Central高压、低损耗MOSFET推荐,可用于带PFC AC-DC开关电源
Central公司是美国分立半导体公司,致力于提供性能优良的二极管、晶体管、场效应管、保护器件、整流器和晶闸管等半导体产品。
带PFC的AC-DC开关电源中的PFC电路通常采用Boost电路,由电感、二极管和MOSFET构成,由于MOSFET承受升压电路输出电压,因而需要耐压较高的器件。推荐使用这几种型号——
600V:CDM4-600LR 、CDM7-600LR、CDM22011-600LRFP
CDM4-600LR、CDM7-600LR、CDM22011-600LRFP均为600V的N沟道功率MOSFET。除了应用在PFC电路中,还可以用于新能源逆变器和SSL电路中。它的结温范围为-50℃~150℃,温度范围宽,可靠性好。它们的导通电阻非常低,为0.65Ω、0.53Ω和0.3Ω,导通损耗很低。栅极总电荷QGS为2.04nC、2.62nC和4.45nC,栅极总电荷在这个系列里最小,在同等电压、电流条件下,开关损耗最低,可以取得很高的效率。CDM4-600LR和CDM7-600LR采用TO-252贴片封装,CDM22011-600LRFP采用TP-220FP插针封装,用户可根据使用需求选择。
主要优势:
额定电压:600V
额定电流:4A(CDM4-600LR),7A(CDM7-600LR),11A(CDM22011-600LRFP)
脉冲电流:13.5A(CDM4-600LR),28A(CDM7-600LR),44A(CDM22011-600LRFP)
低栅极总电荷:2.04nC(CDM4-600LR),2.62nC(CDM7-600LR),4.45nC(CDM22011-600LRFP)
极低的导通电阻:0.65Ω(CDM4-600LR),0.53Ω(CDM7-600LR),0.3Ω(CDM22011-600LRFP)
封装:TO-252(CDM4-600LR、CDM7-600LR),TO-220FP(CDM22011-600LRFP)
图1 CDM4-600LR 、CDM7-600LR、CDM22011-600LRFP实物图
650V:CDM4-650 、CDM7-650 、CDM22010-650
CDM4-650 、CDM7-650 、CDM22010-650均为650V的N沟道中功率MOSFET,它们的导通电阻和总栅极电荷分别为2.44Ω、3nC,1.35Ω、5nC ,0.88Ω、8nC 。它们的结温范围为-50℃~150℃。适合应用于中功率产品中,具有TO-252贴片封装和TO-220插针封装。
主要优势:
额定电压:650V
额定电流:4A(CDM4-650),7A(CDM7-650),10A(CDM22010-650)
脉冲电流:16A(CDM4-650),28A(CDM7-650),40A(CDM22010-650)
低总栅极电荷:3nC(CDM4-650),5nC(CDM7-650),8nC(CDM22010-650)
低导通电阻:2.44Ω(CDM4-650),1.35Ω(CDM7-650),0.88Ω(CDM22010-650)
封装:TO-252(CDM4-650、CDM7-650),TO-220(CDM22010-650)
图2 CDM4-650 、CDM7-650 、CDM22010-650实物图
800V:CDM2205-800FP 、CDM2208-800FP
CDM2205-800FP、CDM2208-800FP是800V的高压N沟道MOSFET,导通阻抗低,栅极总电荷低,开关损耗和导通损耗均比较低,效率高。开关速度快,耐压高,是高压PFC电路的最佳选择,同时也适用于新能源逆变器和SSL电路。它的结温范围为-50℃~150℃。它们的耐压最高,相对寄生参数较大,损耗较高,但功率最高。它们均采用TO-220FP插针封装,占用面积小,但高度较高,功率较大,需要额外配置散热器,适合高压且对体积和高度要求不严格产品。其
主要优势是:
额定电压:800V
额定电流:5A(CDM2205-800FP),8A(CDM2208-800FP)
脉冲电流:20A(CDM2205-800FP),32A(CDM2208-800FP)
低总栅极电荷:17.4nC(CDM2205-800FP),24.45nC(CDM2208-800FP)
低导通电阻:2.2Ω(CDM2205-800FP),1.42Ω(CDM2208-800FP)
封装:TO-220FP
图3 CDM2205-800FP 、CDM2208-800FP实物图
技术顾问: Steven Xu
世强元件电商版权所有,转载请注明来源及链接。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 10
本网站所有内容禁止转载,否则追究法律责任!
