【产品】650V硅基氮化镓增强型功率晶体管裸片INN650N140A,具有零反向恢复电荷和超高开关频率等特性

2023-06-01 英诺赛科
氮化镓增强型功率晶体管裸片,INN650N140A,英诺赛科 氮化镓增强型功率晶体管裸片,INN650N140A,英诺赛科 氮化镓增强型功率晶体管裸片,INN650N140A,英诺赛科 氮化镓增强型功率晶体管裸片,INN650N140A,英诺赛科

英诺赛科推出的INN650N140A是650V硅基氮化镓增强型功率晶体管裸片,具有零反向恢复电荷、低栅极电荷、低输出电荷和超高开关频率等特性。产品符合JEDEC标准的工业应用要求,适用于AC-DC转换器,DC-DC转换器,图腾柱PFC,电池快充等领域。


特性:

增强型晶体管-常闭功率开关

超高开关频率

零反向恢复电荷

低栅极电荷,低输出电荷

符合JEDEC标准的工业应用要求

ESD防护功能

RoHS,无铅,符合REACH标准


应用:

AC-DC转换器

DC-DC转换器

图腾柱PFC

电池快充

高密度功率转换

高效率功率转换


主要参数:(Tj=25℃)


订购信息:


最大额定值:(Tj=25℃,除非另有说明)

注:

1.瞬态漏源电压用于非重复事件,tPULSE<200µs。

2.脉冲漏源电压用于重复脉冲,tPULSE<100ns。

3.受最高允许温度限制,采用DFN 5X6封装。

4.限值通过特性测试得出,而不是生产过程中测量得到。

5.如图10所示,最小连续栅源电压由ESD防护电路钳位。

技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
  • +1 赞 0
  • 收藏
  • 评论 0

本文由Jo翻译自英诺赛科,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。

评论

   |   

提交评论

全部评论(0

暂无评论

相关推荐

【IC】业界首创CCM图腾柱PFC控制芯片:​瞻芯电子IVCC110x,模拟控制能力高速、精确、可靠 ∣视频

瞻芯电子IVCC110x是业界首创的CCM模式图腾柱PFC控制芯片,其具备高速、精确、可靠的模拟控制能力。相比数字控制芯片,CCM图腾柱PFC控制芯片IVCC110x的封装更紧凑(16pin),无需编程调试。

产品    发布时间 : 2023-10-24

【产品】英诺赛科推出的650V硅上氮化镓增强型功率晶体管,采用双平面无引线封装(DFN),尺寸为8mm×8mm

英诺赛科推出的650V硅上氮化镓增强型功率晶体管,双平面无引线封装(DFN),尺寸为8mm×8mm。支持超高开关频率,并且具有无反向恢复电荷,低栅极电荷,低输出电荷的优点,符合JEDEC标准的工业应用资格。

产品    发布时间 : 2023-05-01

【产品】650V硅基氮化镓增强型功率晶体管INN650DA140A,具有零反向恢复电荷、超高开关频率等特性

英诺赛科推出的INN650DA140A是650V硅上氮化镓增强型功率晶体管,采用双平面无铅封装(DFN),尺寸为5mm×6mm。具有零反向恢复电荷,低栅极电荷和低输出电荷,支持超高开关频率。产品符合JEDEC标准,可用于工业应用。

产品    发布时间 : 2023-04-01

英诺赛科(Innoscience)高压GaN FET/低压GaN FET/晶圆选型表

描述- 英诺赛科成立于2015年12月,是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。公司采用IDM全产业链模式,集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体,拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。主要产品涵盖从低压到高压(30V-650V)的氮化镓功率器件,产品设计及性能均达到国际先进水平。

型号- INN150LA070A,INN650DA04,INN650D260A,INN650D150A,INN100W08,INN040LA015A,INN100W14,INN650D190A,INN650D080B,INN40W08,INN650N500A,INN650D350A,INN040W048A,INN650TA030A,INN650DA190A,INN650DA350A,INN650N260A,INN650DA150A,INN650DA260A,INN100W032A,INN650N150A,INN650TA080A,INN650N140A,INN650N240A

选型指南  -  英诺赛科  - 2022/11/15 PDF 中文 下载

Platform: S650E2.0 --650V E-Mode GaN FET PRODUCT RELIABILITY REPORT

型号- INN650N05,INN650D140A,INN650DA2K2A,INN650N2K2A,INN650D190A,INN650N500A,INN650D240A,INN650DA600A,INN650DA500A,INN650N600A,INN650DA190A,INN650N190A,INN650DA240A,INN650DA140A,INN650DA350A,INN650N140A,INN650N240A,INN650N350A

测试报告  -  英诺赛科  - Revision 1.4  - May/25/2022 PDF 英文 下载

数据手册  -  英诺赛科  - Rev. 1.2  - 2022/04/09 PDF 英文 下载

拆解报告:公牛65W 1A1C氮化镓充电器

充电头网通过拆解了解到,公牛这款氮化镓充电器采用杰华特JW1515HA+JW7726快充电源方案,搭配使用英诺赛科INN650D150A氮化镓开关管。采用两颗智融SW2303协议芯片分别对应USB-C和USB-A接口,并使用两颗防过充保护芯片进行自动断电功能。USB-A口采用同步升降压芯片进行电压转换。内部采用导热胶填充,增强散热性能。

