【产品】650V硅基氮化镓增强型功率晶体管裸片INN650N140A，具有零反向恢复电荷和超高开关频率等特性

时间： 2023-06-01 来源：英诺赛科

技术问答

英诺赛科推出的INN650N140A是650V硅基氮化镓增强型功率晶体管裸片，具有零反向恢复电荷、低栅极电荷、低输出电荷和超高开关频率等特性。产品符合JEDEC标准的工业应用要求，适用于AC-DC转换器，DC-DC转换器，图腾柱PFC，电池快充等领域。

特性：

增强型晶体管-常闭功率开关

超高开关频率

零反向恢复电荷

低栅极电荷，低输出电荷

符合JEDEC标准的工业应用要求

ESD防护功能

RoHS，无铅，符合REACH标准

应用：

AC-DC转换器

DC-DC转换器

图腾柱PFC

电池快充

高密度功率转换

高效率功率转换

主要参数：（T_j=25℃）

订购信息：

最大额定值：（T_j=25℃，除非另有说明）

注：

1.瞬态漏源电压用于非重复事件，t_PULSE<200µs。

2.脉冲漏源电压用于重复脉冲，t_PULSE<100ns。

3.受最高允许温度限制，采用DFN 5X6封装。

4.限值通过特性测试得出，而不是生产过程中测量得到。

5.如图10所示，最小连续栅源电压由ESD防护电路钳位。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由Jo翻译自英诺赛科，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【IC】业界首创CCM图腾柱PFC控制芯片：瞻芯电子IVCC110x，模拟控制能力高速、精确、可靠 ∣视频

瞻芯电子IVCC110x是业界首创的CCM模式图腾柱PFC控制芯片，其具备高速、精确、可靠的模拟控制能力。相比数字控制芯片，CCM图腾柱PFC控制芯片IVCC110x的封装更紧凑（16pin），无需编程调试。

产品发布时间 : 2023-10-24

【元件】英诺赛科发布100V VGaN INV100FQ030A，双向高压阻断，支持48V BMS应用

英诺赛科宣布推出100V双向导通器件INV100FQ030A，可在电池管理系统、双向变换器的高侧负荷开关、电源系统中的开关电路等领域实现高效应用。为便于客户验证和导入，英诺赛科同步提供BMS系统解决方案，设计方案涵盖低边同口、高边同口、高边分口等。

产品发布时间 : 2023-10-16

【产品】英诺赛科推出的650V硅上氮化镓增强型功率晶体管，采用双平面无引线封装（DFN），尺寸为8mm×8mm

英诺赛科推出的650V硅上氮化镓增强型功率晶体管，双平面无引线封装（DFN），尺寸为8mm×8mm。支持超高开关频率，并且具有无反向恢复电荷，低栅极电荷，低输出电荷的优点，符合JEDEC标准的工业应用资格。

产品发布时间 : 2023-05-01

英诺赛科（Innoscience）高压GaN FET/低压GaN FET/晶圆选型表

描述- 英诺赛科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。主要产品涵盖从低压到高压（30V-650V）的氮化镓功率器件，产品设计及性能均达到国际先进水平。

型号- INN150LA070A,INN650DA04,INN650D260A,INN650D150A,INN100W08,INN040LA015A,INN100W14,INN650D190A,INN650D080B,INN40W08,INN650N500A,INN650D350A,INN040W048A,INN650TA030A,INN650DA190A,INN650DA350A,INN650N260A,INN650DA150A,INN650DA260A,INN100W032A,INN650N150A,INN650TA080A,INN650N140A,INN650N240A

选型指南 - 英诺赛科 - 2022/11/15 PDF 中文下载

Platform: S650E2.0 --650V E-Mode GaN FET PRODUCT RELIABILITY REPORT

型号- INN650N05,INN650D140A,INN650DA2K2A,INN650N2K2A,INN650D190A,INN650N500A,INN650D240A,INN650DA600A,INN650DA500A,INN650N600A,INN650DA190A,INN650N190A,INN650DA240A,INN650DA140A,INN650DA350A,INN650N140A,INN650N240A,INN650N350A

测试报告 - 英诺赛科 - Revision 1.4 - May/25/2022 PDF 英文下载

INN650N140A 650V GaN Enhancement-mode Power Transistor

型号- INN650N140A

数据手册 - 英诺赛科 - Rev. 1.2 - 2022/04/09 PDF 英文下载

拆解报告：公牛65W 1A1C氮化镓充电器

充电头网通过拆解了解到，公牛这款氮化镓充电器采用杰华特JW1515HA+JW7726快充电源方案，搭配使用英诺赛科INN650D150A氮化镓开关管。采用两颗智融SW2303协议芯片分别对应USB-C和USB-A接口，并使用两颗防过充保护芯片进行自动断电功能。USB-A口采用同步升降压芯片进行电压转换。内部采用导热胶填充，增强散热性能。

原厂动态发布时间 : 2023-07-22

IVCT-REF00015 2.5kW碳化硅图腾柱PFC参考设计（IVCT-REF00015 2.5kW SiC-Based Totem-Pole PFC Reference Design）

型号- IV1Q12050T4,IVCR1401DP,IVCT-REF00015,IVCC1102,UCC28740DR,STY105NM50N,IVCR1401,UCC28740,IV1Q06060T4

应用笔记或设计指南 - 瞻芯电子 - 2022/5/20 PDF 中文下载查看更多版本

罗姆内置1700V耐压SiC MOSFET的AC-DC转换器IC，助推工厂智能化

ROHM推出了内置1700V耐压SiC MOSFET的AC-DC转换器IC“BM2SC12ｘFP2-LBZ”，适用于辅助电源等应用。该芯片是将1200V以上高耐压MOSFET和栅极驱动器IC一体化封装的全球初创产品。通过将采用了Si MOSFET的AC-DC转换器所需的12个独立芯片集成于一个封装中，大幅减少了元器件数量。

原厂动态发布时间 : 2024-02-23