【产品】输入电容仅为14pF的GaN增强型功率MOS管，超高开关速度首选
EPC（宜普电源转换公司）推出了一款输入电容低至14pF的GaN增强型功率晶体管-EPC2037。该MOS管可实现极高速的开关功能。其输入电容低至14pF，输出电容低至6.5pF，反向恢复电容仅为0.1pF，栅极电荷为115pC，反向恢复电荷QRR为0，特别适用于低功耗，高开关频率的应用，如高频DC-DC转换，激光雷达，无线电力传输等。
EPC2037的漏源极之间的最大电压VDS为100V，在TA=25℃，RθJA=44℃/W环境下，连续漏极电流为1.7A，在25℃， TPULSE =300μs环境下，脉冲电流ID为2.4A。其导通电阻RDS（on）为550mΩ，栅极电荷总量Qg的典型值为115pC，所需驱动功率低，导通损耗也低。
EPC2037的封装尺寸仅为0.9 mm x 0.9 mm，可实现了更高功率密度的电源转换。VGS（TH）在0.8V与2.5V之间，低控制电压简化了数字驱动控制电路的设计。
EPC2037具有可靠性报告，符合RoHS 6/6的标准，有无卤素证明，是环境友好的器件，可在-40-150 ℃极宽的温度范围下工作。
图一：产品图片
EPC2037电特性：
额定电压VDS为100V
额定电流ID为1.7A
开启电压VGS（th）为1.5V
脉冲额定电流为2.4A
导通电阻RDS（on） 最大为550mΩ
栅极电荷Qg最大为145pC
反向恢复电荷Qrr为0
输入电容CISS最大为17pF
输出电容Coss最大为10pF
反向传输电容CRSS为0.1pF
工作温度：-40-150 ℃
EPC2037主要优点：
超高效率：低传导和开关损耗，零反向恢复损耗
高开关频率：低开关损耗和低驱动功率
超小封装：更高功率密度
EPC2037质量及可靠性：
可靠性报告
符合RoHS 6/6
无卤素证明
图二：25℃时的典型输出特性
应用领域：
高速DC-DC转换
无线电力传送
D类音频
激光雷达/脉冲电源应用
技术顾问：叵仄兮
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