评论
全部评论(10)
-
tongran322 Lv7. 资深专家 2018-09-20好东西,值得推荐
-
TAO Lv7. 资深专家 2018-05-20学习了
-
KDYang Lv8. 研究员 2018-04-03好东西,学习了
-
太皇太后有喜啦 Lv4. 资深工程师 2017-12-27好东西,学习下
-
Tiger.Hu Lv7. 资深专家 2017-12-20好东西
-
luosai Lv8. 研究员 2017-11-18每天学习下!
-
耕者 Lv6. 高级专家 2017-11-09好东西,留着备用~
-
娃娃 Lv4. 资深工程师 2017-10-19收藏先
-
killyo Lv5. 技术专家 2017-10-19学习学习,了解一下
-
luose Lv8. 研究员 2017-10-19学习了
相关推荐
【技术大神】智能电机控制系统应用之MOSFET的选型经验分享
本文结合central的MOSFET管CWDM3011N和CWDM3011P应用,分享了一些自己在选型上积累的经验。
节能MOS管:低栅极电荷和低导通电阻,专为高压电路设计
顶级分立半导体制作商Central Semi推出的一款4A/650V的N沟道MOSFET-- CDM4-650,具有低栅极电荷和导通电阻,专为高压电路设计。
SFK1N60 1A,600V N沟道MOSFET
本资料介绍了SFK1N60型号的600V N-Channel MOSFET,该器件采用Hi-semicom专有的F-CellTM结构VDMOS技术制造。该MOSFET具有低导通电阻、优异的开关性能和耐高压脉冲的能力,适用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H-bridge PWM电机驱动器等应用。
HI-SEMICON - N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,N沟道贴片MOS管,N-CHANNEL MOSFET,POWER MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR,功率 MOSFET,SFK1N60,H-BRIDGE PWM MOTOR DRIVERS,SWITCHED MODE POWER SUPPLIES,开关模式电源,H桥PWM电机驱动器,LED LIGHTING POWER,DC-DC CONVERTERS,AC-DC POWER SUPPLIERS,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,交直流电源供应器,UPS,SMPS,DC-DC转换器,LED照明电源
18NM60功率MOSFET 18A,600V N沟道超结MOSFET
该资料介绍了UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD生产的18NM60型号N通道超级结MOSFET。这款MOSFET具有快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高鲁棒雪崩特性,适用于DC-DC和AC-DC转换器等电源应用。
UTC - SUPER JUNCTION MOSFET,超级结MOSFET,N-CHANNEL SUPER-JUNCTION MOSFET,POWER MOSFET,功率 MOSFET,N沟道超结MOSFET,18NM60G-TF3-T,18NM60G-TF1-T,18NM60G-TF2-T,18NM60L-TF1-T,18NM60G-TW1-T,18NM60L-TF3-T,18NM60G-TA3-T,18NM60L-TF2-T,18NM60G-TQ2-T,18NM60L-TA3-T,18NM60G-TQ2-R,18NM60,18NM60L-TN3-R,18NM60L-TW1-T,18NM60L-TQ2-T,18NM60G-TN3-R,18NM60L-TQ2-R,DC-DC CONVERTERS,电力应用,POWER APPLICATIONS,AC-DC CONVERTERS,DC-DC转换器,交直流变换器
【技术大神】智能电机控制系统应用之MOSFET的设计经验分享
本文分享笔者采用CWDM3011P和CWDM3011N两款MOSFET管关于三相全桥的分立器件的设计经验。
SFF10N70 10A,700V N沟道功率MOSFET
本资料介绍了SFF10N70型号的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。该器件采用Hi-Semicon专有的F-CellTM结构VDMOS技术制造,具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲承受能力。适用于AC-DC电源供应器、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器。
