【产品】饱和压降低至76mV,3A大电流功率型PNP晶体管

2018-06-28 Central Semiconductor
PNP晶体管,功率型PNP晶体管,低VCE电压PNP功率晶体管,CZT7090L PNP晶体管,功率型PNP晶体管,低VCE电压PNP功率晶体管,CZT7090L PNP晶体管,功率型PNP晶体管,低VCE电压PNP功率晶体管,CZT7090L PNP晶体管,功率型PNP晶体管,低VCE电压PNP功率晶体管,CZT7090L

世界顶级分立半导体制作商Central Semi (美国中央半导体公司)推出的CZT7090LCZT7090LE功率型PNP晶体管,主打低饱和电压(VCE(SAT))和高集电极电流的特性,其中,CZT7090LE是CZT7090L的增强型,性能参数更为优异。


首先,两款芯片均采用功率型SOT-223表贴式封装,封装尺寸6.3*6.7*1.5mm,非常节省PCB空间。结合产品特性,适用于移动系统和局域网卡的DC-DC转换器、电机控制器、电源管理、闪光灯闪速装置、便携式电池驱动类产品等领域。

 

在电气参数上,TA=25℃时,CZT7090L和CZT7090LE功率型PNP晶体管均具有较高的耐压值,集电极-基极最大耐压值VCBO分别为50V和60V,集电极-发射极最大耐压值VCEO分别为40V和50V,发射极-基极最大耐压值VEBO分别为5.0V和6.0V,器件具有较高的反向耐压能力。连续集电极电流IC最大值均为3.0A,具有高集电极电流,可满足大电流的设计需求。在TA=25℃、IC=500mA、IB=5.0mA 时,CZT7090L的饱和电压VCE(SAT)典型值仅为100mV,增强型的CZT7090LE饱和电压VCE(SAT)更低,典型值低至76mV。超低的饱和压降使三极管工作在饱和态的功耗更低,降低不必要的耗散,提升芯片工作效率。高集电极电流与低饱和电压相结合,使其成为工业和消费类应用的最佳选择。

 

CZT7090L和CZT7090LE功率型PNP晶体管的储存温度和工作温度范围均为-65~150℃,具有较宽的温度范围,满足军品级产品要求,具有较高的稳定性和使用安全性。热阻均为62.5℃/W,在同类功率型器件中,热性能较好,具有较高的电气和散热效率。


CZT7090L、CZT7090LE低VCE(SAT)电压PNP功率晶体管的外形图和机械尺寸如下:


图1  CZT7090L、CZT7090LE低VCE(SAT)电压PNP功率晶体管外形图




图2  CZT7090L和CZT7090LE功率型PNP晶体管机械尺寸图

 

CZT7090L和CZT7090LE功率型PNP晶体管突出特点与优势:

·低饱和电压VCE(SAT)

·高集电极电流能力

·功率型SOT-223表贴式封装

·互补型NPN管型号:CZT3090LE

 

CZT7090L和CZT7090LE功率型PNP晶体管应用领域:

·用于移动系统和局域网卡的DC-DC转换器

·电机控制器

·电源管理

·闪光灯闪速装置

·便携式和电池驱动的产品

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