【应用】国产P沟型MOS管CJAE10P06,应用在夹具的SMPS,漏源电压为-60,栅源电压为±20V

2022-08-25 世强
P沟型MOS管,CJAE10P06,CJAE10P06_PDFNWB3.3*3.3-8L,长晶科技 P沟型MOS管,CJAE10P06,CJAE10P06_PDFNWB3.3*3.3-8L,长晶科技 P沟型MOS管,CJAE10P06,CJAE10P06_PDFNWB3.3*3.3-8L,长晶科技 P沟型MOS管,CJAE10P06,CJAE10P06_PDFNWB3.3*3.3-8L,长晶科技

客户的夹具项目的开关电源(SMPS)上需要P型MOS管作为负载开关,要求漏-源电压VDS能达到-45V,栅源电压VGS为20V,漏极直流电流-10A足够,较低的漏源通态电阻,封装尽量小,可选DFN3×3。据此给客户推荐了长晶科技CJAE10P06

其采用了先进的沟槽技术和设计提供低栅极电荷的RDS(ON),特点如下:

  • 电池开关

  • 负荷开关

  • 用于超低RDS(ON)的高密度单元设计

  • 稳定性好,均匀性好,EAS高

  • 优秀的包装,良好的散热

  • 非常典型的单脉冲雪崩击穿电压和电流


主要应用于:

  • 开关电源(SMPS,switched-mode power supply)和一般用途应用

  • 硬开关和高频电路

  • 不间断电源(UPS)


为方便客户选型和确认,总结出的主要参数如下:

从上表可以看出,漏源电压为-60,栅源电压为±20V,漏极直流电流为-10V,均满足客户的基本要求。


CJAE10P06的RDS(ON)在-10V条件下的电阻仅为26mΩ,耗散功率最大为30.5W,稍微有点大,但是结到环境的热阻比较低为83.3℃/W,对于热设计就比较友好了。另一个重要安全指标EAS可达180mJ,更深入的电路设计,就要参考其他的典型电和热特性,均可在规格书里面的图表找到相应的数据,如RDS(ON)-VGS关系曲线:

经与原厂确认,CJAE10P06的实际下单料号为CJAE10P06_PDFNWB3.3*3.3-8L,客户已经申请样品并测试。


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