【产品】21A/1200V的N沟道SiC功率MOSFET WM1A160120B1/K1

2020-06-19 中电国基南方
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WM1A160120B1WM1A160120K1中电国基南方集团(CETC)推出的两款21A/1200V N沟道SiC功率MOSFET,其中WM1A160120B1为未封装的晶片,尺寸大小仅为2.44×3.33 mm2。WM1A160120K1采用TO-247-3封装。这两款产品的漏源导通电阻均为160 mΩ,工作结温最高可达175℃。具有高阻断电压、低导通电阻,低电容、能高速开关等特点,并且易于并联使用,驱动简单。其优势在于系统效率更高,对散热冷却要求低。可以应用于光伏逆变器、高压DC/DC转换器、电机驱动、开关电源、脉冲功率应用等领域。

 

图1. WM1A160120B1产品尺寸信息

图2. WM1A160120K1产品尺寸信息

特性

● 阻断电压高,导通电阻低

● 高速开关,电容低

● 容易并联,驱动简单

优势

● 系统效率更高

● 冷却要求降低

● 提高功率密度

● 提高系统开关频率

应用

● 光伏逆变器

● 高压DC/DC转换器

● 电机驱动

● 开关电源

● 脉冲功率应用

最大额定值:

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
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