【应用】国产低插损、高隔离度SPDT射频开关X122用于5G RUU，开关切换时间典型值仅1.6μs
5G RRU（远端射频模块）是由TRX、功放、射频算法、滤波器、天线等部分组成，射频开关在射频部分的作用通过逻辑控制实现不同信号路径、接收与发射、不同频段间的切换，在此对射频开关的隔离度及插损都有一定的要求以提高信号质量，本文推荐西南集成的高功率SPDT射频开关X122。
X122能覆盖5MHz~6GHz频段，插损典型值（RF至RF1/2）在5MHz至960MHz应用时仅为0.3dB，960MHz至2000MHz应用时仅0.35dB，插入损耗越低对功率的耗也会越低，其隔离度在1.98GHz时能达35dB，可防止各通道之间的干扰。
逻辑控制表
X122具备以下几点优势：
1、外部采用0/+3.0V电压控制，兼容1.8V/1.2V控制电平，可使开发者灵活控制开关切换。
2、封装为2mm*2mm QFN12L，小封装有利于节省PCB板面积。
3、开关切换时间典型值为1.6μs，可快速从一个通道切换到另一个通道。
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产品型号
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品类
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工作电压 (V)
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工作电流 (mA)
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最低工作频率 (MHz/GHz)
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最高工作频率 (Hz)
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插损 (dB)
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OP-1 (dBm)
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OIP3 (dBm)
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隔离度 (dB)
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封装形式
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XND230
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射频开关
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3~5.5
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0.2
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50MHz
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5G
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0.5
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33
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60
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50
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QFN20
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选型表 - 西南集成 立即选型
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