【产品】 1200V/75 mΩ的IGBT功率模块10-EZ126PB075ME-LS17F08T

时间： 2020-06-26 来源：Vincotech

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IGBT功率模块,10-EZ126PB075ME-LS17F08T,Vincotech

VINCOTECH（威科）推出的IGBT功率模块 10-EZ126PB075ME-LS17F08T，属于flowPACK E1 SiC系列，采用了C3M™SiC MOSFET技术和flow E1封装，具有低电感设计等特点。漏源电压为1200 V，标称芯片电流为20A，体积为62.8mm x 34.8mm x 12mm，可应用于电梯驱动器，工业驱动器，伺服驱动器，UPS等领域。

图1 产品实物图

图2 原理图

特点

●C3M™SiC MOSFET技术

●标准工业外壳

●低电感设计

●优化的Rth（j-s）和相变材料

●内置NTC

应用

●电梯驱动器

●工业驱动器

●伺服驱动器

●UPS

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产品型号	品类	产品状态	拓扑	电压(V)	电流(A)	模块高度 (mm)	晶圆工艺	封装
10-0B06PPA004RC-L022A09	SiC功率模块	Series production	PIM+PFC(CIP)	600V	4A	17mm	IGBT RC	flow 0B

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产品型号	品类	SUB-TOPOLOGY	PRODUCT LINE	VOLTAGEIN（V）	CURRENTIN(A)	MAIN CHIP TECHNOLOGY	HOUSING FAMILY	HEIGHTIN（mm）	ISOLATION
10-EY122PA005ME-LU39F08T	SiC功率模块	Half-Bridge-NTC	flowDUAL E2 SiC	1200	300	SiC MOSFET	flow E2	12	Al2O3