【选型】主要应用于各类通信介面ESD保护的ESD静电二极体如何选?
ESD静电二极体和ESD静电保护器其实是同一种保护器件,只是我们的叫法不一样而已,产品是同一种东西。什么是电路保护?其实电路保护有点像人有时候要买保险,车要买车险是一样的道理,电路也需要保护。在正常的情况下看不到它作用所在,一旦电路出现浪涌、脉冲,静电时,这时候所起的作用就非同小可。随着科学技术的发展,电力/电子产品日益多样化、复杂化,电路保护越来越受到关注,所应用的电路保护元件也越来越多,下面优恩半导体介绍一下关于静电保护的ESD静电二极体。
图 1实物图
ESD静电二极体(Electrostatic Discharge Protection Devices),又称瞬态抑制二极体阵列(TVS Array)。ESD是多个 TVS 晶粒或二极体采用不同的数据做成具有特定功能的多路或单路 ESD 保护器件,主要应用于各类通信介面 ESD 保护,如 USB、HDMI、RS485、RS232、VGA、RJ11、RJ45、BNC、SIM、SD 等。
ESD 静电二极体封装多样化,从单路的 DFN0201到多路的 SOT-26、SO-08、SOP-16等,电路设计工程师可以根据电路板布局及介面类型选择不同封装的ESD静电二极体。
ESD静电二极体选型:
■ESD静电二极体使用时是并联在被保护电路上,正常情况下对线路的工作不应产生任何的影响;
■击穿电压VBR 的选择:ESD 管的击穿电压应大于线路最高工作电压Um或者信号电平的最大电压值;
■脉冲峰值电流IPP 和最大箝位电压VC 的选择:ESD 管使用时,要根据线路上可能出现的最大浪涌电流来选择IPP 合适的型号。要注意的是,此时的最大箝位电压VC 应不大于被保护晶片所能耐受的最大峰值电压;
■用于信号传输电路保护时,一定要注意所传输信号的频率或传输速率,当信号频率或传输速率较高时,应选用低电容系列的管子,否则会影响通信品质。
ESD静电二极体的封装形式:
■根据电路设计布局被保护线路数目选择合适的封装形式。(注意封装大小从一定程度上可以反映器件的防护功率大小,一般封装越大的器件防护等级也越高,反之亦然。)
■ESD静电保护器件是一种过压,防静电保护元件,用来保护电子设备中敏感电路受到ESD(静电放电)的影响,作用是转移来自敏感元件的ESD应力,使电流流过保护元件而非敏感元件,同时维持敏感元件上的低电压;ESD静电保护器还应具有低洩漏和低电容特性,不会降低电路功能;不会对高速信号造成损害,在多重应力作用下保护元件的功能不会下降。
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优恩半导体(UNSEMI)保护器件产品选型指南
目录- Electrostatic Discharge Protection Devices Transient Voltage Suppressors Thyristor Surge Suppressors Gas Discharge Tube Spark Gap Protectors Multilayer Chip Varistor Polymeric Positive Temperature Coefficient Thin Film Common Mode Filter Silicon bilateral voltage triggered switch RJ45 Network connectors
型号- 15SMBJ78CA,SMAJ6.0CA,SMAJ40CA,SMBJ20A-AT,SM8Z20A,15KP58A,UN2K8-400SMD,SMD1206-350,SMDJ78CA,UN3E8-75HM,P0300SC-2L,ESD05V02D-CP,UN3E8-75HP,TPSMB30CA,SMDJ16A-AT,15SMBJ7.5CA,UNC-301N-SMD,TPSMCJ18CA,PESD0603E12V,UN6-200,05D511K,20D241KYC,5.0SMDJ85C,SMDJ36CA-AT,5.0SMDJ85A,K2200G,UN0402E18V120P,SMCJ100CA,ESD15V52D-LCF,5KP30C,5KP30A,SMF120CA,SMBJ150CA,SMDJ170A,SM8Z33CA,TP5.0SMDJ28CA,53D681K,SMDJ170C,3KP80CA,UN2K8-800L,UN135-250,SMCJ30C,32D122K,SMCJ30A,UNA-471M,SA180C,SMAJ70CA-AT,K0900G,SM8Z24A,SA180A,4.0SMF5.0A,15KP54A,20D781KJ,SMF190A,P6KE8.2CA,TPSMA82A,P4KE180A,P4KE180C,14D181KSC,ESD24V26T-5L,20D331KYC,P4SMA82CA,SMF3.3A,TP5.0SMDJ15CA,SM8Z22A,MCM3216B SERIES,SMDJ160CA,SMBJ400CA,SMCJ80CA,SMD1812-200-24V,PXXXXLB,PXXXXLC,P6SMB51CA,PXXXXLA,ESD24V26T-4L,4.0SMF12CA,TPSMB43CA,ESD0402-240E2R5,SMDJ400A-AT,TPSMB110CA,ESD08V88D-C,SMCJ220CA,5.0SMDJ64CA-AT,5.0SMDJ80A,SMCJ440A-AT,10SMBJ40CA,5.0SMDJ80C,P4KE 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产品 发布时间 : 2024-10-28
优恩半导体TVS瞬态电压抑制二极管选型表
优恩半导体提供以下技术参数的TVS选型:反向截止电压:3.3V~440V;击穿电压(min):5.2V~492V;击穿电压(max):6V~543V;测试电流:1mA、5mA、10mA;最大钳位电压 VC @IPP (V):8V~713V;最大峰值脉冲电流IPP (A):0.56A~3000A;最大反向漏电流IR @VRWM (μA):1uA~1000μA;关断电压:10V~85V;最大反向浪涌电流IPP(A):48A~388A;最大IR @VRWMTJ=175(uA):150uA、250uA。
