【产品】高速8K x 9双端口静态RAM（SRAM）IDT7015，适用于18位或更多位数的存储系统应用
IDT（RENESAS收购）推出的IDT7015是一款高速的8K x 9双端口静态RAM（SRAM）。IDT7015设计用于18位或更多位数系统的独立双端口RAM或MASTER/SLAVE双端口RAM的组合。在18位或更广泛的存储系统应用中使用IDT MASTER/SLAVE双端口RAM方法可实现全速、无误的操作，而无需其他离散逻辑。
该设备提供了两个独立的端口，具有独立的控制，地址和I/O引脚，这些端口允许进行独立、异步访问，以对存储器中的任何位置进行读取或写入。由CE引脚控制的自动掉电功能允许每个端口的片上电路进入非常低的待机功耗模式。这些器件采用CMOS高性能技术制造，通常仅以750mW的功率工作。另外，IDT7015封装在64引脚PLCC中。
图1 IDT7015功能框图
IDT7015产品特点：
·真正的双端口存储单元，能够同时读取同一存储位置；
·高速访问
–商业：12ns（最大）
·低功耗运行
工作功耗：750mW（典型值）
待机功耗：1mW（典型值）
·当级联多个设备时，IDT7015可以选择使用主从模式，轻松将数据总线宽度扩展到18位或更多；
·具有主/从BUSY标志位；
·具有忙和中断标志；
·片上端口仲裁逻辑；
·对端口之间信号量信令的完整片上硬件支持；
·从任一端口完全异步操作；
·TTL兼容，单个5V（±10％）电源；
·提供68针PLCC封装；
·可提供绿色环保器件。
订购信息：
图2 IDT7015订购信息
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
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