【应用】耗尽型MOSFET-DMZ1015E/DMX1015E在在Type-C/PD充电器中的应用, 电路更简化
![耗尽型MOSFET,DMZ1015E,DMX1015E,方舟微](https://www.sekorm.com/front/website/images/sekormContent.jpg)
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DMZ1015E/DMX1015E是方舟微具有超高阈值电压的耗尽型MOSFET,利用该器件的亚阈值特性可以实现稳定的电压或电流输出。在Type-C/PD充电器电路中,使用DMZ1015E/DMX1015E作为高压线性稳压器可以使 PWM IC电源电路更加简化。 其中DMZ1015E的封装形式为SOT-23, DMX1015E的封装形式为SOT-89。 其应用电路图如下:
图 1. 采用DMX1015E为Type-C PD充电器 PWM IC供电
DMX1015E耐压高达100V,能承受更宽的输入电压。同时DMX1015E采用SOT-89封装,有较高的耗散功率(能达到 1W),另外较之DMZ0615E有较高的钳位输出电压,适合于上述单绕组的VCC供电。
在充电器输出电压范围很宽的工作状态下(3.3-20V ), 给 PWM IC供电的附 加绕组输出电压往往能达到80V以上,这样采用DMX1015E(SOT-89 封装),以单绕组的形式给VCC供电,DMX1015E(SOT-89 封装)漏源间承受的电压较高, 功耗较大,效率较低。 因此,常采用双绕组的形式给VCC供电,以降低功耗,提高效率,如图2所示:
图 2. 采用DMZ1015E以双绕组方式为Type-C PD充电器PWM IC供电
当充电器输出电压较低时(比如 10V 以下时),绕组2通过DMZ1015E(SOT-23 封装)给VCC供电。此时绕组2的输出电压较低,DMZ1015E(SOT-23 封装)的漏源电压并不高,功耗较低,因此采用功耗较小的SOT-23封装的DMZ1015E。
当充电器输出电压较高时(比如 12-20V),此时主要通过绕组1给VCC供电, 通过合理的绕组匝数比设计,绕组1的VCC 供电电压能达到15V-24V,此时DMZ1015E(SOT-23 封装)只有很小的电流流过,甚至基本关断,因此功耗极低, 可以忽略。
这样采用双绕组,通过DMZ1015E(SOT-23 封装)给VCC供电,具有较高的工作效率,同时由于采用了较小的SOT-23封装,也节省了BOM成本。
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产品型号
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品类
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VTH (V)
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ID (A)
|
RDSON(Ω) Typ.
|
Package
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BVDSS (V)
|
RDSON(Ω) Max.
|
DMZ6005E
|
耗尽型MOSFET
|
-3.3~- 1.5
|
0.02
|
500
|
SOT-23
|
600
|
700
|
选型表 - 方舟微 立即选型
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