【应用】国产隔离栅极驱动器SLM341CK-DG用于储能BMS，共模抑制比高达150kV/μs
储能BMS，是配合监控储能电池状态的设备。BMS和电芯一起组成电池系统。BMS担任储能系统中的感知角色，主要功能是监控电池储能单元内各电池运行状态，保障储能单元安全运行。BMS对电池的基本参数进行测量，包括电压、电流、温度等，防止电池出现过充电和过放电，延长电池的使用寿命。
根据以上储能BMS应用需求，本文推荐采用数明半导体推出的隔离栅极驱动器SLM341CK-DG，其框图如下：
图1-储能BMS功率单元框图
选用数明半导体SLM341CK-DG，优势如下：
1、数明SLM341CK-DG共模抑制比高达150kV/μs，瞬态抑制能力更强；
2、输出端供电电压范围较宽，14V~40V的宽电压范围更易兼容辅助电源的电压；
3、输入端反向耐压值高达30V，让上下管硬件互锁设计成为可能，可靠性高；
4、匹配延迟低至25ns，对于半桥结构死区控制更容易；
5、工作温度范围-40℃~+150℃，SO-6封装，满足工业场景应用需求；
综上，数明半导体隔离栅极驱动器SLM341CK-DG非常适用于储能BMS。
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展会邀请 | 奥特与您相约杭州电源工业展览会，多领域光电耦合器产品将悉数亮相
AOTE奥特与您相约杭州电源工业展览会！此次展会，奥特半导体将携带：晶体管输出光耦、达林顿光耦、光继电器、可控硅光耦、高速光耦、栅极驱动光耦、智能栅极驱动光耦、智能功率模块接口光耦及隔离运算放大器等等亮相。
SLMI823x双通道隔离栅极驱动器
描述- SLMi823x系列隔离栅极驱动器是一款双通道隔离式栅极驱动器，具有不同的配置选项。该系列产品包括高边/低边驱动器和双通道驱动器，峰值输出电流为1.0A或4.0A。具备可编程死区时间（DT）功能，并支持同时关闭两个输出以实现安全关断。适用于AC和BLDC电机驱动、可再生能源逆变器、工业电源等领域。
型号- SLMI8233BD,SLMI8235BB,SLMI8235DD,SLMI8232BD,SLMI8234BB,SLMI8234DD,SLMI8235BD,SLMI8234BD,SLMI823XDDCG-DG,SLMI823XBBEP-DG,SLMI8232,SLMI8233,SLMI8230,SLMI8231,SLMI8234,SLMI8235,SLMI823XBDCG-DG,SLMI823X,SLMI8231DB,SLMI8230DB,SLMI8231BB,SLMI8231DD,SLMI8233DB,SLMI8230BB,SLMI8230DD,SLMI8232DB,SLMI8231BD,SLMI8233BB,SLMI8233DD,SLMI8235DB,SLMI8230BD,SLMI8232BB,SLMI8232DD,SLMI8234DB,SLMI823XDBEP-DG
SILM825x双通道4A/40V、5.0kVRMS隔离式栅极驱动器
描述- SiLM825x系列隔离栅极驱动器是一款双通道隔离栅极驱动器，具有不同的配置选项。该系列包括SiLM8253/4（高边/低边驱动器）和SiLM8255（双驱动器）。产品具有4.0A峰值源输出电流和7.0A峰值吸收输出电流，支持可编程死区时间，并具有5kVRMS隔离性能。适用于各种隔离MOSFET/IGBT和SiC或GaN FET栅极驱动应用。
型号- SILM8254BDCP-DG,SILM8255DDCG-DG,SILM8255BDCP-DG,SILM825X,SILM8253DDCG-DG,SILM8254DDCG-DG,SILM8255,SILM8254,SILM8253DDCP-DG,SILM8253DBCL-DG,SILM8254DBCL-DG,SILM8255DBCL-DG,SILM8255DDCP-DG,SILM8254DDCP-DG,SILM8253BDCG-DG,SILM8255BBCL-DG,SILM8254BBCL-DG,SILM825X FAMILY,SILM8254BDCG-DG,SILM8255BDCG-DG,SILM8253,SILM8253BBCL-DG,SILM8253BDCP-DG
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可定制变压器支持60W-600W范围，额定电流最高10A，漏感稳定度最小3%；支持开关变压器、电流感测变压器、栅极驱动变压器、LLC谐振变压器、PoE变压器等产品定制。SPQ为5K。
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可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
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