【产品】最大输出电压达40V的半桥式开发板EPC9005C

时间： 2019-01-10 来源：EPC

技术问答

宜普电源转换公司（EPC）推出的EPC9005C开发板，开发板的最大输出电压为40V，且最大输出电流为7A，采用半桥式配置并配有板载栅极驱动器，栅极驱动器的输入电压范围为7-12V，并且该开发板内含EPC2014C 增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)。该开发板旨在通过把所有关键元件集结在一块可以轻松连接到任何现有转换器的电路板上，从而简化对EPC2014C eGaN FET的评估过程。如图1所示为EPC9005C开发板，图2为开发板的原理框图。

图1 EPC9005C开发板

图2 EPC9005C开发板原理图

EPC9005C开发板的尺寸为2”x 1.5”，包含两个采用德州仪器LM5113栅极驱动器，电源和旁路电容的半桥配置的EPC2014C eGaN FET。该开发板包含所有关键组件和布局，以实现最佳切换性能。此外，电路板上还有多个探测点，以便简单波形的测量及效率计算。

虽然EPC9005C开发板的电气性能超过传统硅器件，但它们尺寸相对较小，会增加热管理要求，因此EPC9005C适用于低温和对流冷却环境的评估标准。增加散热和强制空气冷可以显着提高该开发板的额定电流，但不能超过125°C的绝对最大模温。需要注意的是， EPC9005C开发板上没有任何电流或热保护。

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zwjiang Lv9. 科学家 2022-07-19

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面向48 V降压转换器的eGaN®FET及集成电路应用简介

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面向48 V降压转换器的eGaN®FET及集成电路应用简介

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面向48 V降压转换器的 eGaN®FET及集成电路应用简介

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应用及方案 - EPC - 2022/5/6 PDF 中文下载收起

全球首款替代功率MOSFET器件的EPC硅基增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）,效率高达98%

EPC eGaN FET产品具有小尺寸、高开关速度、高频率、高功率密度以及低损耗等突出优势，在性能上比硅材料的功率器件优越很多。世强是EPC的官方授权代理商，可供应EPC氮化镓场效应晶体管（eGaN FET），价格优惠，库存丰富。可提供EPC氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）选型， EPC氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）数据手册， EPC氮化镓场效应晶体管技术支持等服务资源。

原厂动态发布时间 : 2018-08-13

eGaN® FETs and ICs for 48 V Buck Converters APPLICATION BRIEF

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【应用】EPC的氮化镓场效应晶体管EPC2024用于1/4砖电源模块，峰值效率高达97%以上

本文重点介绍EPC硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管EPC2024应用于1/4砖DC-DC电源模块中的优势，其具有更宽带隙和电子迁移率,可轻松实现100V内ns级切换,开关频率可上至GHz；EPC2024用于二次侧同步整流，峰值效率高达97以上%。

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EPC Epc2022、Epc2021增强型功率晶体管的散热有什么方案，其外壳是绝缘的吗，可以直接压装散热器吗？

EPC Epc2022、Epc2021增强型功率晶体管的散热建议方案可参考文章：《氮化镓场效应晶体管两种散热方式，你知道么？》，另外其外壳不是绝缘的，为Si半导体。单个晶片连接到散热器一般会将散热器通过电气连接到SOUSE，因背部基板一般连接到SOUSE PIN，所以氮化镓安装散热器时，如果需要绝缘，一般采用绝缘垫片绝缘处理，特别是多个氮化镓晶片连接到同一个散热器的必须采用绝缘垫片绝缘处理的方案。

技术问答发布时间 : 2018-05-28