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FRA系列晶片厚膜排列电阻能大幅节省集成电路空间,精密电路的设计需求
本文将详细介绍富信FRA系列晶片厚膜排列电阻,该电阻具有体积小,重量轻,可靠性和质量高的优点,能够大幅度节省集成电路的设计空间,被广泛应用于SDRAM和DDEAM终端、计算机、消费电子、手机和电信等领域。
【产品】支持旧版系统的同步动态随机存取存储器Non-ECC SO-DIMM,时钟频率为133MHz
ATP同步动态随机存取存储器(SDRAM)是PC133单倍数据倍率(SDR)的通用术语,其时钟频率为133MHz。ATP致力于为客户提供最可靠的产品,并提供定制筛选服务,以满足客户专门或独特的应用要求。
【产品】富信FRA系列晶片厚膜排列电阻,阻值范围覆盖1Ω~1MΩ,满足大部分电子设备的应用
富信推出的FRA系列晶片厚膜排列电阻凭借其体积小、重量轻、组装成本低、可靠度高、质量好、节省空间等优良特性可广泛应用于SDRAM和DDRAM终端、计算机应用、消费电子设备(PDA、PND)、手机电信等电子设备。
【产品】64M x 16 bit 的大容量DDR3L SDRAM,容量达到1Gb
AS4C64M16D3LB是一款由美国Alliance Memory公司全新推出的一款64M x 16 bit 的大容量DDR3L SDRAM内存,工作电压降低到了+1.35V,其功率损耗也相应的变得更低,更为节能。高速度传输和读写速度的同时,该内存的总容量也达到了1Gb。分为商业款(AS4C64M16D3LB-12BCN)和工业款(AS4C64M16D3LB-12BIN)两种型号。
【产品】最高速率达1600Mb/s的DDR3L SDRAM
AS4C512M8D3L是一款最高速率达1600Mb/s的DDR3L SDRAM,采用1.35V的单电源供电,其内存容量为4GB(512M×8bit),内置8个I/O接口,8个Bank,符合JEDEC时钟抖动规范。可为工业、医疗、网络、电信和航空航天等领域的新一代微处理器提供更高的带宽。
What are the Common Memory Error Types and How Do ECC DIMMs Work?
ATP DRAM products are used in applications where the highest degree of reliability is required. Memory errors can have a major impact on operations, so ATP painstakingly ensures that all its DRAM products meet the toughest standards.
【产品】富信推出FRA系列厚膜凸式贴片排阻,体积小,节省空间,应用于计算机应用
富信推出FRA系列厚膜凸式贴片排阻。该贴片网络电阻器产品体积小、重量轻、可靠度高、质量好、节省空间等特点,工作温度在-55℃~+155℃。应用于SDRAM和DDRAM终端,计算机应用,消费电子设备PDA、PND、手机、电信等 。
Understanding RAM and DRAM Computer Memory Types
ATP offers industrial memory modules in different architectures, capacities and form factors. ATP DRAM modules are commonly used in industrial PCs and embedded systems. Resistant against vibration, shock, dust and other challenging conditions, ATP DRAM modules perform well even under the most demanding workloads and applications, as well as in different operating environments.
Alliance携eMMC,SDRAM,NOR Flash类新款存储产品,亮相2022慕尼黑电子展
Alliance携各类新款存储产品亮相2022慕尼黑电子展,其中包含eMMC,SDRAM,NOR Flash类别的产品。其中,不乏有极具竞争力的产品线,为广大厂商提供极具性价比的解决方案。
高性能PC应用的福音: 512Mbit SDRAM又回来了!
Micron重启了512Mbit SDRAM产品线,并由Alliance Memory代理。适合于医疗、工业、汽车和电信应用等需要高存储带宽的场合,尤其适合于高性能计算机应用。
DDR3 The Global Leader in Specialized Storage and Memory Solutions
型号- AQ12P64A8BLK0M,AQ24P64B8BLK0M,AW24P64F8BLK0M,AW12P6438BLK0M
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可自由定制电池形状,锂离子聚合物/磷酸铁锂成分,放电倍率Max. 50C (持续放电倍率) / 150C (脉冲放电倍率),充电倍率:Max. 5,厚度可达0.5mm。
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