【产品】电压3.3V的3线低电容TVS二极管SEL3303S1，结电容最大值可低至2pF，采用无铅SOT-143外壳封装
萨瑞微电子推出一款3线低电容TVS二极管阵列SEL3303S1，利用先进的单片硅技术，可提供快速响应时间和低ESD钳位电压特性，使该器件成为保护电压敏感半导体组件免受损害的理想解决方案。器件符合IEC61000-4-2（ESD）标准，可提供±30kV空气放电和±30kV接触放电的ESD防护等级；器件采用无铅SOT-143外壳封装，旨在用于保护连接到高速数据接口和传输线的组件免受浪涌电压影响。
TA=25℃、RH=45%-75%时，器件峰值脉冲功率为150W（tp=8/20μs，波形）；峰值脉冲电流高达10A（8/20μs）；在VR=0V，f=1MHz条件下，I/O PIN脚间其结电容最大值低至2pF；反向漏电流最大值低至0.5µA（VRWM=3.3V），器件工作温度范围为-55℃至125℃，存储温度范围宽至-55℃至150℃，器件采用SOT-143外壳封装。其引脚配置如下图所示：
产品特点
峰值脉冲功率150W（8/20μs）
超低漏电流：nA级
工作电压：3.3V
对高速数据传输线路具有低电容特性
低钳位电压
符合以下标准：
-IEC61000-4-2（ESD）抗扰度试验：
空气放电：±30kV
接触放电：±30kV
-IEC61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）
-IEC61000-4-5（雷击）10A（8/20μs）
符合RoHS标准
机械特性
器件封装：SOT-143
器件引脚表面处理：雾锡
外壳材料：绿色环保塑封
可燃性分类等级：UL 94V-0
湿度敏感度：3级（J-STD-020标准）
产品应用
视频线路保护
无线系统
便携式仪器
局域网/广域网设备
高速数据传输线
多协议串行收发器
最大额定参数（TA=25℃，RH=45%-75%，除非另有说明）
电气特性（除非另有说明，TA=25℃）
产品订购信息
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萨瑞微电子（SALLTECH）ESD保护器件选型表
描述- 公司成立于2014年，总部位于江西南昌赣江新区，在上海成立研发中心，在深圳成立销售中心，在南昌建立了35000平米制造基地，现设有年产100万片4寸/5寸/6寸晶圆生产事业部以及年产300亿只集成封装生产线。主营产品包括分电源管理芯片、MOSFET、LDO、OVP、锂电保护IC、标准器件、电路保护器件。
型号- SEN1821D3,SEU0524PC,SEN0501D3,SEN0501D5,SEN1201P1,SEN1201P0,SES2411P6,SES2411P1,SEN1531D5,SEN3321P1,SEL0521D5,SES2411P4,SES2011P4D,SEN0522P1,SEN0512S2,SEN0512S4,SEU0501P0,SEL1211S2,SEU0501P1,SES0521P1,SEN0512S9,SEN0731D5,SEN0802S2,SEN3612S2,SEU0512P1S,SES0701P1,SEN2411P1,SEN2411P0,SES4521D3,SEH0532P1,SEP3011P6,SEU3301P1,SEU3301P0,SEL0532S2,SEN3301D5,SEN0551D5,SEN3611P1,SEN3301D3,SEH0511D5,SEL3314P8,SES0501D3,SEN3312S2,SES0501D5,SEU1511D5,SEP1011P6,SEN1231D5,SEN3601D3,SEN2401P0,SES2011P1,SEP4511P6,SES4511D3,SEP0501P6,SES2011P4,SEU3324PC,SEH0801D3,SEU3311P1,SES3301D5,SEN0701P1,SEN0701P0,SES3031P4,SEN2401P1,SEN2414S2,SES2631P4,SES1011D3,SEN0502S2,SEN2402S2,SEN1551P1,SES0511P1,SEH2401P6,SES0511P4,SEU2401P0,SEU2401P1,SEN0812S2,SEN1212S2,SES0521D3,SM3612S2,SEL0502P1,SEU0501D5,SES1511P4,SES1511P6,SEP0711P6,SEH1201D3,SEN0501P0,SEL3301P1,SEN1211P6,SEN1211P1,SEN1811D5,SEU1501D5,SEP4831PD,SEU1512SD,SEN4501D5,SEN3611D5,SEN3302S2,SEP4551P1,SEN3611D3,SEU0511P1,SES0531P1,SEH0511P0,SEN1531P1,SEN2001D1,SEH1501P6,SEL0514S5,SEN0711P6,SEL0514S2,SEL0501P0,SEL0501P1,SEH3301D3,SEN0811D3,SEL0541D5,SEN3301D5-1,SEN3301P0,SEN0811D5,SEH0512S