【应用】耗尽型MOSFET-DMZ1015E/DMX1015E在在Type-C/PD充电器中的应用，电路更简化

时间： 2022-04-27 来源：方舟微

技术问答

DMZ1015E/DMX1015E是方舟微具有超高阈值电压的耗尽型MOSFET，利用该器件的亚阈值特性可以实现稳定的电压或电流输出。在Type-C/PD充电器电路中，使用DMZ1015E/DMX1015E作为高压线性稳压器可以使 PWM IC电源电路更加简化。其中DMZ1015E的封装形式为SOT-23, DMX1015E的封装形式为SOT-89。其应用电路图如下：

图 1. 采用DMX1015E为Type-C PD充电器 PWM IC供电

DMX1015E耐压高达100V，能承受更宽的输入电压。同时DMX1015E采用SOT-89封装，有较高的耗散功率（能达到 1W），另外较之DMZ0615E有较高的钳位输出电压，适合于上述单绕组的VCC供电。

在充电器输出电压范围很宽的工作状态下（3.3-20V ）, 给 PWM IC供电的附加绕组输出电压往往能达到80V以上，这样采用DMX1015E（SOT-89 封装），以单绕组的形式给VCC供电，DMX1015E（SOT-89 封装）漏源间承受的电压较高，功耗较大，效率较低。因此，常采用双绕组的形式给VCC供电，以降低功耗，提高效率，如图2所示：

图 2. 采用DMZ1015E以双绕组方式为Type-C PD充电器PWM IC供电

当充电器输出电压较低时（比如 10V 以下时），绕组2通过DMZ1015E（SOT-23 封装）给VCC供电。此时绕组2的输出电压较低，DMZ1015E（SOT-23 封装）的漏源电压并不高，功耗较低，因此采用功耗较小的SOT-23封装的DMZ1015E。

当充电器输出电压较高时（比如 12-20V），此时主要通过绕组1给VCC供电，通过合理的绕组匝数比设计，绕组1的VCC 供电电压能达到15V-24V，此时DMZ1015E（SOT-23 封装）只有很小的电流流过，甚至基本关断，因此功耗极低，可以忽略。

这样采用双绕组，通过DMZ1015E（SOT-23 封装）给VCC供电，具有较高的工作效率，同时由于采用了较小的SOT-23封装，也节省了BOM成本。

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