【产品】15W功率封装氮化镓晶体管CHK015A-QIA，增益可达14dB
全球领先的微波元件供应商UMS（United Monolithic Semiconductors）推出CHK015A-QIA型号氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管，支持脉冲和连续波工作模式，带宽达6GHz。输出功率达15W，增益可达14dB。该产品可以为各种射频功率应用提供较为通用的解决方案。该系列晶体管采用0.5μm栅极长度的GaN HEMT工艺。需要外部匹配电路。采用低成本塑料封装，具有低寄生和低热阻。
图1：CHK015A-QIA实物图
CHK015A-QIA氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管的工作带宽为6GHz，漏源电压为50V，可满足大部分情况下的使用需求。在环境温度为25℃，脉冲模式，Freq=3GHz，VDS=50V，ID_Q=100mA情况下，线性增益典型值为20dB，输出功率典型值为20W， 最大功率附加效率典型值为60%，具有较低的功耗。
测试条件（VDS= 50V, ID_Q= 100mA, Freq = 2.9GHz，Pulsed mode (100µs, 10%)）
图2：在S波段评估板的性能
CHK015A-QIA系列氮化镓（GaN）射频晶体管主要特性：
工作带宽：6GHz
脉冲和连续波工作模式
高功率：>15 W
高效率:达到70%
直流偏置：Vd=50Volt @ Id=100mA
低成本封装:14L-DFN3x4
平均无故障时间大于106小时@ Tj=200°C
CHK015A-QIA系列氮化镓（GaN）射频晶体管主要应用：
• 通信系统
• 雷达系统
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北冥之鲲 Lv8 2019-01-11CHK015A是15W饱和功率输出的宽带GaN功放，可用于S波段和部分C波段雷达末级功放输出。 -
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独角兽 Lv9. 科学家 2018-10-24不错 -
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嘟嘟星魂 Lv8. 研究员 2018-10-24学习了 -
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梦幻天涯 Lv7. 资深专家 2018-10-18学习了 -
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叶少专注高频微波pcb116425136 Lv8. 研究员 2018-09-20了解一下
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产品型号
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品类
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Glin(dB) @ Freq(GHz)
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Operating Frequency(GHz)
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Saturated Power(W)
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PAE(%) @ Freq(GHz)
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Bias(mA)
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Bias(V)
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Case
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CHKA011aSXA
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氮化镓功率晶体管
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23.5 @ 0.44
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Up to 1.5
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130
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75 @ 0.44
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640
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50
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Ceramic Metal Flange
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