4,SEN2412S2,SEH0801P6,SEN0515S3,SEN0502P1,SEH0512S2,SEU1511P1,SEU0521P0,SEU0518PB,SEH0501D3,SEN2401D3,SEN0531D5,SEP2011P6,SES0511D3,SEN1202S2,SEH0512S9,SEU1211D5,SEP4501P4,SEP4501P6,SEU3324PCS,SEN0701D5,SES1011P4,SEN2401D5,SPH0603H30,SEH0504S6,SEN1211D3,SES1511D3,SEU1201D5,SEN2432S2,SEU0521P1S,SEN1211D5,SEN2011D1,SEN4501P1,SES0711D3,SEP2411P6,SES0531D3,SEN1512S2,SEL0502S4,SES3011P4,SEU0501P1-C,SEP1211P6,SEH3301P6,SEN1811P1,SEN1501D5,SEN1501D3,SEH0503S1,SEU1501P1,SEN1811P6,SEN2411D3,SEN1221P1,SEN2411D5,SEU0504PC,SEN2701D3,SES2431P4,SEN1511D3,SES1211D3,SEH1501D3,SEL0501D3,SM712,SEU2411D3,SEU2411D5,SEH0514S3,SEN0532S4,SEN0532S9,SEN1801P1,SEL0501D5,SEH0501P1,SES0541P1,SEH0501P0,SEN1511D5,SEN0711D5,SEN1801P6,SEL3321P1,SEN0711D3,SEU1211P1,SEU1211P0,SES1811P4,SES4501P4,SEU3304PC,SEL0524S2,SEN1521P1,SES4501P1,SEH0501P6,SEL3301D3,SEN2431P1,SEN1201D5,SEN1802S2,SEN1201D3,SEU3312P1S,SES0711P4,SEU1201P1,SEU1201P0,SES0711P1,SEN2431D3,SEN1502S2,SEH1521D3,SEH3321D3,SES3311P1,SEL2501P1,SEP2411D1,SES3311P4,SES2411D5,SEL4501P6,SES2411D1,SEU3301P0-C,SEU3304PCS,SES2411D3,SEH2422S2,SEL0501P1-1,SEN0511D3,SEN0511D5,SEN1501P1,SES3011D3,SEL0201P0,SEN3301DBH,SEN0522S4,SEN1221D5,SEN0522S9,SEL2011P6,SEL0521P1,SEL0511S2,SEN1511P6,SES4511P4G,SES4511P4,SEN1511P1,SEH2401D3,SEH3301D3-1,SEU0501P0-C,SEN2501P1S,SEN0521P1,SES0501P0,SES0501P1,SEN3311D5,SEN1511PM,SEN3601P1,SEU2411P0,SES1211P4,SEU2411P1,SEN3311D3,SEN1831D3,SEN1231P1,SPH0603H24,SEL0541D5-1,SEP3311P6,SEH1201P6,SEH0516S8,SEP4531P1,SEU2401D3,SEH1201P1,SEU2401D5,SES3301P1,SES4501D3,SEP0511P6,SES4501D5,SEN3602S2
定向耦合器选型|Kyocera京瓷低插入损耗小型薄膜射频定向耦合器，适用于高频无线系统
京瓷集团（Kyocera）旗下的AVX推出的薄膜射频定向耦合器主要分三类：定向耦合器、高定向性耦合器、3dB 90°耦合器。主要得益于其掌握的多层薄膜技术，所以AVX设计出来的定向耦合器尺寸小，还具有优越的高频性能以及便于自动化生产、安装的坚固结构。另外，AVX薄膜定向耦合器工作频率带宽很宽，支持大部分高频无线系统如移动通信、卫星电视接收机、GPS、车辆定位系统以及无线局域网。
萨瑞微电子（SALLTECH）MOS选型表
描述- 公司成立于2014年，总部位于江西南昌赣江新区，在上海成立研发中心，在深圳成立销售中心，在南昌建立了35000平米制造基地，现设有年产100万片4寸/5寸/6寸晶圆生产事业部以及年产300亿只集成封装生产线。主营产品包括分电源管理芯片、MOSFET、LDO、OVP、锂电保护IC、标准器件、电路保护器件。