原厂动态    发布时间 : 2023-07-22

IVCT-REF00015 2.5kW碳化硅图腾柱PFC参考设计(IVCT-REF00015 2.5kW SiC-Based Totem-Pole PFC Reference Design)

型号- IV1Q12050T4,IVCR1401DP,IVCT-REF00015,IVCC1102,UCC28740DR,STY105NM50N,IVCR1401,UCC28740,IV1Q06060T4

应用笔记或设计指南  -  瞻芯电子  - 2022/5/20 PDF 中文 下载 查看更多版本

罗姆内置1700V耐压SiC MOSFET的AC-DC转换器IC,助推工厂智能化

ROHM推出了内置1700V耐压SiC MOSFET的AC-DC转换器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”,适用于辅助电源等应用。该芯片是将1200V以上高耐压MOSFET和栅极驱动器IC一体化封装的全球初创产品。通过将采用了Si MOSFET的AC-DC转换器所需的12个独立芯片集成于一个封装中,大幅减少了元器件数量。

原厂动态    发布时间 : 2024-02-23

应用笔记或设计指南  -  派恩杰  - Ver. 1.0  - 2022.01.07 PDF 英文 下载

【应用】英诺赛科60W氮化镓LED驱动电源方案,支持90~264V输入电压,满载输出效率达93.5%

英诺赛科推出了一款60W LED驱动电源参考设计,这款电源为单级高PF值反激设计,并且为原边反馈,无需光耦和输出电流检测电路,在初级完成恒压控制,电路精简,简化设计并降低成本;电源支持90~264V输入电压,220V输入满载输出效率高达93.5%。

应用方案    发布时间 : 2023-03-23

【应用】荣湃针对图腾柱PFC和LLC变换技术提供系列产品,助力数据中心服务器电源效率提升

荣湃半导体针对图腾柱PFC和LLC变换技术产生的问题推出一系列产品方案来应对解决:针对电流精准检测的隔离放大器系列Pai5500,针对功率器件驱动需要的低延时,大驱动能力,推出的隔离驱动Pai8233/Pai8211/Pai6581系列等。

应用方案    发布时间 : 2022-08-23

【应用】采用SiC MOSFET和Si SJ MOSFET的图腾柱PFC助力电源系统高性能设计,效率超过98%

传统AC-DC转换拓扑的短板在于输入处的二极管桥式整流器。这些二极管中的传导损耗会限制电源的总体效率。本文描述的图腾柱PFC则可以克服这一问题。实验结果表明,使用罗姆半导体公司在售的SiC MOSFET和Si SJ MOSFET,电源系统可以获得高于98%的效率。

应用方案    发布时间 : 2020-05-30

【产品】具有内部HV启动电路的准谐振AC-DC转换器AP8275,专为高性能离线转换器而设计

创瑞科技(AiT)为全球消费类电子产品市场提供音频放大及电源管理等解决方案,其推出的AP8275 AC-DC转换器由集成电流模式脉冲宽度调制(PWM)控制器和高压启动电路组成,专为高性能离线转换器而设计,只需极少的外部元件。QR-PWM、QR-PFM、突发模式操作和低功耗设备有助于满足待机节能标准并实现更高的效率。通过频率调制和软驱动技术实现出色的EMI性能。

新产品    发布时间 : 2019-06-28

【经验】解析镍氢电池快充技术的影响因素

镍氢电池是一种性能良好的蓄电池,也是我们在消费电子产品中常见的可充电电池,镍氢电池被广泛应用于等各种小型便携式的电子设备,携带便捷的电池产品更受到市场的青睐,镍氢电池快充技术受什么因素影响呢?本文为您解析镍氢电池快充技术的影响因素。

设计经验    发布时间 : 2022-05-14

展开更多

现货市场

查看更多

品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

价格:¥10.8000

现货:38,861

品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

价格:¥3.7500

现货:20,646

品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

价格:¥7.7100

现货:5,990

品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

价格:¥5.9700

现货:4,755

品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

价格:¥9.3000

现货:4,539

品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

价格:¥2.5500

现货:2,305

品牌:英诺赛科

品类:transistor

价格:¥5.5200

现货:2,270

品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

价格:¥3.5595

现货:936

品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

价格:¥3.5595

现货:730

品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

价格:¥4.7460

现货:470

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

电子商城

查看更多

暂无此商品

千家代理品牌,百万SKU现货供应/大批量采购订购/报价

服务

查看更多

PD/QC快充测试

满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。

实验室地址: 深圳 提交需求>

晶体回路匹配测试

测试范围:扬兴晶振全系列晶体,通过对晶体回路匹配分析,调整频率、驱动功率和起振能力,解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析,测完如有问题,会进一步晶振烧录/修改电路。

实验室地址: 深圳 提交需求>

查看更多

授权代理品牌:接插件及结构件

查看更多

授权代理品牌:部件、组件及配件

查看更多

授权代理品牌:电源及模块

查看更多

授权代理品牌:电子材料

查看更多

授权代理品牌:仪器仪表及测试配组件

查看更多

授权代理品牌:电工工具及材料

查看更多

授权代理品牌:机械电子元件

查看更多

授权代理品牌:加工与定制

世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答,帮助您快速完成研发及采购。
我要提问

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

研发客服
商务客服
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面