【产品】输入电容仅为14pF的GaN增强型功率MOS管,超高开关速度首选
EPC(宜普电源转换公司)推出了一款输入电容低至14pF的GaN增强型功率晶体管-EPC2037。该MOS管可实现极高速的开关功能。其输入电容低至14pF,输出电容低至6.5pF,反向恢复电容仅为0.1pF,栅极电荷为115pC,反向恢复电荷QRR为0,特别适用于低功耗,高开关频率的应用,如高频DC-DC转换,激光雷达,无线电力传输等。
EPC2037的漏源极之间的最大电压VDS为100V,在TA=25℃,RθJA=44℃/W环境下,连续漏极电流为1.7A,在25℃, TPULSE =300μs环境下,脉冲电流ID为2.4A。其导通电阻RDS(on)为550mΩ,栅极电荷总量Qg的典型值为115pC,所需驱动功率低,导通损耗也低。
EPC2037的封装尺寸仅为0.9 mm x 0.9 mm,可实现了更高功率密度的电源转换。VGS(TH)在0.8V与2.5V之间,低控制电压简化了数字驱动控制电路的设计。
EPC2037具有可靠性报告,符合RoHS 6/6的标准,有无卤素证明,是环境友好的器件,可在-40-150 ℃极宽的温度范围下工作。
图一:产品图片
EPC2037电特性:
额定电压VDS为100V
额定电流ID为1.7A
开启电压VGS(th)为1.5V
脉冲额定电流为2.4A
导通电阻RDS(on) 最大为550mΩ
栅极电荷Qg最大为145pC
反向恢复电荷Qrr为0
输入电容CISS最大为17pF
输出电容Coss最大为10pF
反向传输电容CRSS为0.1pF
工作温度:-40-150 ℃
EPC2037主要优点:
超高效率:低传导和开关损耗,零反向恢复损耗
高开关频率:低开关损耗和低驱动功率
超小封装:更高功率密度
EPC2037质量及可靠性:
可靠性报告
符合RoHS 6/6
无卤素证明
图二:25℃时的典型输出特性
应用领域:
高速DC-DC转换
无线电力传送
D类音频
激光雷达/脉冲电源应用
技术顾问:叵仄兮
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燕南天20151202 Lv7. 资深专家 2019-06-05学习了
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太皇太后有喜啦 Lv4. 资深工程师 2018-11-22学习了
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游来游去 Lv8. 研究员 2018-02-12学习
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品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge
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提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
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