【产品】650V硅基氮化镓增强型功率晶体管裸片INN650N140A,具有零反向恢复电荷和超高开关频率等特性
英诺赛科推出的INN650N140A是650V硅基氮化镓增强型功率晶体管裸片,具有零反向恢复电荷、低栅极电荷、低输出电荷和超高开关频率等特性。产品符合JEDEC标准的工业应用要求,适用于AC-DC转换器,DC-DC转换器,图腾柱PFC,电池快充等领域。
特性:
增强型晶体管-常闭功率开关
超高开关频率
零反向恢复电荷
低栅极电荷,低输出电荷
符合JEDEC标准的工业应用要求
ESD防护功能
RoHS,无铅,符合REACH标准
应用:
AC-DC转换器
DC-DC转换器
图腾柱PFC
电池快充
高密度功率转换
高效率功率转换
主要参数:(Tj=25℃)
订购信息:
最大额定值:(Tj=25℃,除非另有说明)
注:
1.瞬态漏源电压用于非重复事件,tPULSE<200µs。
2.脉冲漏源电压用于重复脉冲,tPULSE<100ns。
3.受最高允许温度限制,采用DFN 5X6封装。
4.限值通过特性测试得出,而不是生产过程中测量得到。
5.如图10所示,最小连续栅源电压由ESD防护电路钳位。
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平台:S650E2.0--650V E-MODE氮化镓FET产品可靠性报告
型号- INN650N05,INN650D140A,INN650DA2K2A,INN650N2K2A,INN650D190A,INN650N500A,INN650D240A,INN650DA600A,INN650DA500A,INN650N600A,INN650DA190A,INN650N190A,INN650DA240A,INN650DA140A,INN650DA350A,INN650N140A,INN650N240A,INN650N350A
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实验室地址: 深圳 提交需求>
测试范围:扬兴晶振全系列晶体,通过对晶体回路匹配分析,调整频率、驱动功率和起振能力,解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析,测完如有问题,会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址: 深圳 提交需求>
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