【产品】无反向恢复时间的高压大电流GaN增强功率晶体管
EPC（宜普电源转换公司）在氮化镓技术基础上推出了一款增强型功率晶体管-EPC8002。
此场效应管额定电压VDS为65V，可适用于高频DC-DC转换。VGS工作区间在-4V到6V。在TA=25℃，RθJA=37℃/W环境的测试下，连续漏极电流为2A，在25℃， TPULSE =300μs环境下，脉冲电流ID也为2A，电流工作点稳定。最大导通电阻RDS（on）为480mΩ，有较低的导通损耗。
EPC8002栅极电荷总量Qg的典型值为133pC，反向恢复电荷QRR为0nC，无电荷存储效应，无反向恢复时间，极易驱动。输入电容CISS仅为20pF，反向传输电容CRSS也仅为0.12pF，阈值电压低至0.8V，因此驱动功率低，开关频率快。
EPC8002尺寸仅为为2.1 mm x 0.85 mm，，实现了更高功率密度的电源转换。芯片符合RoHS 6/6的标准，有无卤素证明，是环境友好的器件，可工作在-40℃-150℃极宽温度范围下。可应用于射频包络跟踪、无线电源传送等。
图一：产品图片
EPC8002产品特性：
VDS=65V
ID=2A
Maximum RDS（on）=480 mΩ
CISS=20pF
CRSS=0.12pF
QRR=0nC
符合RoHS 6/6
无卤素
图二：25℃时的典型输出特性
应用领域：
高频率DC/DC转换
射频包络跟踪
无线电源传送
游戏机、工业用遥感技术（LiDAR）
技术顾问：咸柠
世强元件电商版权所有，转载请注明来源及链接。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 11
本网站所有内容禁止转载，否则追究法律责任！
评论
全部评论（11）
-
![]()
![]()
Jimi Lv7. 资深专家 2018-11-19棒棒哒 -
![]()
![]()
行行摄摄 Lv7. 资深专家 2018-11-19学习 -
![]()
![]()
小乐 Lv7. 资深专家 2018-11-18学习 -
![]()
![]()
游来游去 Lv8. 研究员 2018-07-16学习 -
![]()
![]()
Joyje Lv7. 资深专家 2018-06-21请问有没有实验过用了氮化镓晶体管和普通功率MOS在开关电源芯片上的效率比较，能提高多少 -
![]()
![]()
辛巴 Lv8. 研究员 2018-03-17学习了 -
![]()
![]()
风一样的男子 Lv6. 高级专家 2017-12-21不错啊 -
![]()
![]()
腾达 Lv6. 高级专家 2017-12-20不错不错 -
![]()
![]()
妍妍 Lv5. 技术专家 2017-12-18学习了 -
![]()
![]()
少年游 Lv7. 资深专家 2017-11-06学习一下
正在努力加载……相关推荐
【产品】增强型并采用半桥拓扑的氮化镓功率晶体管，能量效率最高可达90%
EPC 公司推出的GaN功率晶体管EPC2100,漏源电压VDS最大值为30V（连续），驱动电压范围-4V~6V，工作温度范围-40℃~150℃,最大工作频率超过10MHz,应用于高频DC-DC电源转换和负载点（POL）转换器等方面。
【产品】 GaN增强型大功率晶体管助力高功率密度电源转换
EPC2106氮化镓半桥增强型功率晶体管, 由Q1、Q2两个MOS管构成，更小的板载面积可以为电源转换带来更高的功率密度。
【产品】具集成式同步自举电路的氮化镓功率晶体管，输入电压范围0V~60V!