型号- SR2300K,SR150PE2PH,SR2300B,SR3139KDS6,SR3139KDS3,SR2N7002KDS3,SR250P03,SR3134KPD,SR2301DSC,SR340N06,SR2SK3018,SR46N06T5,SR2SK3019,SR270P03T4,SR3437KS3,SR4449T4,SR100N02P4K,SR2N7002KS4,SR3437KS6,SR2N7002KS9,SR150PE2P4,SR2399,SR3134KS9,SG70N12PS,SR32D040,SR4449SC,SR2310B,SR200P02SA,SR85P03T4,SR43N03PS,SR3134KSD,SG28N06T6,SR4449S2,SR300C03SC,SR400N10T4,SR43N03PH,SR2N7002KP1,SR400N10T5,SR4449S8,SR3134KS4,SR3134KS2,SR140P03PH,SR500N02SD,SR100A02P4K,SR80N02,SR2N10,SR3139KSD,SR520P06PH,SR2N7002DS3,SR420P03P4,SR3139KS2,SR180P06PS,SR3139KS9,SR3139KS4,SR360C03SC,SR01P10,SR190N03PH,SR170N02S8K,SR19N03T6,SRN30P03Q,SR150N01P4,SR2N7002SD,SR2305B,SR2305A,SG45N04PS,SR75P03PH,SR138KSD,SR2K4N02KS4,SR3137KS9,SR2N7002S4,SR57P03PS,SR84K,SR25N04PS,SR11NE4PS,SR2N7002S9,SG45N04PH,SR3137KSD,SR900N10,SG22N10T6,SR380N02P4,SR90P06T6,SR57P03PH,SR3137KS2,SR3137KS4,SG27N10T6,SG27N10T5,SR2310,SG150N15T4,SR4008SC,SG150N15T7,SR3160KDS3,SR170N02P4K,SG45N04T4,SR66N08T5,SG27NE8T66,SR66N08T6,SR550P02,SR2309,SR24N03T5,SR115P03PS,SR850N06P4,SR118N02SCK,SR2307,SR2306,SR2301,SR4953DS8,SR1211,SR2300,SR2303,SR3415K,SG26N03PS,SR2302,SR66N08T4,SR3408SD,SG70N12T5,SR350N04,SR360C03P4,SC350N1K2TA,SR43N03T4,SR900N10PH,SR57P03T4,SR123K,SR4406S8,SR4007SC,SR25N04T6,SR2SK3541,SR27N03T4,SR2301SD,SR25N04T4,SR25N04T5,SR30N03T4,SR54N03PS,SR850P02P1,SR54N03PH,SG46N10T6,SR320A03P4,SG46N10T5,SR3415,SR2323,SR37K,SR130A02P4K,SR29N03T5,SR3160KS9,SR2321,SR3137KDS3,SR3137KDS6,SR29N03T4,SR3005DSC,SR35N03PH,SR116A02SC,SG45NE8PS,SR98P03PH,SR123KP1,SR3161KP1,SR35N03PS,SR3408,SR170A02P4K,SR61N03T4,SR98P03PS,SR3404,SR3407,SR230N06T4,SR3406,SG22N10T66,SR2312,SR3401,SR112N06S8,SR33N04PH,SR3400,SR2311,SR3402,SR4407S8,SR900N10T4,SR3004DSC,SR210P06T5,SR210P06T4,SG80N06PH,SR210P06T6,SR3160KP1,SR127P03PH,SG9NE4PS,SR39K,SR145N10T4,SR98P03T4,SR112N06T5,SR112N06T6,SR112N06T4,SR2302S4,SR270N03P4,SR130A06PS,SG22N10TL,SR42N04SF,SR30N03PS,SR2N7002,SG150N15PS,SG27NE8T5,SG27NE8T6,SR2305K,SR250P03P4,SR39N03PH,SR3161KDS3,SG46N10PS,SR180P03S8,SR3439KS3,SR3439KS6,SR42N04T4,SR2333,SR750N03SD,SR3415KSC,SR29N03PS,SRS2D040,SR42N04PH,SR100N02P4,SR2N7002K,SR400N15S8,SG45NE8T6,SG45NE8T5,SG45NE8T4,SR61N03PH,SR150P02S8,SR35N03T4,SR450N10T4,SR42N04PS,SG25N06T5,SR650N10T4,SR56N04PS,SR750P06SF,SR61N03PS,SG23N10T6,SR84KSD,SR27N03PH,SR138K,SR3161K,SR70N06T4,SR250P06T4,SR150PE2,SR200P02,SG39N10T6,SR63N06PS,SG39N10T5,SR27N03PS,SR100N03T4,SR360N03P4,SR280P02P4K,SR84,SR3N40SFK,SR150PE2T4,SR112N06PH,SR100A03S8,SR57N03PS,SR2N7002KSD,SR95N03PH,SR260C04PS,SR100N03P4,SR8205DSC,SR3160K,SR3415SC,SR116N02P4,SR138KDS3,SR53P02PH,SR180P06T4,SR3134KDS6,SR3134KDS3,SR700P02SJ,SR100N03PH,SR2314P4,SR200P02P4,SP13KN60SF,SR100N03PS,SR40N03T4,SR4449DS8,SR380P02SCK,SR490P06PS,SR23H1,SR520P06T4,SR127P03T4,SR123KDSC,SR140P03T4,SR230A06P4,SR34K,SR320N03S8,SR50N04T4,SR112N06PS
