【产品】40V/120A N沟道功率MOSFET RU40120R,漏源导通电阻仅3.5mΩ

2022-04-06 锐骏半导体
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锐骏半导体推出采用TO220封装的N沟道功率MOSFET RU40120R,其漏源电压VDS为40V,TC=25℃ 时漏极连续电流ID为120A(VGS=10V),漏源导通电阻RDS(ON)典型值为3.5mΩ(VGS=10V,IDS=60A)。

产品外观和示意图

特点:

    40V/120A

    RDS(ON)=3.5mΩ(Typ)@VGS=10V

    超高密度单元设计

    超低导通电阻

    100%雪崩测试

    无铅和绿色环保器件(符合RoHS标准)


应用:

    DC-DC转换器

    电源


最大额定参数:


电气特性(TC=25℃,除非特别说明):

订购和标记信息:

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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产品型号
品类
Channel
ESD Diode (Y/N)
VDSS(V)
VTH(V)
IDS(A)@TA=25℃ (A)
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)
Package
RU207C
MOSFET
N
N
20
0.5-1.1
6
10
15
SOT23-3

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