HI-SEMICON - N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,N沟道功率MOSFET,N-CHANNEL POWER MOSFET,POWER MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR,功率 MOSFET,SFF10N70,DC-DC CONVERTERS,H-BRIDGE PWM MOTOR DRIVERS,AC-DC POWER SUPPLIERS,交直流电源供应器,H桥PWM电机驱动器,DC-DC转换器
SFF20N50 20A,500V N沟道功率MOSFET
本资料介绍了SFF20N50型N通道增强型功率MOS场效应晶体管。该晶体管采用Hi-semicom专有的F-CellTM结构VDMOS技术制造,具有低导通电阻、低栅极电荷、低Crss、快速开关和改进的dv/dt能力等特点。适用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H-bridge PWM电机驱动器等应用。
HI-SEMICON - N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,N沟道功率MOSFET,N-CHANNEL POWER MOSFET,POWER MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR,功率 MOSFET,SFF20N50,DC-DC CONVERTERS,H-BRIDGE PWM MOTOR DRIVERS,AC-DC POWER SUPPLIERS,交直流电源供应器,H桥PWM电机驱动器,DC-DC转换器
【产品】800V/5.0A N沟道功率MOSFET CDM2205-800FP,适用于高电压、快速开关应用
CDM2205-800FP是CENTRAL半导体公司推出的一款N沟道功率MOSFET,导通电阻典型值为2.2Ω,最大值为2.7Ω,典型值Qg(tot)为17.4nC。N沟道功率MOSFET CDM2205-800FP采用TO-220FP封装,专为高电压,快速开关应用而设计,如功率因数校正(PFC),照明和电源逆变器。
SFW50N25 50A,250V N沟道MOSFET
本资料介绍了SFW50N25型号的N-通道增强型功率MOS场效应晶体管。该晶体管采用Hi-semicon的F-CellTM结构VDMOS技术制造,具有低导通电阻、优异的开关性能和耐高压脉冲的能力。适用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H-bridge PWM电机驱动器。
HI-SEMICON - N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,N沟道贴片MOS管,N-CHANNEL MOSFET,POWER MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR,功率 MOSFET,SFW50N25,DC-DC CONVERTERS,H-BRIDGE PWM MOTOR DRIVERS,AC-DC POWER SUPPLIERS,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,交直流电源供应器,H桥PWM电机驱动器,UPS,DC-DC转换器
CDM3-800表面贴装硅N沟道功率MOSFET 3.0安培,800伏
该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CDM3-800型表面贴装硅N沟道功率MOSFET。这款MOSFET适用于高压、快速切换应用,如功率因数校正(PFC)、照明和电源逆变器。它具有高电压能力、低导通电阻、低阈值电压和低栅极电荷,以实现最佳效率。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - MOSFET,N沟道MOSFET,N-CHANNEL MOSFET,SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET,表面贴装硅N通道功率MOSFET,CDM3-800,POWER INVERTERS,SOLID STATE LIGHTING,SSL协议,照明,替代能源逆变器,LIGHTING,SSL,功率逆变器,固态照明,ALTERNATIVE ENERGY INVERTERS
ZMD68606S双N沟道功率MOSFET
该资料介绍了ZMJ半导体公司的ZMD68606S双通道N沟道功率MOSFET。这款器件结合了先进的槽栅MOSFET技术和低电阻封装,提供极低的RDS(ON)。其主要特点是低导通损耗、快速开关和低热阻,适用于AC-DC/DC-DC转换器、过流保护和电源工具等领域。
真茂佳 - 双N沟道功率MOSFET,DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET,ZMD68606S,AC-DC CONVERTER,DC-DC CONVERTER,ORING SWITCHES,AC-DC转换器,ORING开关,POWER TOOLS,电动工具,DC-DC变换器
