【产品】15W功率封装氮化镓晶体管CHK015A-QIA,增益可达14dB

2018-09-20 UMS
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全球领先的微波元件供应商UMS(United Monolithic Semiconductors)推出CHK015A-QIA型号氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管,支持脉冲和连续波工作模式,带宽达6GHz。输出功率达15W,增益可达14dB。该产品可以为各种射频功率应用提供较为通用的解决方案。该系列晶体管采用0.5μm栅极长度的GaN HEMT工艺。需要外部匹配电路。采用低成本塑料封装,具有低寄生和低热阻。


图1:CHK015A-QIA实物图


CHK015A-QIA氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管的工作带宽为6GHz,漏源电压为50V,可满足大部分情况下的使用需求。在环境温度为25℃,脉冲模式,Freq=3GHz,VDS=50V,ID_Q=100mA情况下,线性增益典型值为20dB,输出功率典型值为20W, 最大功率附加效率典型值为60%,具有较低的功耗。


测试条件(VDS= 50V, ID_Q= 100mA, Freq = 2.9GHz,Pulsed mode (100µs, 10%))

 图2:在S波段评估板的性能


CHK015A-QIA系列氮化镓(GaN)射频晶体管主要特性:

工作带宽:6GHz

脉冲和连续波工作模式         

高功率:>15 W

高效率:达到70%  

直流偏置:Vd=50Volt @ Id=100mA  

低成本封装:14L-DFN3x4                                         

平均无故障时间大于106小时@ Tj=200°C


CHK015A-QIA系列氮化镓(GaN)射频晶体管主要应用:

• 通信系统
• 雷达系统


授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
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全部评论(5

  • 北冥之鲲 Lv8 2019-01-11
    CHK015A是15W饱和功率输出的宽带GaN功放,可用于S波段和部分C波段雷达末级功放输出。
  • 独角兽 Lv9. 科学家 2018-10-24
    不错
  • 嘟嘟星魂 Lv8. 研究员 2018-10-24
    学习了
  • 梦幻天涯 Lv7. 资深专家 2018-10-18
    学习了
  • 叶少专注高频微波pcb116425136 Lv8. 研究员 2018-09-20
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型号- CHK015A-QIA

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