【产品】MOSFET的终结者eGaN FET，效率高达98%！
与Si MOSFET相比，GaN在电源转换效率和功率密度上实现了性能的飞跃，广泛应用于功率因数校正(PFC)、软开关DC-DC等电源系统设计，以及电源适配器、光伏逆变器、服务器及通信电源等终端领域。
宜普电源转换公司（EPC）是基于氮化镓（GaN）功率管理技术的领导者，其产品广泛应用于无线电源传送、全自动汽车以及高速移动通信、低成本卫星及医疗护理等应用，EPC氮化镓产品成为勇于革新、持续前进和渴望保持行业领先地位的公司的首选。
1）EPC的eGaN FET具有独特的封装，可以帮助改善热性能，降低热阻。
图1：eGaN FET封装与Si MOS管封装热阻对比
由图1可以看到，当器件封装面积相同时，与Si MOS管相比，eGaN FET热阻仅为前者的1/2。
2）EPC的eGaN FET具有更高的开关频率，驱动波形上升和下降速度更快。
图2：eGaN FET与Si MOSFET开通波形对比
由图2可以看到，同为80V耐压的eGaN FET与Si MOSFET，eGaN FET波形上升时间仅为3ns，而Si MOSFET波形上升时间接近13ns，开通速度相差4倍以上。
3）EPC的eGaN FET运行在高开关频率时，其效率远高于Si MOSFET（以EPC2001为例）。
图3：在DC-DC电源中eGaN FET与Si MOSFET效率对比
由图3可以看到，在48V转12V的DC-DC电源中，开关频率分别在300kHz和500kHz时，eGaN FET效率分别可以做到97.5%和98%，而Si MOSFET效率仅为95.5%。
EPC的eGaN具有出色的击穿能力、更高的电子密度和速度，以及更高的工作温度。eGaN开关过程的反向恢复时间可忽略不计，因而表现出低损耗并提供高开关频率，而低损耗加上宽带宽器件的高结温特性，可降低散热量，高开关频率可减少滤波器和无源器件如变压器、电容、电感等的使用，最终减小系统尺寸和重量，提升功率密度，有助于设计人员实现紧凑的高能效电源方案。
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