【应用】适合SIC MOS管的驱动芯片,驱动能力高达4A

2017-10-21 世强
隔离耦合器,Si8273,Si8273ABD-IS1,Si8273BBD-IS1 隔离耦合器,Si8273,Si8273ABD-IS1,Si8273BBD-IS1 隔离耦合器,Si8273,Si8273ABD-IS1,Si8273BBD-IS1 隔离耦合器,Si8273,Si8273ABD-IS1,Si8273BBD-IS1

传统的普通MOS管无法满足在高开关的频率情况下,能够保证较低的损耗,而SIC MOS管能很好的解决上述问题,SIC MOS相比普通MOS管,能满足高的开关频率且损耗小,能够提高输出的效率。而普通的驱动芯片无法满足高频率的开关速度,SILICON LABS推出的隔离栅极驱动器Si8273能够满足SIC高频率的驱动需求,最大输出4A的驱动能力。SI8273损耗非常小。如果Vdd1 = 5.0 V;Vdd2 = 12 V;f = 350kHz;Rg = 22Ω;Qg = 25 nC,则其损耗Pd=199Mw。


具体的计算公式如下:


(公式1-1)


关于上式的定义如下:


• Pd是总体Si827x器件的功耗(W)

• Idd1是输入侧最大偏置电流(10 mA)

• Idd2是驱动器裸片最大偏置电流(4 mA)

• Cint是内部寄生电容(370 pF)

• Vdd1是输入端的VDD电源电压(2.5至5.5 V)

• Vdd2是驱动器侧电源电压(4.2?30V)

• f是开关频率(Hz)

• Qg是外部FET的栅极电荷

• Rg是外部栅极电阻

• Rp是驱动器上拉开关的RDS(ON):2.7Ω

• Rn是驱动器下拉开关的RDS(ON):1Ω


图1-1所示为SI8273的驱动运用图,原边供电电压在2.5V-5.5V之间,驱动侧供电电压在4.2V-30V之间,滤波电容选择1uF和0.1uF,尽量选择靠近引脚端。SI8273具有独立的两个输出通道,能够驱动两颗SIC MOS管,对于芯片的绝缘等级可以达到2.5KV,具有低的信号延时时间,且符合AEC-Q100的车规级认证。

 

图1:SI8273半桥驱动运用图






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  • LEE Lv8. 研究员 2017-10-21
    挺好的
  • 一头笨牛 Lv8. 研究员 2017-10-21
    很好
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提供是德(Keysight)网络分析仪、信号发生器、频谱分析仪、信号分析仪、电源等仪器维修,支持一台仪器即可维修。具备十年以上维修经验工程师,维修后测试合格率达98%,维修保修期长达三个月。

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