上。
这款充电器采用的氮化镓芯片是来自意法半导体的MASTERGAN1，这是一颗半桥氮化镓芯片，内置两颗GaN功率器件以及驱动器，采用9*9*1mm的QFN封装，集成度非常高。650V耐压，150mΩ导阻，工作电流10A。由于该充电器超小且超薄，功率密度大，所以采用了新型第三代半导体GaN功率器件，并工作在高频开关模式，电感/变压器小型化的同时，母线电容也就只需要18µF；但是同等电压的GaN器件的雷击过冲耐受低于Si器件，同时母线电容容量压降会导致浪涌残余能量吸收能力减弱，且该充电器内部设计紧凑、防雷设计空间有限。所以该充电器的雷击防护设计要求很高，尤其雷击残压要求低。
这款充电器最终采用的防雷方案“MOV和GDT巧妙的组合”，是由华为防雷专家联合槟城电子一同创新设计/精密调试出来的，综合性能领先业界常规方案130%。
MOV+GDT方案在防雷电路中优势非常明显
工频耐压对比
该联合创新方案残压低，工频耐压高，在电源口保护更加安全。
槟城电子公司有各种封装&各种电压的气体放电管、压敏电阻、和气体放电管&MOV组合器件，分别适用于不同工作电压、不同过电压异常和不同防雷诉求的各种场景。
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