【产品】TMA6N70HY~TMU6N70HY四款N沟道MOSFET，漏源电压高达700V
由无锡紫光微公司推出的TMA6N70HY, TMP6N70HY, TMD6N70HY, TMU6N70HY四款N沟道MOSFET，其漏源电压700V，连续漏极电流6A，具有快速切换的性能特点以及100%雪崩测试和改进的dv/dt功能。主要应用于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、功率因数校正（PFC）等领域。四款产品的主要差异在于封装形式，具体请参照下图。
图1 产品封装示意图及标记和包装信息
TMA6N70HY~TMU6N70HY型号四款N沟道MOSFET最大额定值（除非另有规定，否则Ta=25℃）：
注：
1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2.IAS = 6A，VDD = 50V，RG = 25Ω，开始TJ = 25℃
3.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤1％
机械尺寸图：
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