【产品】40V/120A N沟道功率MOSFET RU40120R,漏源导通电阻仅3.5mΩ
锐骏半导体推出采用TO220封装的N沟道功率MOSFET RU40120R,其漏源电压VDS为40V,TC=25℃ 时漏极连续电流ID为120A(VGS=10V),漏源导通电阻RDS(ON)典型值为3.5mΩ(VGS=10V,IDS=60A)。
产品外观和示意图
特点:
40V/120A
RDS(ON)=3.5mΩ(Typ)@VGS=10V
超高密度单元设计
超低导通电阻
100%雪崩测试
无铅和绿色环保器件(符合RoHS标准)
应用:
DC-DC转换器
电源
最大额定参数:
电气特性(TC=25℃,除非特别说明):
订购和标记信息:
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由小背篓翻译自锐骏半导体,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】萨科微N沟道功率MOSFET器件2N7002,漏源电压高达60V,可适应各种电源电压要求
2N7002是一种N沟道功率MOSFET器件,具有高漏源电压和高效导通等特点,适用于多种应用场合。该器件的漏源电压高达60V,可适应各种电源电压要求。同时,其导通电阻低,最小值为7.5Ω,能够提供更高的效率。此外,MOS管2N700的阈值电压高达2.5V,具有更好的抗干扰能力。该器件采用SOT-23封装,尺寸小巧,便于布局设计和集成。
【产品】采用SOT23-3封装的N沟道增强型功率MOSFET RU207C,可用于电源管理应用
锐骏半导体推出一款SOT23-3封装的N沟道增强型功率MOSFET——RU207C,采用超高密度单元设计,漏源电压最大额定值为20V,连续漏极电流最大额定值为6A(TA=25℃),具有低导通电阻特性,可靠、坚固,可用于电源管理应用。
【产品】导通电阻低至2.5Ω的N沟道功率MOSFET DI114N06PQ,适用于剪草器等电动工具
DIOTEC的N沟道功率MOSFET DI114N06PQ非常适合剪草器等电动工具中的电机控制应用。该产品正常下可达到114A和60V,具有低导通电阻、快速开关时间和极低热阻。标准阈值电压可防止错误导通,这对于无绳电动工具尤为重要。
【产品】120A/80V N沟道功率MOSFET DIT120N08,导通电阻仅4.9mΩ
DIT120N08是Diotec推出的N沟道功率MOSFET ,无铅,符合RoHS,REACH标准,具有低导通电阻,高开关速度,低栅极电荷,高雪崩能量等优点,广泛应用在DC/DC转换器,电源设备,电动工具等领域。
【产品】QFN5×6薄型封装的N沟道功率MOSFET DI008N10PQ, 漏极峰值电流高达20A
Diotec推出型号为DI008N10PQ的N沟道功率MOSFET,器件采用QFN5x6薄型封装,具有低导通电阻和开关速度快等特点,产品适用于DC/DC转换器,电源,直流驱动器,电动工具,同步整流器以及工业和商业级应用等领域。
【产品】能进行2.5V栅极驱动的N沟道功率MOSFET AP2080Q,可实现低导通电阻和快速开关性能
铨力半导体推出的AP2080Q系列N沟道功率MOSFET采用先进的功率创新设计和硅工艺技术,以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件,可用于各种电源应用。
锐骏半导体MOSFET选型表
锐骏半导体提供以下参数的MODFET:Channel:P/N+P/Dual+P/Dual-P; ESD Diode :N/Y;VDSS:-40~85V;VTH:-3~5V;IDS:-70~230A
产品型号
|
品类
|
Channel
|
ESD Diode (Y/N)
|
VDSS(V)
|
VTH(V)
|
IDS(A)@TA=25℃ (A)
|
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)
|
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)
|
Package
|
RU207C
|
MOSFET
|
N
|
N
|
20
|
0.5-1.1
|
6
|
10
|
15
|
SOT23-3
|
选型表 - 锐骏半导体 立即选型
【产品】采用DFN3*3封装的N沟道功率MOSFET AP0803QD,导通电阻低至9mΩ