EPC 公司推出的GaN功率晶体管EPC2108，采用半桥式增强型结构，连续漏极电流最大值为1.7A，可承受较大的输入电压与最大不超过5.5A的脉冲电流。有着较低的传输损耗与零反向恢复损耗，应用于高频DC-DC电源转换、D类音频放大器 和无线电源。
EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型：配置：Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101，VDS最大值（V）：15~350V；VGS最大值（V）：5.75~7V
|
产品型号
|
品类
|
Configuration
|
VDSmax(V)
|
VGSmax(V)
|
Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
|
QG typ(nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
|
COSS (pF)
|
CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
|
Launch Date
|
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
|
Apr, 2017
|
选型表 - EPC 立即选型
EPC将在PCIM Asia 2024展示先进的氮化镓电源解决方案
作为全球增强型氮化镓 (GaN) FET 和 IC 的领导者，EPC 很高兴宣布将参加 PCIM Asia 2024。该活动将于 8 月 28 日至 30 日在中国深圳举行。EPC 的 GaN 专家将在 PCIM Asia 期间展示最新一代的 GaN FET 和 IC，涵盖包括 AI 服务器、机器人等在内的各种实际应用，探索业内最全面的 GaN 电力转换解决方案组合。
【应用】开关速度为纳秒级的氮化镓功率MOSFET助力包络跟踪电源
EPC的氮化镓功率MOSFET其开关速度在纳秒级范围，具备超快速开关性能，可应用于包络跟踪的高频多相降压转换器中。
EPC（宜普）增强型氮化镓功率晶体管技术简介（中文版）
型号- EPC2014,EPC2016,EPC2015,EPC9203,EPC9049,EPC9046,EPC9201,EPC9047,EPC9124,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2102,EPC2024,EPC2104,EPC8009,EPC2103,EPC8008,EPC2029,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC8002,EPC2021,EPC8007,EPC9057,EPC2020,EPC9014,EPC2023,EPC2100,EPC8005,EPC8004,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9509,EPC2035,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC9029,EPC2030,EPC9106,EPC9024,EPC2031,EPC9022,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2015C,EPC9038,EPC9115,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9111,EPC9035,EPC9112,EPC9036,EPC2001,EPC9510,EPC9037,EPC9114,EPC9030,EPC9031,EPC9032,EPC9033
宜普将在CES 2024展示基于氮化镓技术的消费电子应用场景，分享为该领域产品增强功能和性能的解决方案
增强型氮化镓（eGaN®）FET和IC领域的全球领导者宜普电源转换公司（EPC）将在CES 2024展会展示其卓越的氮化镓技术如何为消费电子产品在功能和性能方面做出贡献 ，包括实现更高效率、更小尺寸和更低成本的解决方案。CES展会期间，EPC的技术专家将于2023年1月9日至12日在套房与客户会面、进行技术交流、讨论氮化镓技术及其应用场景的最新发展。
EPC（宜普）氮化镓场效应晶体管面向D类音频放大器应用简介 中文版（AB003）
型号- EPC2036,EPC9509,EPC9001C,EPC2010C,EPC9003C,EPC2016C,EPC2019,EPC9106,EPC2032,EPC9046,EPC2031,EPC9047,EPC2034,EPC9048,EPC2033,EPC9061,EPC9062,EPC9040,EPC9002C,EGANAMP2016,EPC2103,EPC2001C,EPC2029,EPC2106,EPC2015C,EPC2108,EPC9010C,EPC2107,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC2021,EPC9035,EPC2020,EPC9014,EPC9510,EPC2022,EPC9033,EPC9055,EPC9050,EGANAMP 2.1,EPC9006C
【技术】氮化镓场效应晶体管两种散热方式，你知道么？
EPC场效应晶体管的D2PACK封装具的RθJA值小至18℃/W，而封装SO-8具有RθJA值大到34℃/W。
EPC Half-Bridge Development Boards 选型表
|
产品型号
|
品类
|
Status
|
Configuration
|
VDS max
|
VGS max
|
Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
|
QG typ (nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR (nC)
|
CISS (pF)
|
COSS (pF)
|
CRSS (pF)
|
ID (A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package (mm)
|
Development Board
|
|
EPC2040
|
eGaN FETs and Ics
|
Active
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
|
n/a
|
选型表 - EPC 立即选型
EPC氮化镓晶体管选型表
EPC提供以下氮化镓功率晶体管/GaN功率晶体管选型，最大耐压15V-350V，持续电流0.5A-90A，导通阻抗1.45Ω-3300mΩ，导通电荷0.044nC-19nC，峰值电流0.5A-590A。
|
产品型号
|
品类
|
最大耐压（V）
|
持续电流(A)
|
导通阻抗(mΩ)
|
导通电荷(nC)
|
峰值电流(A)
|
封装（mm)
|
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
15V
|
3.4A
|
30mΩ
|
0.745nC
|
28A
|
BGA 0.85 mm*1.2mm
|
选型表 - EPC 立即选型
【白皮书】EPC（宜普）氮化镓场效应晶体管FET电气特性（WP007）
描述- 本文介绍了eGaN FETs的基本电气特性，并与硅MOSFET进行了比较。了解这两种技术的异同，是了解如何改进现有的电力转换系统的必要基础。
EPC eGaN FETs and ICs 选型表
|
产品型号
|
品类
|
Status
|
Configuration
|
VDS max
|
VGS max
|
Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
|
QG typ (nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR (nC)
|
CISS (pF)
|
COSS (pF)
|
CRSS (pF)
|
ID (A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package (mm)
|
Development Board
|
|
EPC2040
|
eGaN FETs and Ics
|
Active
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
|
n/a
|
选型表 - EPC 立即选型
电子商城
品牌：EPC
品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge
价格：￥5.6384
现货： 2,417
品牌：EPC
品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge
价格：￥5.9251
现货： 2,357
品牌：EPC
品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格：￥10.5122
现货： 1,670
品牌：EPC
品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格：￥29.4342
现货： 485
品牌：EPC
品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格：￥29.9121
现货： 465
现货市场
服务
根据用户的蓝牙模块，使用Bluetooth 蓝牙测试装置MT8852B，测试蓝牙1.0至5.1，包括传输速率、功率、频率、调制和接收机灵敏度，生成测试报告。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳 提交需求>
可定制VC的常规厚度范围1.5mm至15mm，最薄可至0.2mm，最大可达400x400mm，功率范围3~2000w。3D VC较常规2D-VC功率提升30~40%。
最小起订量： 1000套 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论