【产品】15W功率封装氮化镓晶体管CHK015A-QIA,增益可达14dB
全球领先的微波元件供应商UMS(United Monolithic Semiconductors)推出CHK015A-QIA型号氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管,支持脉冲和连续波工作模式,带宽达6GHz。输出功率达15W,增益可达14dB。该产品可以为各种射频功率应用提供较为通用的解决方案。该系列晶体管采用0.5μm栅极长度的GaN HEMT工艺。需要外部匹配电路。采用低成本塑料封装,具有低寄生和低热阻。
图1:CHK015A-QIA实物图
CHK015A-QIA氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管的工作带宽为6GHz,漏源电压为50V,可满足大部分情况下的使用需求。在环境温度为25℃,脉冲模式,Freq=3GHz,VDS=50V,ID_Q=100mA情况下,线性增益典型值为20dB,输出功率典型值为20W, 最大功率附加效率典型值为60%,具有较低的功耗。
测试条件(VDS= 50V, ID_Q= 100mA, Freq = 2.9GHz,Pulsed mode (100µs, 10%))
图2:在S波段评估板的性能
CHK015A-QIA系列氮化镓(GaN)射频晶体管主要特性:
工作带宽:6GHz
脉冲和连续波工作模式
高功率:>15 W
高效率:达到70%
直流偏置:Vd=50Volt @ Id=100mA
低成本封装:14L-DFN3x4
平均无故障时间大于106小时@ Tj=200°C
CHK015A-QIA系列氮化镓(GaN)射频晶体管主要应用:
• 通信系统
• 雷达系统
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北冥之鲲 Lv8 2019-01-11CHK015A是15W饱和功率输出的宽带GaN功放,可用于S波段和部分C波段雷达末级功放输出。
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独角兽 Lv9. 科学家 2018-10-24不错
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嘟嘟星魂 Lv8. 研究员 2018-10-24学习了
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梦幻天涯 Lv7. 资深专家 2018-10-18学习了
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叶少专注高频微波pcb116425136 Lv8. 研究员 2018-09-20了解一下
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UMS氮化镓(GaN)功率晶体管选型表
UMS氮化镓(GaN)功率晶体管选型:Glin(dB) @ Freq(GHz):12-23.5,Saturated Power(W):14-180,Bias(mA):0.1-1300,Bias(V):30-50.
产品型号
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品类
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Glin(dB) @ Freq(GHz)
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Operating Frequency(GHz)
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Saturated Power(W)
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PAE(%) @ Freq(GHz)
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Bias(mA)
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Bias(V)
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Case
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CHKA011aSXA
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氮化镓功率晶体管
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23.5 @ 0.44
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Up to 1.5
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130
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75 @ 0.44
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640
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50
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Ceramic Metal Flange
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选型表 - UMS 立即选型
CHK5010-99F 4W功率晶体管SiC氮化镓高电子迁移率晶体管
描述- 该资料介绍了CHK5010-99F是一款基于氮化镓(GaN)HEMT技术的4瓦功率晶体管。它适用于多种射频功率应用,具有宽频带能力,最高可达12GHz,支持脉冲和连续波操作模式。芯片尺寸为0.90x0.80x0.1毫米,符合RoHS和REACH环保标准。
型号- CHK5010-99F,CHK5010-99F/00
氮化镓和砷化镓产品及铸造解决方案
描述- 该资料主要介绍了ENABLE公司提供的GaN和GaAs产品及代工解决方案,涵盖中频、毫米波RAN、固定无线接入、5G测试测量、中继器、室内设备以及V、E、W和D波段无线回程等领域。产品包括前端模块、高功率放大器、低噪声放大器、开关、系统级封装(SiP)、多芯片集成等。资料还展示了不同频段的产品参数,如增益、饱和功率、线性度等,并提供了UMS公司的联系方式和全球分销商信息。
型号- CHM1294-99F,CHA2152-NIA,CHK9013-99F,CHA1008-99F,CHA2180-NBA,CHA3090-98F,CHA5659-QXG,CHK015AAQIA,CHA3688AQDG,CHA2595-98F,CHA8262-99F,GH50,CHA7062-QCB,CHA4105-QDG,CHC6094-QKB,CHA2069-QDG,CHA6094-QKB,CHA2595-QDG,CHA3396-QDG,PH10,CHC6094,CHA4350-QDG,CHA6652-QXG,PH15,CHW4313-QAG,CHA3397-QDG,CHM1080-98F,CHA2080-98F,CHE1270-QAG,CHA6095-QKB,CHA3409-98F,GH25,CHA3398-QDG,CHA6653-QXG,CHA7453-99F,CHK8101A99F,CHA6354-QQA,CHT4690-QAG,CHA3024-QGG,CHC6054-QQA,CHA2352-98F,CHZ8012-QJA,CHA3395-QDG,CHW4312-QKA,CHA2159-99F,PPH15X,CHA3656-QAG,GH15,CHR2295-99F,CHA2494-QEG,CHA7455-99F,CHA6194-QXG,CHA7250-QAB,CHA2368-98F,CHM1298-99F,CHA3080-98F,CHR1080A98F,CHA7060-QAB,CHA6357-QKB,CHA4220-QGG
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型号- CHS7012-99F,CHS8618-99F,CHA8710-99F,CHK8015-99F,CHK9014-99F,CHA6710-99F,CHK9013-99F,CHA8610-QYG,CHA8611-99F,CHZ8012-QJA,CHZ9012-QFA
CHKA011ASXA 130W功率封装晶体管SiC封装氮化镓高电子迁移率晶体管
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型号- CHKA011ASXA,CHKA011ASXA/26,CHKA011ASXA/XY
CHK015A-qia15w功率封装晶体管SiC基氮化镓高电子迁移率晶体管
描述- 该资料介绍了名为CHK015A-QIA的15W功率封装晶体管。这款器件采用氮化镓HEMT工艺制造,适用于多种射频功率应用,包括雷达和电信。其主要特点是宽带能力(高达6GHz)、高功率(大于15W)和高效率(最高达70%)。此外,它还具有低成本塑料封装、低寄生元件和低热阻等特点。
型号- CHK015A-QIA
L波段功放模块,应用宽带GaN功放CHK025A,在2-4GHz带宽内应用,要求输出功率和增益波动范围小于1dB,同时输入和输出端采用同一个匹配,能否实现?
宽带GaN功放CHK025A,频率范围DC-4.5GHz,饱和输出功率30W,在2GHz和4GHz频率下的输入端阻抗和输出端阻抗变化较大,增益随频率升高从 24dB降低到18dB,输出功率变化超过10W,无法满足2GHz带宽下应用需求,同一匹配条件下GaN功放也不能满足2GHz的应用带宽,建议不同频段采用不同的匹配才能分段覆盖应用频段。
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可定制单位/双位/三位/四位LED数码管的尺寸/位数/发光颜色等性能参数,每段亮度0.8~30mcd,主波长470~640nm,电压2~10.2V。
最小起订量: 1000 提交需求>
可定制三防平板尺寸范围5~15.6寸,win10/11/安卓90/10.0/110/120/Linux/麒麟系统等多系统定制,IP65防尘防水,在-10°C~50°C稳定运行,支持一维/二维、NFC等功能模块、指纹识别模块自由选配。
最小起订量: 1台 提交需求>
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