AP0803QD系列是铨力半导体推出的采用创新设计和硅工艺技术的N沟道功率MOSFET,实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。采用DFN3*3封装,为设计者提供了一种极为高效的器件,可广泛用于各种电源应用领域。
【产品】500V 5A的N沟道功率MOSFET SFX5N50系列,适用于PFC、SMPS、UPS等领域
HI-SEMICON推出的500V 5A N沟道功率MOSFET SFX5N50系列采用先进技术制造,适用于需要高功率密度和出色效率的应用中,如功率因数校正(PFC) 、开关模式电源(SMPS) 、不间断电源(UPS)、LED照明电源等领域。
【产品】100V/150A的N沟道功率MOSFET RUH1H150R,采用先进的HEFETⓇ技术
锐骏半导体推出的RUH1H150R是一款N沟道功率MOSFET,采用先进的HEFETⓇ技术,RDS(ON)典型值为3.2mΩ,漏源击穿电压最小值为100V,最大耗散功率为200W,最大结温为175℃,结到壳的热阻为0.75℃/W,结到环境的热阻为62.5℃/W,采用TO220封装。
【产品】80V/200A N沟道功率MOSFET BLM04N08,最大漏源导通电阻为4mΩ
BLM04N08是上海贝岭推出的一款N沟道功率MOSFET,采用先进的沟槽技术,导通电阻小、低栅极电荷,适用于电源开关应用、硬开关和高频电路、不间断电源等。
锐骏半导体N-MOSFET选型表
锐骏半导体提供以下参数的N-MOSFET:Channel(沟道):N/Dual-N/N+P; ESD(静电泄放):N/Y; VDSS(零栅压最大漏源电压):20~85V; VTH(阈值电压):0.5~5V; IDS:0.2~200A; 封装外形有:SOT23-3、DFN3333、DFN3030、SOT23、SOT23-6等多种封装外形
产品型号
|
品类
|
Channel
|
ESD Diode (Y/N)
|
VDSS(V)
|
VTH(V)
|
IDS(A)@TA=25℃ (A)
|
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)
|
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)
|
Package
|
RU207C
|
MOSFET
|
N
|
N
|
20
|
0.5-1.1
|
6
|
10
|
15
|
SOT23-3
|
选型表 - 锐骏半导体 立即选型
【产品】75V,70A的N沟道功率MOSFET P70F7R5EN,导通电阻仅3.8mΩ
Shindengen(新电元)半导体公司推出了一款型号为P70F7R5EN适用于开关电源的N沟道MOSFET,10V栅极驱动,具有绝缘封装、低导通电阻、低电容的特点。可应用于DC-DC转换,继电器驱动,电源转换器电路等应用。
【产品】20V/6A双N沟道高级功率MOSFET RU8205G,具有超高密度单元设计,适用于电源管理
锐骏半导体推出的双N沟道高级功率MOSFET RU8205G,其漏源电压20V,漏极持续电流6A,最大结温150℃。该产品还具有超高密度单元设计、可靠坚固、无铅环保等特点,适用于电源管理。
【产品】TO-252-2L封装的N沟道功率MOSFET AP30N03K,具有超低导通电阻和高ESD能力
铨力半导体推出一款基于先进沟槽技术设计出的N沟道功率MOSFET——AP30N03K,采用TO-252-2L封装,具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性,可广泛应用于电源开关应用、硬开关和高频电路、不间断电源等多种应用。
电子商城
现货市场
服务
可定制ATD TE Dehumidifier的冷却功率:20~220W;工作电压:12V(DC)/ 220V(AC);控温精度:≤±0.5℃;尺寸:冷面:20*20~500*300;热面:60*60~540*400(长*宽;单位mm)。
最小起订量: 1 提交需求>
可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm;笔电D8热管打扁厚度1.0mm,可解40W热量;高功率D10热管可解60W热量。
最小起订量: 10000 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论