【应用】350V/65mΩ增强型场效应晶体管EPC2050,助力高功率密度小体积的半桥DC/DC设计

2018-10-31 世强
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半桥架构的DCDC设计,当母线电压高达300VDC时,主要通过提高功率器件的开关频率和减小电感体积的方式实现产品的高功率密度设计。常规的Si MOSFET在这类应用多采用600V的贴片系列进行设计,这类设计的现象是体积偏大且散热效果差,导致功率密度较低。


为了解决Si MOSFET的体积和功率密度问题,EPC有一款氮化镓,规格是350V/65mΩ,电流规格6.3A,适用于母线300VDC以内应用的氮化镓增强型场效应晶体管EPC2050(图1)。EPC2050是满足电流规格高达4A的高功率密度的DC/DC设计的,其中主要基于下面信息体现

EPC2050在DC/DC应用时的特性:

1:开关频率更快,自身可满足兆级以上的开关速度。

2:效率更高,传导和开关损耗低,零反向恢复损耗,本体相当于裸Die,不加散热器的情况下可通过PCB和背面同时散热。

3:本身体积小至1.95mm*1.95mm,占板面积也相应减小,可实现更高的功率密度。

图1:EPC2050的电气原理图和封装信息

为了解说EPC2050在母线300VDC以内的DC/DC的性能,EPC设计了EPC9084(图2)。一款基于半桥D/CDC电路应用的DEMO,母线Vin可高达280VDC供电,该DEMO可作为前期开发的设计参考。



图2:基于半桥架构的DCDC(EPC9084)内部拓扑图


EPC9084采用的是Si8274容耦隔离驱动芯片作为氮化镓的驱动芯片。EPC2050主要用于Q1和Q2两个位置。Q1和Q2开关管交替导通形成半桥开关电路。设计的开关频率越高,后端的LBUCK电感就越小,整体功率密度也就越大。

当应用的Vin为150VDC情况下,fsw=100KHz驱动下,可实现12V/12.5A(150W)的功率密度设计。

EPC2050的规格参数信息:

 


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  • 工控老鬼 Lv8. 研究员 2018-11-07
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