萨瑞微电子2023年专利介绍：一种Trench MOS器件及其制备方法
本发明涉及半导体电子器件领域，具体为一种Trench MOS器件及其制备方法。针对现有技术中沉积金属前注入与阱区掺杂离子同类导致BV下降的问题，本发明提出一种新制备方法，包括在P型外延衬底上刻蚀沟槽、沉积介质层、生长多晶硅栅极、进行N型和P型掺杂形成阱区和源极、在凹槽内先后进行P型和N型离子注入并沉积金属。该方法通过先注入P型离子抑制N型离子扩散，使阱区平滑，抑制BV下降，提高了器件性能。
萨瑞微电子ESD保护器件选型表
萨瑞微提供的ESD保护器件(ESD Diode)，先进的单片硅技术，保护电压敏感的数据和电源线；符合IEC-6100-4-2 4级ESD标准（±30kV空气和±30kV接触）放电电压；符合IPC/JEDEC J-STD-033C MSD 3级标准；超小尺寸DFN封装；主要应用于手机和配件、个人数字助理、笔记本和手持设备、便携式仪器、数码相机、外围设备、音频播放器、键盘、侧键、LCD显示器等。
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产品型号
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品类
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极性
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Max Reverse Working Voltage VRWM(V)
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Junction Capacitance Cj(pF)
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Peak Pulse Current IPP@8/20uS(A)
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Min Breakdown Voltage VBR(V)
|
Max Breakdown Voltage(V)
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Max Leakage Current IR@VRWM(uA)
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Max Clamping Voltage VC@lpp1A 8/20uS(V)
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Max Clamping Voltage Vc@Ipp=Max Clamping Voltage(V)
|
Max Peak Pulse Power PPP(W)
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Marking
|
|
SEL0201P0
|
ESD Diode
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双向
|
2.5
|
20
|
8
|
3.1
|
4.5
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0.2
|
4.2
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7
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55
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C02
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选型表 - 萨瑞微电子 立即选型
萨瑞微电子MOS选型表
N型或P型低Rds(ON)阻抗选择，开关电压转换低功耗，符合 IPC/JEDEC J-STD-033C MSD Level 3，UL 易燃性等级 94V-0，Leadless Chip设计降低了结电容，6针或8针选择适合多功能产品应用，表贴封装，先进的沟槽电池设计，极低的阈值电压，ESD保护，低 RDS(ON) 和 FOM，具备优异的稳定性和均匀性。