产品型号
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品类
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Reverse Stand-Off Voltage VRWM(V)
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Breakdown Voltage VBR (V) @IT MIN
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Breakdown Voltage VBR (V) @IT MAX
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Test Current IT (mA)
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Maximum Clamping Voltage VC @IPP (V)
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Maximum Peak Pulse Current IPP (A)
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Maximum Reverse Leakage IR @VRWM (μA)
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model
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8KP24A
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Axial Lead Transient Voltage Suppressors
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24
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26.7
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29.5
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1
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38.9
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206
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5
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Uni
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选型表 - 优恩半导体 立即选型
【技术】一文介绍碳化硅(SiC)MOS的优缺点
碳化硅(SiC)MOS管作为一种新型功率器件,相较于传统的硅基功率器件,在一些特定的条件下有着独有的优异性,但也有存在着某些方面的不足之处。优恩半导体讲一下碳化硅MOS管的优缺点。
技术探讨 发布时间 : 2023-06-10
你还在为信号干扰而烦恼吗?试试优恩半导体的超级低容硅材质ESD静电保护器件
你还在为信号干扰而烦恼吗?试试优恩半导体的超级低容硅材质ESD静电保护器件——ESD05V02D-VLC和ESD05V88D-VLC!让每一次连接都安全无忧,选择优恩半导体的ESD保护器件,给你的设备加上一层强力护盾!
产品 发布时间 : 2024-10-09
优恩半导体ESD、PPTC、GDT用于CAN总线浪涌保护,可大幅缩减单板占用体积
优恩半导体在本文将对CAN总线浪涌保护之自恢复保险丝选型进行详细的讲解,为工程师们的设计提供理论基础。
原厂动态 发布时间 : 2021-09-21
【技术】自恢复保险丝多久熔断?
自恢复保险丝(PPTC)常用于电路的限流保护中,其工作原理是在电路故障发生时立即熔断,以避免电路的进一步损坏。本文优恩半导体将介绍自恢复保险丝多久熔断?
技术探讨 发布时间 : 2023-05-13
【元件】优恩半导体新推深回扫低残压、低电容ESD静电保护器件,是高速数据传输保护的终极选择
优恩半导体推出全新深回扫低残压、低电容ESD静电保护器件,型号ESD05V02D-DLC、ESD3.3V02D-DLC,采用先进的深回扫工艺,瞬间钳位电压极速下降,稳定低残压输出!相比传统ESD保护器件,保护效果更强,抵抗更高强度的静电冲击,全面守护后端IC及电路安全。
产品 发布时间 : 2024-10-09
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服务
整体外形尺寸小至0.6*0.3*0.3mm (DFN0603),工作电压范围覆盖2.5V~36V,电容值低至0.2pF,浪涌能力最高可达240安培,静电等级可达空气放电、接触放电±30KV。提供免费浪涌测试仪、静电测试仪测试。
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测试等级:空气放电30KV±5%;接触放电30KV±5%,适用标准:GB/T 17626.2、IEC61000-4-2、ISO10605、GB/T 19951;给用户产品出电路保护设计方案建议及整改。点击预约,支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳/上海 提交需求>
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