【应用】纳秒级开关速度氮化镓场效应晶体管，适合开关频率10MHz以上的应用
EPC8000系列具备了氮化镓晶体管的超高速切换能力，将EPC第三代eGaN FET技术引入了新的水平，这些器件的开关转换速度在纳秒级，能够应用于10 MHz以上的硬开关拓扑中。表1：列出了EPC8000系列各种关键特性
表1：EPC8000系列关键特性
EPC8000概述
1、独立门极回路
独立门级回路为栅极到源级，这种器件本身能够使内部寄生电感更小， 而更小的寄生电感对高频性能至关重要。
2、更低的门极电感
低门级电感增强了门极驱动速度。
3、高dv / dt抗干扰
一个重要指标对于dv / dt的抗干扰是米勒比， 对于超快EPC8000系列器件的米勒比（QGD / QGS1）已降至0.38以下，远低于行业标准[1]。
4、较低的门极电荷
EPC8000系列对于小电流应用是有针对性的。最大限度地减少Miller充放电的影响，提高开关性能降低电压过渡时间。这会带来QGS2和di/dt有所增加，但总的开关损耗仍然保持一致（详情见图1）。
设计举例
用EPC8005设计降压变换器。输入42 V，输出20 V，输出功率40 W，开关频率10MHz。此设计中滤波电感2.2uH[IHLP1616BZ01]，输出滤波电容两颗4.7uF[(CGA4J3X5R1V475M125AB]，输入电容100nF[C1005X5R1H104K050BB]，Layout见图2；
图2：EPC8005 器件LM5113驱动器
该变换器在10 MHz和5 MHz的测试操作，并在图3中给出了相应的效率曲线。可以看到87%的峰值效率发生在10 MHz和92%则发生在5MHz。在5MHz和10 MHz下，电感器工作模式相同，但是选择更优化的电感会使得设计进一步改善。图4显示了在输入电压为42 V，输出电流为2 A的电压上升波形，总开关时间在1.2 ns，di/dt和dv/dt可以区分。
图3：5 MHz 和10 MHz 下的效率
图4：开关波形
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YoungKing Lv7. 资深专家 2018-06-22学习了 -
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如果天空不死 Lv7. 资深专家 2018-03-14图4有点太模糊了，看不太清楚- 世小强回复： 感谢您的指正，已修正。
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