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产品型号
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品类
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封装
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Type
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Vds（V）
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Vgs（V）
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Rds(on) Vgs=10V Typ(mΩ)
|
Rds(on) Vgs=10V Max(mΩ)
|
Rds(on) Vgs=4.5V Typ(mΩ)
|
Rds(on) Vgs=4.5V Max(mΩ)
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VGS(th) Min（V）
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VGS(th) Max（V）
|
ID （A）
|
PD （W）
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ESD
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Dynamic.Ciss（pf）
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Dynamic.Coss（pf）
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Dynamic.Crss（pf）
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Dynamic.Rg（Ω）
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Marking
|
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SR3406
|
MOSFET
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SOT23
|
SN
|
30
|
20
|
65
|
82
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75
|
95
|
1
|
3
|
3.6
|
1.25
|
No
|
288
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57
|
39
|
3
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R6
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选型表 - 萨瑞微电子 立即选型
金航标以太网连接器KH-RJ45-56-8P8C-D-T：构建高效稳定局域网的核心组件
金航标以太网连接器KH-RJ45-56-8P8C-D-T以其广泛的兼容性、高性能、稳定性和易维护性等特点，成为了构建和扩展局域网时的理想选择。无论是大型企业还是个人用户，都能通过这款连接器享受到更加高效、稳定的网络连接服务。
江西萨瑞微电子亮相2024泰国电子展，重点展示MOSFET、ESD、TVS、Schottky等主营产品
江西萨瑞微电子在2024年泰国国际电子元器件及生产设备展会上，顺利地落下了帷幕。这次展会对萨瑞微电子来说，可以说是收获满满，精彩不断。展会上，萨瑞微电子重点展示了MOSFET、ESD、TVS、Schottky等主营产品。未来，萨瑞微电子将继续坚持技术创新，不断提升产品质量和服务水平，积极拓展国际市场，为全球客户提供更加优质的产品和解决方案。
主营电源管理芯片、MOSFET、LDO等产品的萨瑞微电子再添新荣誉：国家级专精特新“小巨人”企业
江西萨瑞微电子现设有年产100万片4/5/6寸晶圆生产事业部以及年产300亿只集成封装生产线。主营产品包括分电源管理芯片、MOSFET、LDO、OVP、锂电保护IC、标准器件、电路保护器件。
江西萨瑞微电子携多款保护器件、二三极管亮相2024深圳国际电子展，圆满落幕
2024年8月27日至29日，江西萨瑞微电子参加了在深圳会展中心举办的2024深圳国际电子展。此次参展，萨瑞微电子以其创新的技术、优质的产品和专业的团队，吸引了众多业内人士和观众的目光，展位现场人头攒动，交流热烈，圆满完成了此次展会任务。
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