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图 1 电路结构方框图
主要特点
●适用于反激SSR应用
●超低VF
●超低温升
●集成45V 10mΩ功率NMOS
●可工作于CCM、DCM&QR模式
●自供电技术,无需外围供电
●智能检测系统,无需前端同步信号
●对EMI/C有适当改善
●可以直接替换肖特基二极管
●无需任何外围
典型应用
●USB充电器
●适配器
●LED驱动等
典型功率
表 1
备注: 典型功率在密闭环境45℃环境下测试,DK5V45R10C系统输出额定电流建议不超过4.1A。
极限参数
表 2
电特性参数(TA = 25℃ 除非有其他说明)
表 3
SM-7封装外形及尺寸图
图 2
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