CDFM10-600N表面贴装硅N沟道中等功率MOSFET 10A,600伏
该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的CDFM10-600N型600伏N沟道MOSFET,适用于高压、快速切换应用,如功率因数校正(PFC)、照明和电源逆变器。该MOSFET具有高电压能力、低rDS(ON)、低阈值电压和低栅极电荷,以实现最佳效率。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - MOSFET,SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL MEDIUM POWER MOSFET,N沟道MOSFET,N-CHANNEL MOSFET,表面贴装硅N沟道介质功率场效应晶体管,CDFM10-600N,POWER INVERTERS,SOLID STATE LIGHTING,照明,替代能源逆变器,LIGHTING,功率逆变器,固态照明,ALTERNATIVE ENERGY INVERTERS
【应用】N沟道功率MOSFET CMPDM303NH和NPN晶体三极管CXT3150, 为太阳能系统提供解决方案
Central提供的分立式半导体必须具有极高的能源效率,同时消耗最少的功率。DC-DC变换器电路采用Buck电路,由电感、二极管和开关器件构成, 开关器件通常需采用低压器件,可选取MOSFET和晶体三极管。据此,本方案推荐采用Central的N沟道功率MOSFET ——CMPDM303NH和NPN晶体三极管——CXT3150,为太阳能系统提供解决方案。
【产品】栅极电荷总量仅15nC的3A大电流MOSFET管,工作电压可达100V
Central的CZDM1003NMOSFET管额定电压为栅极电荷总量为15nC,可有低的开关损耗,是继电器和电机控制电路首选。
带PFC的AC-DC开关电源应用简介
本文档介绍了AC-DC开关模式电源中功率因数校正(PFC)的设计要点,强调了低损耗、快速开关的半导体组件的重要性。文档详细介绍了Central Semiconductor Corp.提供的多种高效MOSFET、超快整流器和离散组件,这些组件非常适合现代PFC设计。文档还提供了不同型号的半导体器件及其参数,包括MOSFET、超快整流器和肖特基整流器等,适用于不同的应用场景。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - 碳化硅肖特基整流器,TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS,肖特基整流器,桥式整流器,MOSFETS,TVS,SILICON CARBIDE SCHOTTKY RECTIFIERS,瞬态电压抑制器,BI-DIRECTIONAL TVS,MOSFETS器件,SCHOTTKY RECTIFIERS,BRIDGE RECTIFIERS,超快整流器,双向TVS,HYPERFAST RECTIFIERS,CPC13-SIC50-1200,CDM4-650,CPC14-SIC10-1200,CZSH10-40C,CTLSH15-60M364,CPC11-SIC30-650,CTLSH10-45M364,CPC10-SIC08-650,CBR25-060P,CDM2208-800FP,CHD8-06,CRSH16D-40FP,CBR10-J060,CMR5H-06,CSHD12-60C,CDM2205-800FP,3SMC170CA,P6KE350CA,CBRDFA4-100,CPC15-SIC10-650,CPC07-SIC10-650,CPC08-SIC04-650,CPC09-SIC06-650,CPC12-SIC02-1200,CBR6-060,CPC06-SIC10-1200,CDM22010-650,CDM4-600LR,CDM22011-600LRFP,CDM7-600LR,1SMC170CA,CPC05-SIC05-1200,CTLHR10-06,CDM7-650,AC-DC SWITCH MODE POWER SUPPLY,AC-DC开关电源,AC-DC SMPS
电子商城
品牌:Central Semiconductor
品类:Surface mount-MOSFET
价格:¥0.8136
现货: 16,000
现货市场
服务
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
可定制射频隔离器/环行器(10M-40GHz),双工器/三工器(30MHz/850MHz-20GHz),滤波器(DC-20GHz),功分器,同轴负载,同轴衰减器等射频器件;可定制频率覆盖DC~110GHz,功率最高20KW。
最小起订量: 1 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论