【应用】适合SIC MOS管的驱动芯片,驱动能力高达4A

时间： 2017-10-21 来源：世强作者：明

技术问答

传统的普通MOS管无法满足在高开关的频率情况下，能够保证较低的损耗，而SIC MOS管能很好的解决上述问题，SIC MOS相比普通MOS管，能满足高的开关频率且损耗小，能够提高输出的效率。而普通的驱动芯片无法满足高频率的开关速度，SILICON LABS推出的隔离栅极驱动器Si8273能够满足SIC高频率的驱动需求，最大输出4A的驱动能力。SI8273损耗非常小。如果Vdd1 = 5.0 V；Vdd2 = 12 V；f = 350kHz；Rg = 22Ω；Qg = 25 nC，则其损耗Pd=199Mw。

具体的计算公式如下：

(公式1-1)

关于上式的定义如下：

• Pd是总体Si827x器件的功耗（W）

• Idd1是输入侧最大偏置电流（10 mA）

• Idd2是驱动器裸片最大偏置电流（4 mA）

• Cint是内部寄生电容（370 pF）

• Vdd1是输入端的VDD电源电压（2.5至5.5 V）

• Vdd2是驱动器侧电源电压（4.2？30V）

• f是开关频率（Hz）

• Qg是外部FET的栅极电荷

• Rg是外部栅极电阻

• Rp是驱动器上拉开关的RDS（ON）：2.7Ω

• Rn是驱动器下拉开关的RDS（ON）：1Ω

图1-1所示为SI8273的驱动运用图，原边供电电压在2.5V-5.5V之间，驱动侧供电电压在4.2V-30V之间，滤波电容选择1uF和0.1uF，尽量选择靠近引脚端。SI8273具有独立的两个输出通道，能够驱动两颗SIC MOS管，对于芯片的绝缘等级可以达到2.5KV，具有低的信号延时时间，且符合AEC-Q100的车规级认证。

图1：SI8273半桥驱动运用图

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全部评论（2）

LEE Lv8. 研究员 2017-10-21

挺好的
一头笨牛 Lv8. 研究员 2017-10-21

很好

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型号- SI8271GB-IS,SI8273ABD-IM,SI8274GB4D-IM,SI8274AB4D-IS1,SI8273GB-IS1R,SI8274GB1-IS1R,SI8275AB-IM,SI8274DB1-IS1R,SI827X,SI8274BB1-IS1,SI8273DB-IS1,SI8275GB-IS1,SI8274AB1-IMR,SI8273DB-IS1R,SI8273BBD-IS1,SI8274AB1-IS1R,SI8274GB1-IS1,SI8275GBD-IS1R,SI8274AB4D-IM,SI8275GB-IS1R,SI8273GBD-IS1R,SI8271AB-IS,SI8273AB-IS1R,SI8274DB1-IS1,SI8275ABD-IM,SI8271BB-ISR,SI8274AB1-IS1,SI8271BB-IS,SI8274GB1-IMR,SI8273ABD-IS1R,SI8273BBD-IS1R,SI8274AB4D-IS1R,SI8273,SI8274,SI8275,SI8274GB4D-IS1,SI8271,SI8275AB-IMR,SI8273AB-IS1,SI8273BB-IS1R,SI8273GB-IS1,SI8273DBD-IS1,SI8274GB4D-IS1R,SI8273ABD-IS1,SI8274GB4D-IMR,SI8273GBD-IS1,SI8275GBD-IS1,SI8271DB-ISR,SI8271DB-IS,SI8271GB-ISR,SI8275ABD-IMR,SI8274BB1-IS1R,SI8273AB-IM,SI8273BB-IS1,SI8274AB4D-IMR,SI8271AB-ISR,SI8274GB1-IM,SI8274AB1-IM,SI8273ABD-IMR,SI8273DBD-IS1R,SI8273AB-IMR

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Silicon Labs的隔离耦合器推荐双通道3.75 kV隔离开关，150m，1/1，SOIC8，无铅（def out=hi）。物料的小量快购价格和动态库存请参考世强元件电商商城，根据项目用量还可提供优质价格。同时，您还可直接在我司平台首页输入该型号搜索，查询世强库存以及标准价格情况、申请免费样品。世强有完善的供货系统，保障您的供货需求。更多咨询，请拨打服务热线400-887-3266或EMAIL 至service@sekorm.com。

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