【产品】逻辑电平驱动的N沟道MOS管、肖特基二极管二合一开关管
CENTRAL半导体公司推出了一款N沟道MOS管和肖特基二极管二合一封装的产品CMLM0574。采用了SOT-563封装，大幅降低layout尺寸，并且降低设计成本。相较于单独的使用一个SOT-523N封装沟道MOS管和一个SOD-523封装肖特基二极管，此产品可减少35%的占板空间，尺寸大小大约为1.60mm x 1.60mm x 0.525mm。
图一：封装大小比较
CMLM0574中肖特基二极管的反向耐压为40V，额定电流为500mA。具有很低的正向压降，在正向电流为100mA情况下，正向电压仅350mV，具有较低的功耗，有利于启动电路，浪涌电流为10A。内置的N沟道MOS管的额定电压为30V，额定电流450mA，，ESD保护电压高达2000V，可以保证产品的稳定运行，不被损坏。RDS（on）为560mΩ（@VGS=2.5V），低导通阻抗可以带来低损耗，不仅可提升了效率，而且可减小自身发热。栅极电荷总量仅为0.792 nC， 所需驱动功率低，导通损耗也低。可在DC-DC转换器，电源管理应用中使用。
图二：产品示意图
产品特性：
· MOSFET管栅源耐压为30V，额定电流为450mA
· MOSFET管击穿电压BVDSS为30V
· MOSFET管VGS（th）在0.5V和1.0V之间，逻辑电平驱动
· 内置MOSFET管导通电阻为560mΩ@VGS=2.5V
· 内置肖特基二极管反向耐压为40V，额定电流为500mA
· 内置肖特基二极管正向压降最大值470mV@500mA
· 内置肖特基二极管势垒电容值为50pF
· 内部集成了一个肖特基二极管和一个N沟道MOS管
· ESD保护高达2KV
应用领域：
· DC-DC转换器
· 电源管理应用
· 便携式设备的充电电路
· 电压钳位
· 反向极性保护
技术顾问：同小丁
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用户18396822 Lv8 2018-07-28顶起 -
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Kaven Lv4. 资深工程师 2018-04-05不错好以后有机会用 -
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Tonyxing Lv8. 研究员 2018-02-23不错 -
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watson Lv7. 资深专家 2018-01-26不错的资料 -
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自强 Lv7. 资深专家 2017-12-17赞一个。 -
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沈戈戈 Lv7. 资深专家 2017-12-12感谢分享，资料不错，学习了解下先 -
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kelven Lv8. 研究员 2017-11-25可以，看下 -
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有爱有力量 Lv7. 资深专家 2017-11-22属于常用器件，收藏了 -
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太阳 Lv5. 技术专家 2017-11-05不错
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