【产品】低输入电容的无卤N沟道MOS场效应管BRCS6570SC，适用于负荷开关及转换开关

时间： 2022-04-15 来源：蓝箭电子

技术问答

蓝箭电子推出的BRCS6570SC是一款采用SOP-8塑封封装无卤N沟道MOS场效应管。具有低导通电阻，低输入电容，开关速度快的特征，适用于负荷开关，转换开关。

●内部等效电路

●引脚排列

●极限参数(Ta=25℃)

●电性能参数(Ta=25℃)

Notes:

1.R_θJA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of the drain pins. R_θJC is guaranteed by design while R_θJA is determined by the user's board design.

2. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 μs, Duty Cycle ≤ 2.0%

●耐焊接热试验条件

温度：260±5°C 时间：10±1 sec.

●包装规格

卷盘包装

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由放弃是坚强的第一课转载自蓝箭电子，原文标题为:BRCS6570SC N-CHANNEL MOSFET in a SOP-8 Plastic Package，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

全部评论（0）

暂无评论

【产品】N沟道MOS场效应管BRCS4N10TA，漏源击穿电压最小100V，漏源导通电阻＜115mΩ

蓝箭电子推出的N沟道MOS场效应管BRCS4N10TA，采用SOT-89塑封封装。其VDS(V)值为100V，在VGS为10V时，ID=4A，RDS(ON)小于115mΩ。该产品适用于作负载开关或脉宽调制应用。

产品发布时间 : 2022-07-14

【产品】N沟道MOS场效应管BRCS080N02ZB采用DFN 3*3A-8L塑封封装，适用于低压电路

蓝箭电子推出的N沟道MOS场效应管BRCS080N02ZB，采用DFN 3*3A-8L塑封封装。其VDS(V)值为20V，在VGS=±12V条件下ID值为12.6A，是一种无卤产品。BRCS080N02ZB适用于低压电路如汽车电路、DC/DC转换、便携式产品的电源高效转换。其PD值为100W，IAS值为12.5A，TSTG温度范围为-55~+150°C。

产品发布时间 : 2022-06-18

萨科微半导体低压MOS管FDN327N，阈值电压0.7V，适用小型电子设备

FDN327N是一款由萨科微（Slkor）生产的N沟道MOS场效应管。它的主要特点之一是高功率和高电流处理能力。它可以承受2A的连续漏极电流，具有40mΩ的导通电阻（Vgs为4.5V，Id为2.0A），并且具有20V的漏源电压（Vdss）。这些参数使得FDN327N可以在需要处理高功率和高电流的应用中发挥出色的性能，如脉宽调制和负荷开关等。

产品发布时间 : 2024-01-17

IRFZ44 N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package

型号- IRFZ44

数据手册 - 蓝箭电子 - Rev.F - Jul.-2018 PDF 英文下载

IRF640 N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package

型号- IRF640

数据手册 - 蓝箭电子 - Rev.G - Jul.-2018 PDF 英文下载

BRCS035N06SZCQ N 沟道场效应管 DATA SHEET (BRCS035N06SZCQ N-Channel MOSFET DATA SHEET)

型号- BRCS035N06SZCQ

数据手册 - 蓝箭电子 - Rev.A - Jul.-2022 PDF 中英文下载

【产品】蓝箭推出双N沟道MOS场效应管BRCS120N03YA，VDSS值30V，采用PDFN3×3-8L塑封封装

蓝箭电子推出的双N沟道MOS场效应管BRCS120N03YA，采用PDFN3×3-8L塑封封装。具有VDS(V)=30V，ID=24A(VGS =±20V)，RDS(ON)@10V≤13mR(Typ.11mR)，HFProduct的特征。

产品发布时间 : 2022-11-14

【产品】内置静电保护二极管的双N沟道MOS场效应管BRD7002K1，采用SOT-363塑封封装

蓝箭电子推出的双N沟道MOS场效应管BRD7002K1，采用SOT-363塑封封装。BRD7002K1具有灵敏的控制级触发电流和很低的维持电流，内置静电保护二极管，是一种无卤产品。其VDSS和VDGR值均为60V，ID值为250mA。

产品发布时间 : 2022-08-02

【产品】萨科微功率为1.2W的N沟道低压MOS管SL2300，漏源电压仅20V

SL2300非常适用于高频开关电路、DC-DC转换器和功率管理等领域，在高频开关电路中，该产品的低导通电阻和高可靠性使其成为理想选择，它能够快速地开关，从而减少功率损耗。在DC-DC转换器中，SL2300的低漏源电压和高效能够提供高效的电源转换，从而减少能量浪费。在功率管理中，它能够提供稳定的电源输出，从而保护电子设备。除了以上特点，SL2300还具有其他优点。

产品发布时间 : 2023-09-29